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公开(公告)号：CN117913137A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311068124.9
申请日：2023-08-23
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/08 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法，所述半导体装置具有：晶体管部；二极管部；第一导电型的漂移区，其设置在半导体基板；第二导电型的集电区，其设置在所述半导体基板的背面；第一导电型的阴极区，其设置在所述半导体基板的所述背面，并且掺杂浓度比所述漂移区的掺杂浓度高；多个沟槽部，其设置在所述半导体基板的正面；以及寿命控制部，其设置在所述半导体基板，并包含寿命抑制剂，所述寿命控制部具有：主区，其设置在所述二极管部；以及衰减区，其从所述主区起沿着与所述半导体基板的所述正面平行的方向延伸而设置，并且衰减区的寿命抑制剂浓度比所述主区的寿命抑制剂浓度衰减。
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