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发明公开
一种采用ALD制备TaN/Ta2O5复合薄膜的方法及其应用审中-公开

公开(公告)号：CN119980192A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510177746.8

申请日：2025-02-18

Applicant: 安徽工业大学

Inventor： 万志鑫 , 徐格 , 余威 , 张世宏

IPC: C23C16/455 , C23C16/34 , C23C16/40 , C23F15/00

Abstract: 本发明涉及薄膜技术领域，具体涉及一种采用ALD制备TaN/Ta2O5复合薄膜的方法及其应用，包括以下步骤：基材预处理：选择基材，对基材进行抛光研磨，超声清洗后吹干；将预处理的基材放入ALD腔室，抽真空后，通过复合交替沉积工艺制备TaN/Ta2O5双层薄膜。在TaN薄膜表面生长一层致密的Ta2O5膜，覆盖在表面，帮助其抵抗腐蚀介质侵蚀，有效改善TaN的耐腐蚀性能，进一步提高TaN薄膜在腐蚀介质中的稳定性和可靠性。

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