公开(公告)号：CN120006390A

公开(公告)日：2025-05-16

申请号：CN202411891488.1

申请日：2024-12-20

Applicant: 安徽大学

Inventor： 陈学刚 ,  邱宇浩 ,  李壮 ,  王佳威 ,  于点儿 ,  郭子然

IPC: C30B29/26 ,  C30B29/64 ,  C30B23/02 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  G11B5/706 ,  G11B5/84 ,  G11B5/851 ,  G11C11/16

Abstract: 本申请提供了一种高居里温度硬磁氧化物半导体薄膜及其制备方法，涉及硬磁氧化物薄膜材料技术领域，包括支撑层和薄膜层，支撑层基片于磁控溅射系统的沉积腔的基台上，以磁控溅射的方法,在支撑层单晶衬底上采用薄膜层靶材沉积薄膜；其技术要点为：通过采用射频磁控溅射的制备工艺,采用NiCo2O4靶材,制备出N iCo2O4薄膜,所得薄膜具有380K以上的居里温度,并且具有优秀的导电性,能够克服传统氧化物硬磁材料的局限性，在磁存储领域具有重要的应用潜力,能够为高密度、高速度和低功耗的磁存储器件的研发提供新的可能性，同时,该方法具有制备材料成本较低的优势,有利于实现大规模制备和工业化生产。