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公开(公告)号：CN117053987B
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311324037.5
申请日：2023-10-13
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L27/00
Abstract: 本公开涉及半导体测试技术领域，尤其涉及一种真空计校准方法、测试设备及测试系统。其中，真空计校准方法包括：获取真空计在不同压力下对应的电压量化值；基于电压量化值获取线性校准系数；采用线性校准系数对压力‑电压量化值曲线进行线性拟合，获取非线性误差；在非线性误差小于等于非线性误差阈值时，确定线性校准系数为目标校准系数。本公开的技术方案，有利于提高真空计的检测结果线性度，进而提高真空计的测量结果，以满足实际应用需求。
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公开(公告)号：CN116956635A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311060860.X
申请日：2023-08-22
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06T17/20 , G06F30/10 , G06F111/04 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 本申请属于分子束外延坩埚应力分析技术领域，公开了一种坩埚熔液冷凝应力分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取坩埚的第一结构参数和物料的第二结构参数，构建对应的内置物料模型的坩埚模型，确定坩埚模型和物料模型为黏附接触关系，并设置材料参数、塑性节点、相变材料节点和物理约束条件，设置坩埚模型和物料模型的传热条件和辐射条件，基于上述条件和数据，结合预设的温度条件、模型划分条件和求解器设置，计算不同情况下坩埚的应力数据，得到各不同情况对于坩埚熔液冷凝应力的影响分析数据，通过设置辐射条件并添加相变材料节点，模拟不同情况的冷凝应力分析，提高了分析坩埚熔液冷凝应力的效率和准确度。
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公开(公告)号：CN117053987A
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202311324037.5
申请日：2023-10-13
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L27/00
Abstract: 本公开涉及半导体测试技术领域，尤其涉及一种真空计校准方法、测试设备及测试系统。其中，真空计校准方法包括：获取真空计在不同压力下对应的电压量化值；基于电压量化值获取线性校准系数；采用线性校准系数对压力‑电压量化值曲线进行线性拟合，获取非线性误差；在非线性误差小于等于非线性误差阈值时，确定线性校准系数为目标校准系数。本公开的技术方案，有利于提高真空计的检测结果线性度，进而提高真空计的测量结果，以满足实际应用需求。
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公开(公告)号：CN116986911A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202310608039.0
申请日：2023-05-26
Applicant: 季华实验室
IPC: C04B35/582 , C04B35/622 , C30B23/02 , C30B25/02 , B28B3/00 , B28B11/24
Abstract: 本申请涉及分子束外延技术领域，公开了一种分子束外延氮化铝陶瓷坩埚及其制作方法，所述分子束外延氮化铝陶瓷坩埚由氮化铝粉体制作获得，所述氮化铝粉体按质量份数计，包括以下组分：1份~5份烧结助剂，0.00001份~0.0001份金属钛源，95份~99份氮化铝粉末；所述的分子束外延氮化铝陶瓷坩埚的制作方法包括以下步骤：配制氮化铝粉体；调制浆料；坯体成型；排胶；氧化；坯体烧结；打磨得成品。所提供的制作方法能够制得深度较大的薄壁杯状结构坩埚，所制得的分子束外延氮化铝陶瓷坩埚导热率远高于传统的热解氮化硼材料坩埚，可极大提高坩埚的导热能力，有效消除坩埚内外温度差，提高能量利用效率，降低能耗。
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公开(公告)号：CN115493744B
公开(公告)日：2023-03-07
申请号：CN202211454920.1
申请日：2022-11-21
Applicant: 季华实验室
IPC: G01L21/00
Abstract: 本申请涉及半导体领域，具体而言，涉及一种宽量程的电容薄膜真空计及真空度检测方法，通过设置第一参考室和第二参考室，并且第一深度比第二深度大，第一感压膜片比第二感压膜片的厚度大，因此，第一参考室可测量的压力值比第二参考室可测量的压力值大，且第一参考室的真空度测量范围比第二参考室的真空度测量范围大，不管待测气体的压力值是大还是小，都可以通过宽量程的电容薄膜真空计实现真空度检测，无需通过多个现有的电容薄膜真空计配合使用，降低电容薄膜真空计生产成本以及避免检测过程繁杂，从而提高宽量程的电容薄膜真空计的普用性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116306058B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310608061.5
申请日：2023-05-26
Applicant: 季华实验室
IPC: G06F30/20 , G06F111/10 , G06F119/02
Abstract: 本申请属于分析坩埚热应力技术领域，公开了一种坩埚热应力的影响分析方法、装置、电子设备及存储介质，该方法包括：获取坩埚的第一结构参数和加热物料的第二结构参数，通过仿真软件，构建对应的内置物料模型的坩埚模型，确定坩埚模型和物料模型为黏附接触关系，并设置坩埚模型和物料模型的材料参数、塑性节点和热膨胀条件，确定热膨胀应变数据的计算方程，基于上述条件和数据，结合预设的温度条件、预设的模型划分条件和预设的求解器设置，计算不同情况下坩埚模型的热应力分布数据，得到不同情况对于坩埚热应力的影响分析结果数据，通过设置黏附接触关系并添加塑性节点，模拟不同情况的热应力分析，提高了分析坩埚热应力的效率和准确度。
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公开(公告)号：CN115673184A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202211399743.1
申请日：2022-11-09
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请涉及加热工装技术领域，具体涉及一种分子束外延源炉加热丝缠绕工装及缠绕方法,加热丝缠绕工装包括：固定柱、第一固定板、第二固定板、第一旋转环和第二旋转环；第一固定板和第二固定板相互平行并分别可拆卸地与固定柱的两端连接，第一固定板和第二固定板的周面均间隔环布有多个定位凹槽，且各个定位凹槽沿厚度方向贯通第一固定板或第二固定板的两个侧面；第一旋转环和第二旋转环分别可转动且可拆卸地设置在第一固定板和第二固定板的周面上，第一旋转环和第二旋转环均设置有一个开口，开口贯通第一旋转环或第二旋转环的内外周面，开口的大小与定位凹槽相适配；降低加热丝产生塑性变形的几率，有效保证分子束外延源炉的温度场分布均匀。
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公开(公告)号：CN115637490A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211378289.1
申请日：2022-11-04
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本发明涉及外延生长技术领域，具体公开了一种集成式分子束外延坩埚制作方法、外延坩埚及分子束源炉，其中，制作方法包括步骤：S1、准备石墨材质的芯轴组件；S2、在芯轴组件外周外延沉积生成第一热解氮化硼层；S3、在第一热解氮化硼层外周折弯缠绕加热丝，使加热丝紧贴固定在第一热解氮化硼层表面；S4、在第一热解氮化硼层外周外延沉积生成第二热解氮化硼层，第二热解氮化硼层完全覆盖加热丝；S5、氧化消除芯轴组件；该制作方法在无需增加额外工艺手段的前提下能制作出结构简单、制作成本低、制作效率高、热效率高、热场分布均匀且保温效果出众的集成式分子束外延坩埚。
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公开(公告)号：CN114659706B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202210544153.7
申请日：2022-05-19
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于真空计量技术领域，公开了一种真空度检测方法、装置、电子设备、存储介质及系统，通过获取内环电容产生的第一电压信号和外环电容产生的第二电压信号；分别对所述第一电压信号和所述第二电压信号进行峰值检测处理，得到第一峰值信号和第二峰值信号；对所述第一峰值信号和所述第二峰值信号进行差分处理，得到电压差值信号；对所述电压差值信号进行计算处理，得到真空度检测结果，其中差分处理可以减少信号干扰，提高检测精度，从而保证真空度检测结果的可靠性。
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公开(公告)号：CN114323363B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN202210251301.6
申请日：2022-03-15
Applicant: 季华实验室
Abstract: 本申请属于压力传感器技术领域，公开了一种电容式真空压力传感器，包括具有容置腔的壳体，还包括感压膜片及固定电极，感压膜片与固定电极均为圆筒形状，感压膜片设置在容置腔内，感压膜片的两端分别连接容置腔的顶部和底部，感压膜片将容置腔分为测量腔及参考腔，固定电极设置在参考腔内，固定电极与感压膜片组成可变电容器。本申请的电容式真空压力传感器将感压膜片和固定电极均设计为圆筒形状，与现有技术中同等体积的电容薄膜真空计相比，基础电容值得到增大，有效提高了电容式真空压力传感器的灵敏度和精度，降低了电容信号的处理难度。
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