公开(公告)号：CN103898454A

公开(公告)日：2014-07-02

申请号：CN201310741861.0

申请日：2013-12-27

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 多湖雄一郎 ,  小玉健二 ,  尾崎公造

IPC: C23C14/34

Abstract: 本发明提供一种靶材，所述靶材具备以下构成：（1）前述靶材被用作用于形成Cu布线的保护膜的靶；（2）前述靶材包含Nb、Ni、Ti和M（其中，M为任意元素）作为主要构成元素，余量由不可避免的杂质组成，其中，M为选自由V、Zr、Mo、Ta和W构成的组中的任意1种以上元素；（3）前述主要构成元素满足式：Nba（Ni1-xTix）b（M）c的关系，其中，20（at%）≤a≤45（at%）、50（at%）≤b≤80（at%）、0（at%）≤c≤8（at%）、a+b+c=100（at%）、0.8182≤（1-x）/x≤1.2222。

公开(公告)号：CN103035892A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210375446.3

申请日：2012-09-29

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 木村优太 ,  多湖雄一郎 ,  尾崎公造

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/134

CPC classification number: H01M4/386 ,  B22F9/08 ,  C22C1/1042 ,  H01M4/134 ,  H01M4/387 ,  H01M4/622 ,  H01M2004/021

Abstract: 本发明涉及锂离子电池负极活性材料和使用该负极活性材料的锂离子电池负极，该负极活性材料包含Si-Sn-Fe-Cu基合金，其中在全部负极活性材料中，Si相所占的面积比率为35%至80%，Si相分散于基质相中，基质相包含在所述Si相周围结晶的Si-Fe化合物相，并且还包含Sn-Cu化合物相，该Sn-Cu化合物相结晶以包围Si相和Si-Fe化合物相，以在全部基质相中所占的面积比率计，Si-Fe化合物相的结晶比率为35%至90%，其中基质相中还包含不可避免地在基质相中结晶的Sn相，以在全部基质相中所占的面积比率计，该Sn相的结晶比率为15%。本发明的负极活性材料能够使活性材料具有较大的初始放电容量并能够增强循环特性。

公开(公告)号：CN105549775B

公开(公告)日：2019-11-26

申请号：CN201510697065.0

申请日：2015-10-23

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 南和希 ,  多湖雄一郎 ,  坂口一哉

IPC: G06F3/041

Abstract: 本发明涉及层压体。本发明涉及一种至少包括(a)透明基材、(b)层叠在所述基材上并形成电极的第一金属层、和(c)具有20％以下的光反射率的第二金属层的层压体，其中所述第二金属层通过使用反应性溅射气体溅射而层叠在所述第一金属层的与所述基材相反的表面上或者层叠在所述第一金属层与所述基材之间，所述第二金属层由至少含有Zn的Cu合金的氧化物或氮化物构成。

公开(公告)号：CN105549775A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510697065.0

申请日：2015-10-23

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 南和希 ,  多湖雄一郎 ,  坂口一哉

IPC: G06F3/041

Abstract: 本发明涉及层压体。本发明涉及一种至少包括(a)透明基材、(b)层叠在所述基材上并形成电极的第一金属层、和(c)具有20％以下的光反射率的第二金属层的层压体，其中所述第二金属层通过使用反应性溅射气体溅射而层叠在所述第一金属层的与所述基材相反的表面上或者层叠在所述第一金属层与所述基材之间，所述第二金属层由至少含有Zn的Cu合金的氧化物或氮化物构成。

公开(公告)号：CN103035892B

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201210375446.3

申请日：2012-09-29

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 木村优太 ,  多湖雄一郎 ,  尾崎公造

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/134

CPC classification number: H01M4/386 ,  B22F9/08 ,  C22C1/1042 ,  H01M4/134 ,  H01M4/387 ,  H01M4/622 ,  H01M2004/021

Abstract: 本发明涉及锂离子电池负极活性材料和使用该负极活性材料的锂离子电池负极，该负极活性材料包含Si-Sn-Fe-Cu基合金，其中在全部负极活性材料中，Si相所占的面积比率为35％至80％，Si相分散于基质相中，基质相包含在所述Si相周围结晶的Si-Fe化合物相，并且还包含Sn-Cu化合物相，该Sn-Cu化合物相结晶以包围Si相和Si-Fe化合物相，以在全部基质相中所占的面积比率计，Si-Fe化合物相的结晶比率为35％至90％，其中基质相中还包含不可避免地在基质相中结晶的Sn相，以在全部基质相中所占的面积比率计，该Sn相的结晶比率为15％以下。本发明的负极活性材料能够使活性材料具有较大的初始放电容量并能够增强循环特性。

公开(公告)号：CN102447101B

公开(公告)日：2016-03-16

申请号：CN201110303301.8

申请日：2011-09-30

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 木村优太 ,  多湖雄一郎 ,  小玉健二 ,  武本聪

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/134

CPC classification number: H01M10/052 ,  H01M4/364 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387

Abstract: 本发明涉及一种锂二次电池负极活性材料，其组成包括30质量％至65质量％的硅，并且，其具有含有锡-铜基合金基质的两相基质结构，所述锡-铜基合金基质中的锡含量大于或等于50质量％，硅微晶分散于所述锡-铜基合金基质中，并且硅-X基合金结晶以至少部分地包覆所述硅微晶，其中，所述X为选自铁、镍和钴中的至少一种元素，并且，所述X在所述负极活性材料中的添加量大于或等于1质量％。

公开(公告)号：CN104375694B

公开(公告)日：2018-11-20

申请号：CN201410397798.8

申请日：2014-08-13

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 神谷尚秀 ,  多湖雄一郎 ,  尾崎公造 ,  坂口一哉 ,  南和希

IPC: G06F3/041

Abstract: 本发明涉及Cu合金靶用材料、Cu合金靶、Cu合金膜及触摸面板。涉及具备以下的特征的Cu合金靶用材料：(1)前述Cu合金靶用材料含有0.1～10.0at％的Zn，进而含有总含量为0.1～6.0at％的选自由Mg、Cr、Ca、Ti、Al、Sn、Ni和B组成的组中的至少一种元素，剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成；以及(2)前述Cu合金靶用材料被用于靶，该靶用于将触摸面板的传感器电极和/或布线中使用的Cu合金膜形成于基板上。

公开(公告)号：CN104375694A

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201410397798.8

申请日：2014-08-13

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 神谷尚秀 ,  多湖雄一郎 ,  尾崎公造 ,  坂口一哉 ,  南和希

IPC: G06F3/041

CPC classification number: C23C14/3407 ,  C22C9/00 ,  C22C9/01 ,  C22C9/02 ,  C22C9/04 ,  C22C9/06 ,  G06F3/041 ,  G06F2203/04103

Abstract: 本发明涉及Cu合金靶用材料、Cu合金靶、Cu合金膜及触摸面板。涉及具备以下的特征的Cu合金靶用材料：(1)前述Cu合金靶用材料含有0.1～10.0at％的Zn，进而含有总含量为0.1～6.0at％的选自由Mg、Cr、Ca、Ti、Al、Sn、Ni和B组成的组中的至少一种元素，剩余部分由Cu和不可避免的杂质组成；以及(2)前述Cu合金靶用材料被用于靶，该靶用于将触摸面板的传感器电极和/或布线中使用的Cu合金膜形成于基板上。

公开(公告)号：CN102447101A

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN201110303301.8

申请日：2011-09-30

Applicant: 大同特殊钢株式会社

Inventor： 木村优太 ,  多湖雄一郎 ,  小玉健二 ,  武本聪

IPC: H01M4/38 ,  H01M4/134

CPC classification number: H01M10/052 ,  H01M4/364 ,  H01M4/38 ,  H01M4/386 ,  H01M4/387

Abstract: 本发明涉及一种锂二次电池负极活性材料，其组成包括30质量％至65质量％的硅，并且，其具有含有锡-铜基合金基质的两相基质结构，所述锡-铜基合金基质中的锡含量大于或等于50质量％，硅微晶分散于所述锡-铜基合金基质中，并且硅-X基合金结晶以至少部分地包覆所述硅微晶，其中，所述X为选自铁、镍和钴中的至少一种元素，并且，所述X在所述硅-X基合金基质中的添加量大于或等于1质量％。