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公开(公告)号：CN101681913B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200880015449.8
申请日：2008-04-07
Applicant: 夏普株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种能够高速且低功耗地工作的可变电阻元件。在第一电极(11)和第二电极(12)之间具有金属氧化物层(10)，对应于向第一和第二电极间的电应力的施加，第一和第二电极间的电阻可逆地变化，其中，金属氧化物层(10)具有：作为在第一和第二电极间流过的电流的电流密度局部地变高的电流路径的细丝(13)，在第一电极和第二电极内的至少任何的一方的特定电极(11)与金属氧化物层(10)的界面的、至少包含特定电极(11)和细丝(13)的界面附近的一部分，具备：界面氧化物(15)，该界面氧化物作为包含在特定电极中的至少一个元素的氧化物，与金属氧化物层(10)的氧化物不同。
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公开(公告)号：CN101371313B
公开(公告)日：2011-08-17
申请号：CN200780003089.5
申请日：2007-01-09
Applicant: 夏普株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/79
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储装置，能进行针对电阻特性根据电压施加而变化的可变电阻元件的稳定高速的切换动作。用于向可变电阻元件施加电压的负载电路以能与可变电阻元件串联电连接的方式设置，以负载电路的负载电阻特性可在两种不同特性间切换的方式构成，在可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态转移到高电阻状态的情况和从高电阻状态转移到低电阻状态的情况下，选择性地切换负载电路的两种负载电阻特性，根据施加到可变电阻元件和负载电路的串联电路上的改写用电压，对可变电阻元件施加从两种电阻特性的一种向另一种转移所需的电压，可变电阻元件的电阻特性从一种转移到另一种后，施加到可变电阻元件上的电压成为不能根据选择的负载电阻特性从另一种电阻特性向一种电阻特性返回的电压。
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公开(公告)号：CN101681913A
公开(公告)日：2010-03-24
申请号：CN200880015449.8
申请日：2008-04-07
Applicant: 夏普株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: G11C13/0011 , G11C11/5614 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/77 , H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146
Abstract: 本发明提供一种能够高速且低功耗地工作的可变电阻元件。在第一电极(11)和第二电极(12)之间具有金属氧化物层(10)，对应于向第一和第二电极间的电应力的施加，第一和第二电极间的电阻可逆地变化，其中，金属氧化物层(10)具有：作为在第一和第二电极间流过的电流的电流密度局部地变高的电流路径的细丝(13)，在第一电极和第二电极内的至少任何的一方的特定电极(11)与金属氧化物层(10)的界面的、至少包含特定电极(11)和细丝(13)的界面附近的一部分，具备：界面氧化物(15)，该界面氧化物作为包含在特定电极中的至少一个元素的氧化物，与金属氧化物层(10)的氧化物不同。
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公开(公告)号：CN101371313A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780003089.5
申请日：2007-01-09
Applicant: 夏普株式会社 , 独立行政法人产业技术综合研究所
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/79
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储装置，能进行针对电阻特性根据电压施加而变化的可变电阻元件的稳定高速的切换动作。用于向可变电阻元件施加电压的负载电路以能与可变电阻元件串联电连接的方式设置，以负载电路的负载电阻特性可在两种不同特性间切换的方式构成，在可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态转移到高电阻状态的情况和从高电阻状态转移到低电阻状态的情况下，选择性地切换负载电路的两种负载电阻特性，根据施加到可变电阻元件和负载电路的串联电路上的改写用电压，对可变电阻元件施加从两种电阻特性的一种向另一种转移所需的电压，可变电阻元件的电阻特性从一种转移到另一种后，施加到可变电阻元件上的电压成为不能根据选择的负载电阻特性从另一种电阻特性向一种电阻特性返回的电压。
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公开(公告)号：CN101553924A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200780045357.X
申请日：2007-11-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储器件，该非易失性半导体存储器件通过使施加时间无差异地施加正负极性任意的电压，能够对可变电阻元件进行稳定的高速转换动作。该非易失性半导体存储器件包括：2端子结构的可变电阻元件，其通过在两端施加满足规定条件的电压，由该两端的电流电压特性限定的电阻特性可在稳定地取得的低电阻状态和高电阻状态这2个电阻特性之间转移，该可变电阻元件具有当施加绝对值为第一阈值电压以上的第一极性电压时、从低电阻状态转移到高电阻状态，当施加绝对值为第二阈值电压以上的第二极性的电压时、从高电阻状态转移到低电阻状态的特性；串联连接到可变电阻元件的可调整负载电阻的负载电路；和可在串联电路的两端施加电压的电压产生电路；其中，在该非易失性半导体存储器件中，通过调整负载电路的电阻就能在可变电阻元件的状态之间转移。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101548334A
公开(公告)日：2009-09-30
申请号：CN200780045014.3
申请日：2007-11-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 提供一种针对多个具备随着电压施加而电阻特性发生变化地可变电阻元件的存储器单元、可单独同时执行电阻变化的不同的改写动作的非易失性半导体存储装置。按与同一列的存储器单元公共连接的每个位线(BL0～3)，具备根据使改写对象的可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态向高电阻状态转移的第一改写动作与从高电阻状态向低电阻状态转移的第二改写动作的差异，可单独选择2个负载电阻特性的任一个的负载电阻特性可变电路(14)，具备将第一改写动作中施加的第一电压脉冲和第二改写动作中施加第二电压脉冲，经负载电阻特性可变电路(14)和位线(BL0～3)施加给改写对象的存储器单元的改写电压脉冲施加电路(13a)。
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公开(公告)号：CN101548334B
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN200780045014.3
申请日：2007-11-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C13/0038 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/72 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/1021 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 提供一种针对多个具备随着电压施加而电阻特性发生变化地可变电阻元件的存储器单元、可单独同时执行电阻变化的不同的改写动作的非易失性半导体存储装置。按与同一列的存储器单元公共连接的每个位线(BL0～3)，具备根据使改写对象的可变电阻元件的电阻特性从低电阻状态向高电阻状态转移的第一改写动作与从高电阻状态向低电阻状态转移的第二改写动作的差异，可单独选择2个负载电阻特性的任一个的负载电阻特性可变电路(14)，具备将第一改写动作中施加的第一电压脉冲和第二改写动作中施加第二电压脉冲，经负载电阻特性可变电路(14)和位线(BL0～3)施加给改写对象的存储器单元的改写电压脉冲施加电路(13a)。
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公开(公告)号：CN101553924B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN200780045357.X
申请日：2007-11-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/76 , G11C2213/77 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1633
Abstract: 提供一种非易失性半导体存储器件，该非易失性半导体存储器件通过使施加时间无差异地施加正负极性任意的电压，能够对可变电阻元件进行稳定的高速转换动作。该非易失性半导体存储器件包括：2端子结构的可变电阻元件，其通过在两端施加满足规定条件的电压，由该两端的电流电压特性限定的电阻特性可在稳定地取得的低电阻状态和高电阻状态这2个电阻特性之间转移，该可变电阻元件具有当施加绝对值为第一阈值电压以上的第一极性电压时、从低电阻状态转移到高电阻状态，当施加绝对值为第二阈值电压以上的第二极性的电压时、从高电阻状态转移到低电阻状态的特性；串联连接到可变电阻元件的可调整负载电阻的负载电路；和可在串联电路的两端施加电压的电压产生电路；其中，在该非易失性半导体存储器件中，通过调整负载电路的电阻就能在可变电阻元件的状态之间转移。
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公开(公告)号：CN101432878B
公开(公告)日：2012-05-23
申请号：CN200780015413.5
申请日：2007-02-23
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1226 , H01L45/1233 , H01L45/124 , H01L45/1273 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1633 , H01L45/1691
Abstract: 本发明提供一种可变电阻体的在电气上作出贡献的区域的面积是比由上部电极或下部电极等规定的面积更微细的面积的结构的可变电阻元件及其制造方法。在配置于基底衬底(5)上的下部电极(1)的上部形成突起电极物(2)。突起电极物(2)在与下部电极(1)的接触面不同的面与可变电阻体(3)接触，该可变电阻体(3)在与突起电极物(2)的接触面不同的面上与上部电极(4)接触。由此，突起电极物(2)(可变电阻体(3))和上部电极(4)的交叉点部分成为可变电阻体的在电气上作出贡献的区域，因而与以往的可变电阻元件中的区域相比，其面积被缩小。
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公开(公告)号：CN100580930C
公开(公告)日：2010-01-13
申请号：CN200680029245.0
申请日：2006-07-21
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 细井康成
CPC classification number: H01L45/04 , G11C13/0007 , G11C13/0026 , G11C2213/52 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/1633 , H01L45/1675 , Y10T29/49082
Abstract: 可变电阻元件具备第1电极、第2电极和可变电阻体，该可变电阻体存在于被第1电极和第2电极所夹持的区域中，通过对两电极之间施加电压脉冲从而使电阻变化，在该可变电阻元件中，存在作为电极材料必须使用贵金属电极的制约，有与以往的CMOS工艺的匹配性差的问题。在将过渡金属元素的氧氮化物作为可变电阻体而应用的可变电阻元件中，显示了稳定的转换动作，数据的保持特性良好，写入电流也小。此外，因为作为电极材料并不一定需要贵金属，所以与现有的CMOS工艺的匹配性高且能够容易制造。此外，能够通过氧化由导电性氮化物构成的下部电极表面使可变电阻体材料成膜的简便的工序形成可变电阻元件。
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