公开(公告)号：CN1574288A

公开(公告)日：2005-02-02

申请号：CN200410045714.0

申请日：2004-05-21

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 许胜藤 ,  李廷凯 ,  D·R·埃范斯 ,  庄维佛 ,  潘威

IPC: H01L21/82 ,  H01L27/10 ,  G11C11/15

CPC classification number: G11C13/0007 ,  G11C2213/31 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1608 ,  H01L45/1625

Abstract: 提供不对称晶体结构存储单元及其制造方法。该方法包括：形成底部电极；在底部电极上形成具有多晶结构的电脉冲变化电阻(EPVR)第一层；邻近第一层形成具有纳米晶或非晶结构的EPVR第二层；以及覆在第一和第二EPVR层上形成顶部电极。EPVR材料包括CMR、高温超导体(HTSC)，或钙钛矿金属氧化物材料。在一种情况下，在550和700℃之间的温度范围内用金属有机旋涂(MOD)工艺淀积EPVR第一层。在小于或等于第一层的淀积温度的温度下形成EPVR第二层。在去除溶剂步骤之后，在小于或等于550℃的温度下形成MOD淀积的EPVR第二层。