公开(公告)号：CN102725840B

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201080062295.5

申请日：2010-12-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 池谷直泰 ,  野泽朋宏 ,  野崎义明 ,  约翰.K.特怀南 ,  川村博史 ,  作野圭一

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L27/0629

Abstract: 该复合型半导体装置在第1以及第2端子（T1，T2）之间串联连接常开型的第1场效应晶体管（1）和常闭型的第2场效应晶体管（2），将第1以及第2场效应晶体管（1，2）的栅极分别与第2以及第3端子（T2，T3）连接，在第2场效应晶体管（2）的漏极以及源极之间正向串联连接了N个二极管（3）。从而，能够将第2场效应晶体管（2）的漏极-源极间电压（Vds）抑制为第2场效应晶体管（2）的耐压以下的电压。

公开(公告)号：CN102725840A

公开(公告)日：2012-10-10

申请号：CN201080062295.5

申请日：2010-12-28

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 池谷直泰 ,  野泽朋宏 ,  野崎义明 ,  约翰.K.特怀南 ,  川村博史 ,  作野圭一

IPC: H01L21/8232 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/095

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L27/0629

Abstract: 该复合型半导体装置在第1以及第2端子（T1，T2）之间串联连接常开型的第1场效应晶体管（1）和常闭型的第2场效应晶体管（2），将第1以及第2场效应晶体管（1，2）的栅极分别与第2以及第3端子（T2，T3）连接，在第2场效应晶体管（2）的漏极以及源极之间正向串联连接了N个二极管（3）。从而，能够将第2场效应晶体管（2）的漏极-源极间电压（Vds）抑制为第2场效应晶体管（2）的耐压以下的电压。