公开(公告)号：CN101197393A

公开(公告)日：2008-06-11

申请号：CN200710199716.9

申请日：2007-12-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 疋田智之 ,  小田部拓也 ,  米元久

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有能与低耐压晶体管混合装载且微细化并容易调整耐压的横型高耐压MOSFET的半导体器件。高耐压MOSFET具有：形成在半导体衬底(1)上的高耐压用激活区(4)的沟部(10)；形成在夹住沟部(10)的两侧的高耐压用激活区(4)的上表面，并按与高耐压用激活区(4)相反的导电型注入杂质的2个多晶硅层(6)；位于夹住沟部(10)的两侧，并对多晶硅层(6)的下部的高耐压用激活区(4)的表面按与高耐压用激活区(4)相反的导电型注入杂质的2个杂质扩散漂移层(9)；以及以栅极氧化膜(11)为中介，形成在沟部(10)的底面和侧面以及各多晶硅层(6)的靠近沟部(10)侧的邻近区的沟部侧的端面和上表面的栅极(13a)，在2个多晶硅层(6)的不受栅极(13a)覆盖的邻近区以外的部分分别形成源极－漏极区(15a)。

公开(公告)号：CN101197393B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200710199716.9

申请日：2007-12-07

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 疋田智之 ,  小田部拓也 ,  米元久

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种具有能与低耐压晶体管混合装载且微细化并容易调整耐压的横型高耐压MOSFET的半导体器件。高耐压MOSFET具有：形成在半导体衬底(1)上的高耐压用激活区(4)的沟部(10)；形成在夹住沟部(10)的两侧的高耐压用激活区(4)的上表面，并按与高耐压用激活区(4)相反的导电型注入杂质的2个多晶硅层(6)；位于夹住沟部(10)的两侧，并对多晶硅层(6)的下部的高耐压用激活区(4)的表面按与高耐压用激活区(4)相反的导电型注入杂质的2个杂质扩散漂移层(9)；以及以栅极氧化膜(11)为中介，形成在沟部(10)的底面和侧面以及各多晶硅层(6)的靠近沟部(10)侧的邻近区的沟部侧的端面和上表面的栅极(13a)，在2个多晶硅层(6)的不受栅极(13a)覆盖的邻近区以外的部分分别形成源极-漏极区(15a)。