公开(公告)号：CN104412061A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380035851.3

申请日：2013-08-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 方志教和 ,  坂上英和 ,  原田德实 ,  山胁千明

IPC: G01B15/02

CPC classification number: G01B15/02 ,  G01N23/223 ,  G01N2223/633

Abstract: 基板Al检测单元(33a)从测定头(23)对成膜前的基板(11)照射原始X射线，利用测定头(23)检测由该基板(11)产生的荧光X射线，检测该基板(11)所含的铝成分。Al膜校正单元(33b)在基板(11)上形成了Al膜时，基于基板Al检测单元(33a)的检测结果校正利用测定头(23)从Al膜检测出的荧光X射线的强度，求出Al膜的厚度。

公开(公告)号：CN102656665B

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：CN201180004990.0

申请日：2011-04-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 足立雄介 ,  坂上英和

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/02538 ,  C23C16/301 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

Abstract: 在本气相生长方法中，通过使V族原料气体导入配管（42）的内径（W1）大于III族原料气体导入配管（44）的外径（W2），将III族原料气体导入配管（44）以1对1的方式插入到V族原料气体导入配管（42）的内部，从而可防止III族原料气体配管（44）被冷却机构冷却，抑制金属材料凝固到配管壁面。由此，可提供一种将易凝固的金属材料有效地导入反应炉而不会使其附着于喷淋头或配管的壁面、从而能进行有效掺杂的气相生长装置、气相生长方法及半导体元件的制造方法。

公开(公告)号：CN104412062A

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201380035853.2

申请日：2013-08-23

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 方志教和 ,  坂上英和 ,  原田德实 ,  山胁千明

IPC: G01B15/02

CPC classification number: G01B15/02 ,  G01N23/2055 ,  G01N23/223 ,  G01N2223/633

Abstract: 测定头(23)对产品基板(10)的膜(12)照射原始X射线，检测由该膜(12)产生的荧光X射线。解析单元(33)由利用测定头(23)检测出的荧光X射线的强度求出膜(12)的厚度。

公开(公告)号：CN102656665A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201180004990.0

申请日：2011-04-19

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 足立雄介 ,  坂上英和

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: H01L21/02538 ,  C23C16/301 ,  C23C16/45565 ,  C23C16/45572 ,  C23C16/45574 ,  C30B25/14 ,  C30B29/40 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262

Abstract: 在本气相生长方法中，通过使V族原料气体导入配管（42）的内径（W1）大于III族原料气体导入配管（44）的外径（W2），将III族原料气体导入配管（44）以1对1的方式插入到V族原料气体导入配管（42）的内部，从而可防止III族原料气体配管（44）被冷却机构冷却，抑制金属材料凝固到配管壁面。由此，可提供一种将易凝固的金属材料有效地导入反应炉而不会使其附着于喷淋头或配管的壁面、从而能进行有效掺杂的气相生长装置、气相生长方法及半导体元件的制造方法。

公开(公告)号：CN102714147A

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN201180005087.6

申请日：2011-06-20

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 若狭加奈子 ,  坂上英和 ,  坪井俊树

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/455

CPC classification number: C23C16/45565 ,  C23C16/4412

Abstract: 本发明的气相沉积装置(1A)具有：配设有使薄膜进行气相沉积的被处理基板(31)的反应炉(20)；具有导入气体的气体导入口(14)、用于使气体扩散的气体分配空间(13)、穿设有用于将气体分配空间(13)的气体供给至反应炉(20)的内部的多个气体流路(15)的喷板(11)的喷头(10)；用于将反应炉(20)的气体向外部排气的排气口(26)。喷头(10)的气体分配空间(13)是以喷板(11)为底面的空间，且具有远离反应炉(20)的排气口(26)一侧的第一空间(131)、和靠近反应炉(20)的排气口(26)一侧的第二空间(132)。第一空间(131)形成得比第二空间(132)高。

公开(公告)号：CN102668034A

公开(公告)日：2012-09-12

申请号：CN201180005095.0

申请日：2011-03-29

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 坂上英和 ,  冈田俊范

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/52 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/67248 ,  C23C16/46 ,  C23C16/52

Abstract: 利用多个加热器对被加热物进行加热期间，为了实现不依赖于多个加热器电源特性偏差的加热控制系统，本发明的加热控制系统包括：检测出被加热物温度的热电偶（6M）、温度控制单元（3M）和温度控制单元（3S1）、检测出功率值（Wm）的电流/电压检测单元（5M）和检测出当前功率（PVs1）的电流/电压检测单元（5S1）、以及计算出目标功率（SPs1）的目标功率计算单元（1S1）。温度控制单元（3M）输入目标温度（SPm）和当前温度（PVm），并进行功率控制以使当前温度（PVm）与目标温度（SPm）相一致，目标功率计算单元（1S1）输入功率值（Wm），将功率值（Wm）和规定比率相乘以计算出目标功率（SPs1），温度控制单元（3S1）输入目标功率（SPs1）和当前功率（PVs1），并进行功率控制以使当前功率（PVs1）与目标功率（SPs1）相一致。