-
公开(公告)号：CN112714960B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN201880097494.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , G09G3/20 , H10K59/121 , H10K59/123
Abstract: 显示装置(1)具有包括驱动晶体管(2a)和开关晶体管(2b)的像素电路，驱动晶体管(2a)在基板(10)上层叠无机绝缘膜(20)、氧化物半导体层(50)、上部栅极绝缘层(60)、上部栅极电极(70)以及层间绝缘膜(80)而形成。驱动晶体管(2a)及开关晶体管(2b)由氧化物半导体层(50)形成，包括分别对应且呈岛状设置的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜具有与对应的上部栅极电极(70)重叠的沟道区域、将沟道区域夹在相互之间而设置的源极区域及漏极区域。驱动晶体管(2a)在无机绝缘膜(20)与氧化物半导体层(50)之间设置有下部栅极电极(30)和下部栅极绝缘层(40)。驱动晶体管(2a)的下部栅极电极(30)的长度为驱动晶体管(2a)的上部栅极电极(70)的长度以下。
-
公开(公告)号：CN109698218A
公开(公告)日：2019-04-30
申请号：CN201811224781.7
申请日：2018-10-19
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供能使要求特性不同的多个氧化物半导体TFT适当地混合存在于有机EL显示装置和有源矩阵基板的构成。有机EL显示装置具备基板和设置于各像素的像素电路。像素电路包括包含第1氧化物半导体层的第1氧化物半导体TFT和包含第2氧化物半导体层的第2氧化物半导体TFT。第1氧化物半导体TFT具有顶栅结构。第2氧化物半导体TFT具有底栅结构。第2氧化物半导体TFT具有屏蔽电极，上述屏蔽电极设置于在第2氧化物半导体层上形成的绝缘层上，与第2氧化物半导体层相对。
-
公开(公告)号：CN109494229A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811051186.8
申请日：2018-09-10
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L29/417 , G02F1/1362 , G02F1/1368
Abstract: 减小形成于有源矩阵基板的多路分配电路的TFT的尺寸。多路分配电路的各单位电路具有：至少n个TFT；以及n个分支配线，其连接到1个视频信号线，各TFT具有：氧化物半导体层；上部栅极电极，其隔着栅极绝缘层配置在氧化物半导体层上；以及第1电极和第2电极，还具备：第1层间绝缘层，其覆盖氧化物半导体层和上部栅极电极；以及第2层间绝缘层，其配置在第1层间绝缘层上，第1电极配置在第1层间绝缘层与第2层间绝缘层之间并且在形成于第1层间绝缘层的第1接触孔内与氧化物半导体层接触，第2电极配置在第2层间绝缘层上并且在形成于第1层间绝缘层和第2层间绝缘层的第2接触孔内与氧化物半导体层接触。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102918452A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180026425.4
申请日：2011-06-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1337 , C08G73/10
CPC classification number: G02F1/1337 , C08G73/10 , C08L79/08 , G02F1/133711 , G02F1/133788 , G02F2001/133726
Abstract: 本发明提供能够得到良好的取向状态且能够抑制AC影像残留的发生的液晶显示装置。本发明是具有在一对基板间夹持有含有液晶分子的液晶层的结构、在上述一对基板中的至少一个基板的液晶层侧具有取向膜的液晶显示装置，上述取向膜包含具有对上述液晶分子进行取向控制的特性的液晶取向聚合物，上述取向膜的表面侧链密度为2.0以上。
-
公开(公告)号：CN101418943B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200810179986.8
申请日：2008-06-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/13357 , F21V21/00 , F21V19/00 , F21V5/00 , F21V7/00 , F21V9/10 , F21Y101/02
CPC classification number: G02F1/133603 , G02B6/0018 , G02B6/0023 , G02B6/003 , G02B6/0068 , G02F2001/133607 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 该线状光源装置以及面状光源装置，在树脂密封层10的与基板4侧的相反侧的表面上，在相邻的发光元件5之间形成第一凹部。该线状光源装置以及面状光源装置，因为用树脂被覆发光元件，所以结构简单，而且出射端面的发光强度的面内均匀性高。
-
公开(公告)号：CN112714960A
公开(公告)日：2021-04-27
申请号：CN201880097494.6
申请日：2018-09-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L29/786 , G09F9/30 , G09G3/20 , H01L51/50
Abstract: 显示装置(1)具有包括驱动晶体管(2a)和开关晶体管(2b)的像素电路，驱动晶体管(2a)在基板(10)上层叠无机绝缘膜(20)、氧化物半导体层(50)、上部栅极绝缘层(60)、上部栅极电极(70)以及层间绝缘膜(80)而形成。驱动晶体管(2a)及开关晶体管(2b)由氧化物半导体层(50)形成，包括分别对应且呈岛状设置的氧化物半导体膜，氧化物半导体膜具有与对应的上部栅极电极(70)重叠的沟道区域、将沟道区域夹在相互之间而设置的源极区域及漏极区域。驱动晶体管(2a)在无机绝缘膜(20)与氧化物半导体层(50)之间设置有下部栅极电极(30)和下部栅极绝缘层(40)。驱动晶体管(2a)的下部栅极电极(30)的长度为驱动晶体管(2a)的上部栅极电极(70)的长度以下。
-
公开(公告)号：CN102918452B
公开(公告)日：2015-03-04
申请号：CN201180026425.4
申请日：2011-06-03
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G02F1/1337 , C08G73/10
CPC classification number: G02F1/1337 , C08G73/10 , C08L79/08 , G02F1/133711 , G02F1/133788 , G02F2001/133726
Abstract: 本发明提供能够得到良好的取向状态且能够抑制AC影像残留的发生的液晶显示装置。本发明是具有在一对基板间夹持有含有液晶分子的液晶层的结构、在上述一对基板中的至少一个基板的液晶层侧具有取向膜的液晶显示装置，上述取向膜包含具有对上述液晶分子进行取向控制的特性的液晶取向聚合物，上述取向膜的表面侧链密度为2.0以上。
-
公开(公告)号：CN101418943A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810179986.8
申请日：2008-06-12
Applicant: 夏普株式会社
IPC: F21V21/00 , F21V19/00 , F21V5/00 , F21V7/00 , F21V9/10 , G02F1/13357 , F21Y101/02
CPC classification number: G02F1/133603 , G02B6/0018 , G02B6/0023 , G02B6/003 , G02B6/0068 , G02F2001/133607 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 该线状光源装置以及面状光源装置，在树脂密封层10的与基板4侧的相反侧的表面上，在相邻的发光元件5之间形成第一凹部。该线状光源装置以及面状光源装置，因为用树脂被覆发光元件，所以结构简单，而且出射端面的发光强度的面内均匀性高。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.028 seconds)
