一种量子阱及量子点材料能带结构的调控方法

    公开(公告)号:CN113594297B

    公开(公告)日:2024-12-03

    申请号:CN202110849788.3

    申请日:2021-07-27

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明提供了一种量子阱及量子点材料能带结构的调控方法,包括以下步骤:步骤1,在衬底上使用真空沉积方法依次生长牺牲层、应力引入层以及量子结构薄膜功能层;步骤2,通过光刻刻蚀牺牲层的开口区域,使用湿法刻蚀或干法刻蚀将应力引入层和量子结构薄膜功能层刻蚀至牺牲层;步骤3,通过开口区域使用化学方法腐蚀部分牺牲层,释放应力引入层和量子结构薄膜功能层,经过预应力释放,应力引入层和量子结构薄膜功能层形成卷曲结构或褶皱结构;步骤4,使用超临界干燥方法,保存具有卷曲结构或褶皱结构的器件。其中,量子结构薄膜功能层为量子阱材料或量子点材料,步骤3中,通过不同的腐蚀参数获得不同的卷曲结构或褶皱结构。

    一种量子阱及量子点材料能带结构的调控方法

    公开(公告)号:CN113594297A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110849788.3

    申请日:2021-07-27

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明提供了一种量子阱及量子点材料能带结构的调控方法,包括以下步骤:步骤1,在衬底上使用真空沉积方法依次生长牺牲层、应力引入层以及量子结构薄膜功能层;步骤2,通过光刻刻蚀牺牲层的开口区域,使用湿法刻蚀或干法刻蚀将应力引入层和量子结构薄膜功能层刻蚀至牺牲层;步骤3,通过开口区域使用化学方法腐蚀部分牺牲层,释放应力引入层和量子结构薄膜功能层,经过预应力释放,应力引入层和量子结构薄膜功能层形成卷曲结构或褶皱结构;步骤4,使用超临界干燥方法,保存具有卷曲结构或褶皱结构的器件。其中,量子结构薄膜功能层为量子阱材料或量子点材料,步骤3中,通过不同的腐蚀参数获得不同的卷曲结构或褶皱结构。

    MS2型高熵金属硫化物的制备及其在二次电池中的应用

    公开(公告)号:CN118684280A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202410871459.2

    申请日:2024-07-01

    Applicant: 复旦大学

    Abstract: 本发明属于高熵金属硫化物制备技术领域,涉及一种MS2型高熵金属硫化物的制备及其在二次电池中的应用,MS2型高熵金属硫化物具有立方黄铁矿结构,金属元素选自Cr、Fe、Mn、Ni、Co、Zn、Cu、Al、Ga、In、Bi、Eu、Zr、Pb、Cd、Nb中的至少五种。制备方法包括:首先将金属盐、甘油、第一醇类化合物混合,进行溶剂热反应,之后与第二醇类化合物、硫源混合,再进行溶剂热反应,得到。与现有技术相比,本发明具有制备工艺简单可控,成本低廉,易重复,绿色环保等优点;同时所得产品具有规整的形貌、较大的熵值及优异的离子电子导电性的特点,经测试该材料在锂/钠离子电池中具有优异的电化学性能,在未来锂/钠离子电池中具有广阔的应用前景。

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