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公开(公告)号：CN100339629C
公开(公告)日：2007-09-26
申请号：CN200380101837.5
申请日：2003-10-15
IPC: F16K27/00
CPC classification number: F16K31/0655 , F16K27/003 , Y10T137/87885
Abstract: 提供一种携带气体没有紊流部分，使流到该携带气体内的工艺气体不扩散的集成气阀。集成气阀(1)构成如下：由致动器(31)使阀体(33)相对阀座(34)抵接或离开并进行阀孔(35)和阀室(36)的连通或遮断的开闭阀(30)，具有在途中与阀孔(35)分叉地贯通阀主体(12)而形成的第1流路(26)、以及从入口连通阀室并形成在阀主体(12)上的第2流路(29)，通过将多个这种开闭阀连设成一列，构成上述第1流路彼此直接或通过连接流路(27)串连连接成的主流路(23)，各个开闭阀的第2流路(29)通过阀室(36)和阀孔(35)而相对这种主流路(23)连接。
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公开(公告)号：CN1705843A
公开(公告)日：2005-12-07
申请号：CN200380101837.5
申请日：2003-10-15
IPC: F16K27/00
CPC classification number: F16K31/0655 , F16K27/003 , Y10T137/87885
Abstract: 提供一种携带气体没有紊流部分，使流到该携带气体内的工艺气体不扩散的集成气阀。集成气阀(1)构成如下：由致动器(31)使阀体(33)相对阀座(34)抵接·离开并进行阀孔(35)和阀室(36)的连通·遮断的开闭阀(30)，具有在途中与阀孔(35)分叉地贯通阀主体(12)而形成的第1流路(26)、以及从入口连通阀室并形成在阀主体(12)上的第2流路(29)，通过将多个这种开闭阀连设成一列，构成上述第1流路彼此直接或通过连接流路(27)串连连接成的主流路(23)，各个开闭阀的第2流路(29)通过阀室(36)和阀孔(35)而相对这种主流路(23)连接。
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公开(公告)号：CN101409231A
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200810179947.8
申请日：2008-05-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L2224/48465
Abstract: 在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1－100)面上生长具有(11－22)或(10－13)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法、一种半导体发光元件以及一种具有一个或多个半导体发光元件的电子器件。
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公开(公告)号：CN1822406A
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN200610008643.6
申请日：2006-02-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3235 , H01S5/343
Abstract: 提供了一种能够实现长寿命的半导体发光器件，一种制造该半导体发光器件的方法和一种使用该半导体发光器件的光模块。所述半导体发光器件具有有源层，其中层叠由Ga1－xInxNyAs1－y－zSbz混晶(0≤x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1，且0＜y+z＜1)制成的阱层和由GaNvAs1－v混晶(0≤v＜1)制成的势垒层。所述有源层中的氢的杂质浓度为3×1019cm－3或更小，且所述有源层中的铝的杂质浓度为1×1018cm－3或更小。因此，抑制了工作电流增大且能够实现长寿命。可以通过在生长有源层时减小被用作氮的原材料的有机氮化合物的流量来减小氢浓度。
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公开(公告)号：CN1316764C
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200410033394.7
申请日：2004-04-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H04B10/1149 , H04B10/116
Abstract: 一种光信息发送、照明设备(2)被安装在提供一个普遍使用的、现有类型照明设备以施加光的地方。该照明设备(2)包括用于施加光的照明光源(4)和用于发送光信息的信息发送单元(5)。可能接收来自该照明设备(2)的信息的用户具有移动终端(3)，该移动终端接收从该信息发送单元(5)发送的光信息。由于现有类型的照明设备在我们的生活空间中被普遍使用。因此，光信息发送、照明设备(2)可把使用现有类型照明设备的每个地方变换成光通信空间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101409231B
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN200810179947.8
申请日：2008-05-19
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H01L33/16 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L2224/48465
Abstract: 在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1-100)面上生长具有(11-22)或(10-13)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法、一种半导体发光元件以及一种具有一个或多个半导体发光元件的电子器件。
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公开(公告)号：CN101807522A
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN201010125298.0
申请日：2008-05-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/16
CPC classification number: H01L33/16 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L2224/48465
Abstract: 本发明公开半导体层生长方法及半导体发光元件制造方法。在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1-102)面上生长具有(11-20)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤，使得至少一个面向外，该面选自(11-22)面、(0001)面、(000-1)面、(33-62)面和(1-100)面。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法。
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公开(公告)号：CN1536786A
公开(公告)日：2004-10-13
申请号：CN200410033394.7
申请日：2004-04-07
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: H04B10/1149 , H04B10/116
Abstract: 一种光信息发送、照明设备2被安装在提供一个遍常使用的、现有类型照明设备以施加光的地方。该照明设备2包括用于施加光的照明光源4和用于发送光信息的信息发送单元5。可能接收来自该照明设备2的信息的用户具有移动终端3，该移动终端接收从该信息发送单元5发送的光信息。由于现有类型的照明设备在我们的生活空间中被普遍使用。因此，光信息发送、照明设备2可把使用现有类型照明设备的每个地方变换成光通信空间。
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公开(公告)号：CN101807522B
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201010125298.0
申请日：2008-05-19
Applicant: 索尼株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L33/16
CPC classification number: H01L33/16 , C30B25/02 , C30B25/18 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L33/007 , H01L2224/48465
Abstract: 本发明公开半导体层生长方法及半导体发光元件制造方法。在此公开一种生长半导体层的方法，该方法包括在六方晶体结构基板的(1-102)面上生长具有(11-20)面方位的六方晶体结构半导体层的步骤，使得至少一个面向外，该面选自(11-22)面、(0001)面、(000-1)面、(33-62)面和(1-100)面。本发明还涉及一种制造半导体发光元件的方法。
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公开(公告)号：CN100438104C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610008643.6
申请日：2006-02-20
Applicant: 索尼株式会社
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/22 , H01S5/3235 , H01S5/343
Abstract: 提供了一种能够实现长寿命的半导体发光器件，一种制造该半导体发光器件的方法和一种使用该半导体发光器件的光模块。所述半导体发光器件具有有源层，其中层叠由Ga1-xInxNyAs1-y-zSbz混晶(0≤x＜1，0＜y＜1，0≤z＜1，且0＜y+z＜1)制成的阱层和由GaNvAs1-v混晶(0≤v＜1)制成的势垒层。所述有源层中的氢的杂质浓度为3×1019cm-3或更小，且所述有源层中的铝的杂质浓度为1×1018cm-3或更小。因此，抑制了工作电流增大且能够实现长寿命。可以通过在生长有源层时减小被用作氮的原材料的有机氮化合物的流量来减小氢浓度。
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