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公开(公告)号:CN119662206A
公开(公告)日:2025-03-21
申请号:CN202411757379.0
申请日:2024-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: C09K3/00 , G21F1/02 , G21F1/10 , G21F1/08 , H01L23/552
Abstract: 本发明公开了一种Mxene/CNT/金属氧化物气凝胶封装加固材料及其制备方法和应用,属于电子器件抗辐射封装加固材料及其制备技术领域。本发明解决了现有电子器件抗辐射封装加固材料存在的屏蔽性能有限的问题。本发明采用MXene为基体,碳纳米管为结构增强体作为构建气凝胶基体材料,在其多孔结构和大表面积上修饰辐射屏蔽功能材料,采用PVA作为交联剂,以提升气凝胶的机械性能,最后通过冷冻干燥技术,制备出具有多功能且性能可调的MXene/CNT/金属氧化物气凝胶封装材料。相比于聚合物基复合材料,气凝胶骨架可以最大限度的提升功能颗粒的负载量,实现性能的提升,进而实现轻质高效抗辐射封装加固材料的设计与开发。
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公开(公告)号:CN118460049B
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202410684821.5
申请日:2024-05-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: C09D133/00 , C09D5/32
Abstract: 本发明公开了一种ALD改性耐紫外辐照有机白色热控涂层及其制备方法;属于热控材料技术领域。本发明通过在颜料表面ALD沉积二氧化钛、氧化锌等紫外吸收剂。随后,ALD改性的颜料与有机硅树脂、丙烯酸树脂等热控涂层常用粘结剂混匀,涂覆后固化,制备ALD改性耐紫外辐照有机热控涂层。本发明制备的ALD改性耐紫外辐照有机热控涂层经过5000ESH紫外辐照后,涂层的太阳吸收率仅退化Δαs=0.05,而较未改性的涂层(Δαs=0.10)有大大提升,从而避免有机粘结剂的紫外降解产生色心,从而提升了有机热控涂层的耐紫外辐照性能。
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公开(公告)号:CN118668178A
公开(公告)日:2024-09-20
申请号:CN202410684797.5
申请日:2024-05-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: C23C16/40 , C09D5/33 , C09D4/02 , C09D7/61 , C09D5/24 , C09D7/62 , C09D183/04 , C09D1/04 , C09C1/00 , C09C3/06
Abstract: 本发明公开了一种AZO改性的二氧化锆防静电颜料和低太阳吸收率防静电热控涂层及其制备方法;属于热控材料制备技术领域。本发明解决了现有航天器用涂料型热控涂层空间环境带电粒子辐照稳定性等问题。本发明的涂层由双层结构组成;底漆为高反射型二氧化锆基热控涂层,面漆为防静电AZO改性二氧化锆基热控涂层。本发明的热控涂层外观为白色,涂层厚度为100‑200μm、太阳吸收率为0.06‑0.15,半球发射率为0.88‑0.92、总质损TML
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公开(公告)号:CN118460049A
公开(公告)日:2024-08-09
申请号:CN202410684821.5
申请日:2024-05-30
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: C09D133/00 , C09D5/32
Abstract: 本发明公开了一种ALD改性耐紫外辐照有机白色热控涂层及其制备方法;属于热控材料技术领域。本发明通过在颜料表面ALD沉积二氧化钛、氧化锌等紫外吸收剂。随后,ALD改性的颜料与有机硅树脂、丙烯酸树脂等热控涂层常用粘结剂混匀,涂覆后固化,制备ALD改性耐紫外辐照有机热控涂层。本发明制备的ALD改性耐紫外辐照有机热控涂层经过5000ESH紫外辐照后,涂层的太阳吸收率仅退化Δαs=0.05,而较未改性的涂层(Δαs=0.10)有大大提升,从而避免有机粘结剂的紫外降解产生色心,从而提升了有机热控涂层的耐紫外辐照性能。
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公开(公告)号:CN116516286B
公开(公告)日:2024-02-09
申请号:CN202310413251.1
申请日:2023-04-18
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
Abstract: 本发明公开了一种屏蔽高能电子的高熵陶瓷氮化物防护涂层及其制备方法,属于防辐射技术领域。本发明是利用不同元素高熵陶瓷氮化物中可形成固溶体,实现元素在材料中的均匀分布,充分考虑各元素在屏蔽过程中的协同作用,保持材料在屏蔽过程中的稳定性,在实现对高能电子有效屏蔽的同时尽量避免韧致辐射的产生。本发明是以铝、锆、钽、钛、铬、铜、钨、铁粉末中的5种为原料制得高熵合金靶材,然后以氩气作为工作气体、氮气为反应气体使用磁控溅射技术将高熵合金靶材溅射在金属基底上形成的。本发明适用于航天器的实际任务环境,可用于深空探测等领域。
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公开(公告)号:CN116516337B
公开(公告)日:2024-01-05
申请号:CN202310413245.6
申请日:2023-04-18
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: C23C24/10
Abstract: 本发明公开了一种屏蔽高能电子与高能质子的高熵碳化物防护涂层及其制备方法,属于特种功能涂层制备领域。本发明通过利用灵活调变高熵陶瓷碳化物的种类,使同一材料中既包含对电子高屏蔽能力的高原子序数元素(Ta、W、Hf),又包含高效屏蔽质子的低原子序数组分,利用多元素配合,从而实现空间辐射环境高效屏蔽。本发明以碳化钽、碳化钨、碳化铪、碳化锆、碳化铌、碳化钼、碳化钛、碳化钒、碳化镉粉末中的5种为原料,具体方法如下:称取原料后球磨,球料分离后干燥;然后铺垫在合金基底上,惰性气体保护下激光熔覆,常温环境下冷却。本发明的高熵碳化物的密度大、稳定性强、力学性能及抗辐射性能优异,适合在极端条件(热真空/高低温)下使用。
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公开(公告)号:CN116655378A
公开(公告)日:2023-08-29
申请号:CN202310413571.7
申请日:2023-04-18
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: C04B35/495 , C04B35/462 , C04B35/42 , C04B35/622 , C04B35/64
Abstract: 本发明公开了一种用于木星环境辐射屏蔽的高熵陶瓷钽酸盐材料的制备方法,属于防辐射技术领域。本发明屏蔽木星环境中主要的高能带电粒子(质子和电子),减少穿过材料的剩余粒子。本发明方法的步骤如下:称取氧化钆、氧化铒、氧化镧、氧化铕、氧化铬、氧化钒、氧化钛粉末中的五种和氧化钽粉末,混合后球磨,待球磨结束后球料分离,干燥,得到氧化物粉末;向氧化物粉末中滴加聚乙烯醇,研磨均匀,过筛,压片;高温烧结,冷却至室温,得到所述的高熵陶瓷钽酸盐材料。本发明长期处于辐照环境下仍然保持较好的稳定性,具有优异的抗辐射性能。
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公开(公告)号:CN115231571B
公开(公告)日:2023-05-23
申请号:CN202210852474.3
申请日:2022-07-20
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
IPC: C01B32/921 , C01F17/10 , C01F17/224 , C01G29/00
Abstract: 本发明公开了一种屏蔽中子和γ射线的Mxene‑金属/稀土氧化物‑硼化物复合材料及其制备方法,属于辐射防护材料技术领域。本发明要解决现有材料对屏蔽中子和γ射线存在屏蔽较差的技术问题。本发明通过原子层沉积(ALD)工艺在Mxene表面制备一层钝化层,以提升Mxene的抗氧化性,然后利用一步溶剂热法,对Mxene层间进行修饰生长高Z金属氧化物和稀土金属氧化物;最后通过静电引力与Mxene‑金属氧化物杂化体进行自组装,利用含硼化合物对Mxene杂化体进行包覆,从而进行表面修饰,制备出具有中子、γ射线屏蔽能力的Mxene‑金属/稀土氧化物‑硼化物复合材料。本发明实现中子和γ射线的双重屏蔽,具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN115838889A
公开(公告)日:2023-03-24
申请号:CN202211556936.3
申请日:2022-12-06
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
Abstract: 本发明公开了一种四元高熵合金粉末及其制备方法,属于高熵合金粉末冶金的技术领域。本发明提供一种包含FeCrAlTi的高比强度过渡金属四元高熵合金,利用第四周期过渡金属质量较低的特性,以及Ti元素,来调控高熵合金的硬度以及比强度,制备获得具有低,密度、高硬度以及高比强度的四元高熵合金粉末。并且利用高能球磨的高动能冲击以及Fe‑Cr合金的晶格包容性,将Ti和Al元素固溶在BCC晶格中,形成均匀分散的高熵合金粉末。
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公开(公告)号:CN119553229A
公开(公告)日:2025-03-04
申请号:CN202411757380.3
申请日:2024-12-03
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨工业大学重庆研究院
Abstract: 本发明公开了一种基于高熵合金的多谱段兼容隐身涂层及其制备方法,属于功能性高熵合金涂层及其制备技术领域。本发明解决了现有隐身涂层存在的在宽光谱范围内实现的可见光和红外隐身效果差的问题。本发明利用磁控溅射技术制备高熵合金薄膜,通过元素的科学筛选和优化组合,并通过调控磁控溅射参数实现材料成分和结构的高效定制,从而获得均匀、致密且性能优异的高熵合金薄膜。测试结果表明该高熵合金涂层可见光波段吸收率约为0.95,在红外波段发射率约为0.05左右,实现了可见光和红外光谱范围的多谱段兼容隐身。
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