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公开(公告)号:CN103305911B
公开(公告)日:2015-08-05
申请号:CN201310196038.6
申请日:2013-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,其工艺特点是:真空条件下水平定向凝固结晶生长Re:YAP激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点,使得制备的Re:YAP激光晶体具有质量更高,尺寸更大,利用率更高,缺陷密度低,激光性能更好,无掺杂离子核心、成本低及耗能少等优点。
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公开(公告)号:CN103305911A
公开(公告)日:2013-09-18
申请号:CN201310196038.6
申请日:2013-05-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及一种大尺寸Re:YAP系列激光晶体水平定向凝固制备方法,其工艺特点是:真空条件下水平定向凝固结晶生长Re:YAP激光晶体。其具体的生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法生长晶体的优点,使得制备的Re:YAP激光晶体具有质量更高,尺寸更大,利用率更高,缺陷密度低,激光性能更好,无掺杂离子核心、成本低及耗能少等优点。
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公开(公告)号:CN103194791A
公开(公告)日:2013-07-10
申请号:CN201310143495.9
申请日:2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及大尺寸板状蓝宝石单晶生长方法,具体为一种大尺寸板状蓝宝石单晶体的水平定向区熔结晶制备方法。其工艺特点是:采用舟形钼坩埚,真空条件下水平区熔结晶生长;熔体自由表面百分比大,原料与坩埚体同时运动,无强制对流。其生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法的优点,使得制备的蓝宝石晶体具有质量更高,材料利用率更高,缺陷密度低,光学性能好等优点,且根据坩埚的形状更合适异形蓝宝石单晶体的生长。
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公开(公告)号:CN103194791B
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201310143495.9
申请日:2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本文发明涉及大尺寸板状蓝宝石单晶生长方法,具体为一种大尺寸板状蓝宝石单晶体的水平定向区熔结晶制备方法。其工艺特点是:采用舟形钼坩埚,真空条件下水平区熔结晶生长;熔体自由表面百分比大,原料与坩埚体同时运动,无强制对流。其生长过程包括化料、引晶、放肩、等宽生长、冷却及其退火六大过程。本发明结合定向结晶法和垂直区熔法的优点,使得制备的蓝宝石晶体具有质量更高,材料利用率更高,缺陷密度低,光学性能好等优点,且根据坩埚的形状更合适异形蓝宝石单晶体的生长。
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公开(公告)号:CN101913865B
公开(公告)日:2012-08-29
申请号:CN201010266908.9
申请日:2010-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
Abstract: 本发明一种制备织构化锆钛酸铅陶瓷的方法,是一种具有 方向的高度织构化的PZT压电陶瓷制备方法。以碳酸锶和二氧化钛为原料,用两步熔盐法制备出具有片状微观结构的钛酸锶模板。将模板加入到PZT粉体中,流延,压片,烧结得到较高织构化及压电系数和机电耦合系数的PZT块体材料。PZT陶瓷中加入微观有向排布的钛酸锶模板,并使用流延的方法使模板在PZT陶瓷中具有方向性,使PZT陶瓷沿模板方向有向生长,因而具有近似单晶结构的高度织构化的结构。这种压电陶瓷的取向度更高,压电性能同一般的PZT在压电常数及压电耦合洗漱等方面有很大改进。
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公开(公告)号:CN101913865A
公开(公告)日:2010-12-15
申请号:CN201010266908.9
申请日:2010-08-31
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/491 , C04B35/622
Abstract: 本发明一种制备织构化锆钛酸铅陶瓷的方法,是一种具有 方向的高度织构化的PZT压电陶瓷制备方法。以碳酸锶和二氧化钛为原料,用两步熔盐法制备出具有片状微观结构的钛酸锶模板。将模板加入到PZT粉体中,流延,压片,烧结得到较高织构化及压电系数和机电耦合系数的PZT块体材料。PZT陶瓷中加入微观有向排布的钛酸锶模板,并使用流延的方法使模板在PZT陶瓷中具有方向性,使PZT陶瓷沿模板方向有向生长,因而具有近似单晶结构的高度织构化的结构。这种压电陶瓷的取向度更高,压电性能同一般的PZT在压电常数及压电耦合洗漱等方面有很大改进。
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