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公开(公告)号：CN104861972A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510316528.4
申请日：2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/69
Abstract: 一种Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料，它涉及一种上转换发光材料。本发明的目的是要解决现有太阳能电池不能利用红外光，导致太阳能电池的转换率低的问题。方法：将Er2O3和Yb2O3加入到质量分数为65％～68％的硝酸中，再加入V2O5和草酸，再进行水热反应，得到干燥后的反应物；再将干燥后的反应物进行煅烧，得到Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料。五、本发明制备的Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料为纳米片，且片的厚度为20nm～50nm，是一种纳米材料。本发明可获得一种Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料。
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公开(公告)号：CN104861965A
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201510316527.X
申请日：2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/62
Abstract: 一种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的制备方法，它涉及一种GZO纳米荧光材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有上转换蓝光基质材料的波段分布较宽，颗粒尺寸较大，不利于其在医学、生物以及雷达等方面应用的问题。制备方法：将NaOH溶液和Zn(NO3)3溶液混合，再滴加Ga(NO3)3溶液，再加入氧化镱硝酸溶液和氧化铥硝酸溶液，再进行水热反应，得到窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料分布波段较窄，得到了窄波段的上转换蓝光；本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的尺寸在40nm～50nm，形貌为纳米棒。本发明可获得种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。
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公开(公告)号：CN109099104A
公开(公告)日：2018-12-28
申请号：CN201811210033.3
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种水冷控温流体阻尼器，属于阻尼器散热技术领域，解决了目前的流体阻尼器存在的问题，它包含流体阻尼器本体，流体阻尼器本体包含缸筒、活塞头、活塞杆、密封体和端盖，活塞头设置在缸筒内，在活塞头的两侧均设置有活塞杆，活塞头两侧的活塞杆与缸筒之间均设置有密封体，缸筒的两端均通过端盖来封堵；贴两个密封体的端面均设置有水冷管，用于吸收密封体积累的热量，在两个端盖内均设置有水冷腔，贴水冷腔的侧壁也设置有水冷管，用于吸收缸筒两端积累的热量；端盖与缸筒以螺纹方式连接，并在端盖上设置有锁紧螺母；在每个端盖上设置有两个水冷出入口，水冷管的两端由水冷出入口伸出连接循环水泵；本发明用于建筑物减振。
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公开(公告)号：CN109058359A
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201811210999.7
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F16F9/42
Abstract: 一种相变控温流体阻尼器，属于阻尼器散热技术领域，解决了目前的流体阻尼器存在的问题，它包含流体阻尼器本体，流体阻尼器本体包含缸筒、活塞头、活塞杆、密封体和端盖，活塞头设置在缸筒内，在活塞头的两侧均设置有活塞杆，活塞头两侧的活塞杆与缸筒之间均设置有密封体，缸筒的两端均通过端盖来封堵，端盖与缸筒以螺纹方式连接，并在端盖上设置有锁紧螺母；在每个端盖内设置有储料腔，每个端盖的储料腔的对应密封体的一侧开放，在储料腔内灌注相变储能材料，端盖与缸筒密封连接，避免液相状态泄漏；本发明用于建筑物减振。
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公开(公告)号：CN104861972B
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201510316528.4
申请日：2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/69
Abstract: 一种Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料，它涉及一种上转换发光材料。本发明的目的是要解决现有太阳能电池不能利用红外光，导致太阳能电池的转换率低的问题。方法：将Er2O3和Yb2O3加入到质量分数为65％～68％的硝酸中，再加入V2O5和草酸，再进行水热反应，得到干燥后的反应物；再将干燥后的反应物进行煅烧，得到Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料。五、本发明制备的Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料为纳米片，且片的厚度为20nm～50nm，是一种纳米材料。本发明可获得一种Er3+和Yb3+双掺的VO2上转换发光材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109099104B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811210033.3
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种水冷控温流体阻尼器，属于阻尼器散热技术领域，解决了目前的流体阻尼器存在的问题，它包含流体阻尼器本体，流体阻尼器本体包含缸筒、活塞头、活塞杆、密封体和端盖，活塞头设置在缸筒内，在活塞头的两侧均设置有活塞杆，活塞头两侧的活塞杆与缸筒之间均设置有密封体，缸筒的两端均通过端盖来封堵；贴两个密封体的端面均设置有水冷管，用于吸收密封体积累的热量，在两个端盖内均设置有水冷腔，贴水冷腔的侧壁也设置有水冷管，用于吸收缸筒两端积累的热量；端盖与缸筒以螺纹方式连接，并在端盖上设置有锁紧螺母；在每个端盖上设置有两个水冷出入口，水冷管的两端由水冷出入口伸出连接循环水泵；本发明用于建筑物减振。
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公开(公告)号：CN104861965B
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201510316527.X
申请日：2015-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/62
Abstract: 一种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的制备方法，它涉及一种GZO纳米荧光材料的制备方法。本发明的目的是要解决现有上转换蓝光基质材料的波段分布较宽，颗粒尺寸较大，不利于其在医学、生物以及雷达等方面应用的问题。制备方法：将NaOH溶液和Zn(NO3)3溶液混合，再滴加Ga(NO3)3溶液，再加入氧化镱硝酸溶液和氧化铥硝酸溶液，再进行水热反应，得到窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料分布波段较窄，得到了窄波段的上转换蓝光；本发明制备的窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料的尺寸在40nm～50nm，形貌为纳米棒。本发明可获得种窄波段镱铥双掺GZO纳米荧光材料。
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公开(公告)号：CN105001863A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510377176.3
申请日：2015-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/69
Abstract: 一种合成具有低相变温度的VO2(M)的方法，它涉及一种合成VO2(M)的方法。本发明的目的是要解决现有VO2(M)的相变温度高和不能实现上转换发光的问题。方法：一、制备混合溶液A；二、制备蓝黑色混合溶液；三、制备干燥后的反应物；四、将干燥后的反应物置于管式炉中，再在氮气气氛和烧结温度为550℃～600℃下烧结1h～2h，得到具有低相变温度的VO2(M)。本发明通过掺杂Er3+和Yb3+，VO2(M)的相变温度降低了35％～45％；本发明得到的降低相变温度后的VO2在980nm激光的激发下，能够将红外光转化为绿光，且强度很强。本发明可获得一种合成具有低相变温度的VO2(M)的方法。
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公开(公告)号：CN109058359B
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201811210999.7
申请日：2018-10-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: F16F9/42
Abstract: 一种相变控温流体阻尼器，属于阻尼器散热技术领域，解决了目前的流体阻尼器存在的问题，它包含流体阻尼器本体，流体阻尼器本体包含缸筒、活塞头、活塞杆、密封体和端盖，活塞头设置在缸筒内，在活塞头的两侧均设置有活塞杆，活塞头两侧的活塞杆与缸筒之间均设置有密封体，缸筒的两端均通过端盖来封堵，端盖与缸筒以螺纹方式连接，并在端盖上设置有锁紧螺母；在每个端盖内设置有储料腔，每个端盖的储料腔的对应密封体的一侧开放，在储料腔内灌注相变储能材料，端盖与缸筒密封连接，避免液相状态泄漏；本发明用于建筑物减振。
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公开(公告)号：CN105001863B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510377176.3
申请日：2015-07-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C09K11/69
Abstract: 一种合成具有低相变温度的单斜结构VO2的方法，它涉及一种合成单斜结构VO2的方法。本发明的目的是要解决现有单斜结构VO2的相变温度高和不能实现上转换发光的问题。方法：一、制备混合溶液A；二、制备蓝黑色混合溶液；三、制备干燥后的反应物；四、将干燥后的反应物置于管式炉中，再在氮气气氛和烧结温度为550℃～600℃下烧结1h～2h，得到具有低相变温度的单斜结构VO2。本发明通过掺杂Er3+和Yb3+，VO2(M)的相变温度降低了35％～45％；本发明得到的降低相变温度后的VO2在980nm激光的激发下，能够将红外光转化为绿光，且强度很强。本发明可获得一种合成具有低相变温度的单斜结构VO2的方法。
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