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公开(公告)号：CN109179313A
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：CN201811002922.0
申请日：2018-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于AFM的微纳流控芯片制备方法，所述方法步骤如下：一、基于原子力显微镜的纳沟槽加工：应用AFM探针在金属样品表面进行纳米沟槽的加工；二、光刻法微沟槽加工：采用光刻法在单晶硅基底上进行微沟槽的加工；三、PDMS微纳沟槽转印：通过PMDS两次转印得到分别带有微、纳沟槽的PDMS单片；四、PDMS片键合：采用氧等离子体清洗机对具有微、纳沟槽的PDMS单片进行键合，得到所需结构的微纳流控芯片。本发明主要基于AFM的刻划加工，由于AFM刻划加工操作简便且效率高，所以采用本方法制备微纳流控芯片更高效。本发明的方法制备流程相对简单，使用材料为PDMS、单晶铜片等，成本相对较低。
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公开(公告)号：CN119997795A
公开(公告)日：2025-05-13
申请号：CN202510049472.4
申请日：2025-01-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于纳米铣削加工阵列纳通道结构的纳流体忆阻器制备方法，属于忆阻器制备技术领域。所述方法为：上层微通道采用紫外光刻技术制备；下层微通道为通过紫外光刻在硅片表面制备柔性掩膜版，非曝光区域的光刻胶溶解脱落，暴露出硅基底，在硅基底加工得到微通道结构，将光刻胶全部去除后，得带有微通道的硅基底；纳米铣削加工由原子力显微镜系统及二维压电陶瓷促动器实现；将带有凸微通道的硅片作为模板进行转印后，得带有微通道的PDMS片；将带有纳通道阵列的硅片作为模板进行二次转印得带有纳米通道和微米通道的PDMS片；将两个PDMS片通过氧等离子体处理的方式进行键合。本发明方法流程简单、快速高效、结构稳定、一致性好且可大量复制、生物兼容性好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119861118A
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510016920.0
申请日：2025-01-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用纳米线阵列制备的可寻址纳米电极及其方法，属于纳米电极技术领域。基底上有纳米线阵列、金属引线、金属垫及铜丝，纳米线阵列与基底平齐，纳米线阵列与金属引线连接，金属引线与金属垫连接，金属垫与铜丝连接，铜丝伸出至基底外侧；纳米线阵列、金属引线、金属垫及铜丝上有树脂层。方法如下：基底制备；纳米线阵列加工；金属引线及金属垫加工；可寻址纳米电极加工；电化学性能测试。本发明可以重复高效地制备具有高一致性的纳米线阵列，加工的纳米线阵列具有超长尺寸且尺寸间距可控，较易转移和定位，便于后续封装。简单、高效、低成本制备可寻址纳米电极，实现可寻址纳米电极多领域应用。
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公开(公告)号：CN114411152A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210023523.2
申请日：2022-01-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于AFM纳米铣削及化学腐蚀加工的表面增强拉曼基底制备方法，所述方法包括如下步骤：步骤（1）采用磁控溅射法在基底表面依次制备金膜、银膜和金膜；步骤（2）基于AFM的纳米铣削加工系统，在金‑银‑金复合膜表面纳米铣削加工周期纳米结构；步骤（3）将纳米铣削加工得到的周期纳米结构放入浓硝酸中，对周期纳米结构边缘裸露的银层进行化学腐蚀，从而制备得到中空的纳米腔；步骤（4）以化学腐蚀后的带有纳米腔的复合膜周期阵列结构作为拉曼增强基底。该方法可以快速高效的制备结构特征尺寸可控、等离子体共振可调、一致性好的拉曼增强基底。
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公开(公告)号：CN109179313B
公开(公告)日：2020-08-28
申请号：CN201811002922.0
申请日：2018-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于AFM的微纳流控芯片制备方法，所述方法步骤如下：一、基于原子力显微镜的纳沟槽加工：应用AFM探针在金属样品表面进行纳米沟槽的加工；二、光刻法微沟槽加工：采用光刻法在单晶硅基底上进行微沟槽的加工；三、PDMS微纳沟槽转印：通过PMDS两次转印得到分别带有微、纳沟槽的PDMS单片；四、PDMS片键合：采用氧等离子体清洗机对具有微、纳沟槽的PDMS单片进行键合，得到所需结构的微纳流控芯片。本发明主要基于AFM的刻划加工，由于AFM刻划加工操作简便且效率高，所以采用本方法制备微纳流控芯片更高效。本发明的方法制备流程相对简单，使用材料为PDMS、单晶铜片等，成本相对较低。
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公开(公告)号：CN114411152B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202210023523.2
申请日：2022-01-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于AFM纳米铣削及化学腐蚀加工的表面增强拉曼基底制备方法，所述方法包括如下步骤：步骤（1）采用磁控溅射法在基底表面依次制备金膜、银膜和金膜；步骤（2）基于AFM的纳米铣削加工系统，在金‑银‑金复合膜表面纳米铣削加工周期纳米结构；步骤（3）将纳米铣削加工得到的周期纳米结构放入浓硝酸中，对周期纳米结构边缘裸露的银层进行化学腐蚀，从而制备得到中空的纳米腔；步骤（4）以化学腐蚀后的带有纳米腔的复合膜周期阵列结构作为拉曼增强基底。该方法可以快速高效的制备结构特征尺寸可控、等离子体共振可调、一致性好的拉曼增强基底。
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公开(公告)号：CN110316697A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910625403.8
申请日：2019-07-11
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种基于AFM加工的表面增强拉曼基底的制备方法，属于拉曼基底制备技术领域。所述方法如下：聚碳酸酯表面纳米点阵结构加工：使用AFM在聚碳酸酯表面进行扫描加工纳米点阵结构；所述聚碳酸酯的厚度为1mm；结构转印：利用PDMS对加工得到的聚碳酸酯表面纳米点阵结构进行转印；结构镀金：在转印后的PDMS表面通过电子束镀膜设备进行镀膜，通过控制镀膜时间和束流大小将镀膜厚度控制在10～30nm。本发明的优点为：表明增强拉曼基底制备流程简单、快速高效，制备的基底结构稳定、一致性好，通过设置AFM扫描加工时所施加的法向载荷可以改变基底的结构尺寸，并且应用PDMS可大量复制基底结构。
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