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公开(公告)号：CN103663556A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310676420.7
申请日：2013-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种A相二氧化钒纳米线的制备方法，由于表面活性剂的加入使中间相B可以快速的转变为A相二氧化钒，并形成形貌、长径比优异的A相二氧化钒纳米线，所制得的A相二氧化钒纳米线非常纯而且非常稳定的。该制备方法采用的原料简单，操作方便，容易控制，产物结晶好，所得纳米线可以广泛用于电池、储氢和光电开关等领域。
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公开(公告)号：CN104762605A
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201510178232.0
申请日：2015-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法，包括：选择VO2靶材，纯度为99.5％至99.99％，放置于可抽真空腔体中；控制腔体本底真空度、氧压大小、沉积温度、退火温度、退火时间、激光功率、激光频率、激光脉冲数和基底。本发明采用脉冲激光沉积技术，以二氧化钒靶材为溅射材料，原料简单，溅射在O2氛围中进行，不论是反应的原料还是反应过程都无毒害，环境友好。生长方法简单易操作，生长VO2(M)纳米线所需温度低，并且可以在非常短的时间内得到大量形貌、结构和长径比优异的纳米线。所得材料可以广泛应用于电阻开关、电池材料、热敏元器件、化学传感器等等。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106252509B
公开(公告)日：2019-06-18
申请号：CN201610836256.5
申请日：2016-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明提供了一种基于有机铁电P(VDF‑TrFE)薄膜的电阻开关存储器。所述电阻开关存储器包括：衬底、衬底上的阻变介质层以及阻变介质层上的电极膜；其中，阻变介质层为P(VDF‑TrFE)薄膜。本发明还提供了一种制备所述电阻开关存储器的方法，通过控制溶胶凝胶配制、甩膜速度和退火条件，可以得到性能优异的电阻开关薄膜。本发明所涉及的主要生长条件为：溶剂的选用、搅拌速度和温度、静置时间、甩膜速率、基底、退火时间和条件。本发明相比于常见的电阻开关最大的特点是阻变大、循环和疲劳性能优异。制备P(VDF‑TrFE)薄膜所需的原料简单，操作方便，容易控制，产物结晶好，制备温度低，无毒且环境友好，适合大规模生产，所得薄膜可被广泛用于电子器件，尤其是电阻开关存储。
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公开(公告)号：CN106252509A
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：CN201610836256.5
申请日：2016-09-20
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/14 , H01L45/1608
Abstract: 本发明提供了一种基于有机铁电P(VDF-TrFE)薄膜的电阻开关存储器。所述电阻开关存储器包括：衬底、衬底上的阻变介质层以及阻变介质层上的电极膜；其中，阻变介质层为P(VDF-TrFE) 薄膜。本发明还提供了一种制备所述电阻开关存储器的方法，通过控制溶胶凝胶配制、甩膜速度和退火条件，可以得到性能优异的电阻开关薄膜。本发明所涉及的主要生长条件为：溶剂的选用、搅拌速度和温度、静置时间、甩膜速率、基底、退火时间和条件。本发明相比于常见的电阻开关最大的特点是阻变大、循环和疲劳性能优异。制备P(VDF-TrFE)薄膜所需的原料简单，操作方便，容易控制，产物结晶好，制备温度低，无毒且环境友好，适合大规模生产，所得薄膜可被广泛用于电子器件，尤其是电阻开关存储。
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公开(公告)号：CN115655926A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211404626.X
申请日：2022-11-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N3/24 , G01N3/06 , G01N23/2251 , G01N23/20091 , G01N23/203
Abstract: 一种电镀Ni晶圆级封装SnAg/Cu焊点高温失效模型及其分析构建方法和应用。本发明属于电子封装领域。本发明的目的是为了解决现有基于电镀Ni晶圆级封装SnAg/Cu焊点的可靠性影响机理不明确的技术问题。方法：步骤1：制备焊点；步骤2：将焊点高温下存储0‑1000h；步骤3：使用晶圆级凸点推球实验分别对存储了不同时间的焊点进行破坏实验；步骤4：记录焊点的剪切强度，同时在扫描电子显微镜下观察断口形貌，并测量IMC层厚度，再结合EDS和背散射电子衍射分析。本方法通过SEM、EDS、EBSD和焊点的力学性能相结合的方式，对焊点的微观晶粒生长机制进行了揭示。
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公开(公告)号：CN104762605B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510178232.0
申请日：2015-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种使用脉冲激光沉积技术快速生长大量M相二氧化钒纳米线的方法，包括：选择VO2靶材，纯度为99.5％至99.99％，放置于可抽真空腔体中；控制腔体本底真空度、氧压大小、沉积温度、退火温度、退火时间、激光功率、激光频率、激光脉冲数和基底。本发明采用脉冲激光沉积技术，以二氧化钒靶材为溅射材料，原料简单，溅射在O2氛围中进行，不论是反应的原料还是反应过程都无毒害，环境友好。生长方法简单易操作，生长VO2(M)纳米线所需温度低，并且可以在非常短的时间内得到大量形貌、结构和长径比优异的纳米线。所得材料可以广泛应用于电阻开关、电池材料、热敏元器件、化学传感器等等。
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公开(公告)号：CN103663556B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201310676420.7
申请日：2013-12-11
Applicant: 哈尔滨工业大学深圳研究生院
Abstract: 本发明提供了一种A相二氧化钒纳米线的制备方法，由于表面活性剂的加入使中间相B可以快速的转变为A相二氧化钒，并形成形貌、长径比优异的A相二氧化钒纳米线，所制得的A相二氧化钒纳米线非常纯而且非常稳定的。该制备方法采用的原料简单，操作方便，容易控制，产物结晶好，所得纳米线可以广泛用于电池、储氢和光电开关等领域。
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