-
公开(公告)号：CN103183344A
公开(公告)日：2013-07-03
申请号：CN201310146491.6
申请日：2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种低温高效制备大尺寸石墨烯的方法，它涉及制备石墨烯的方法。它为了解决传统CVD方法制备石墨烯中存在的制备温度高，制备时间长，且成本较高的问题。方法：一、将金属基底放入等离子体增强化学气相沉积设备，抽真空通H2，升温后保温退火处理；二、继续通入Ar和CH4气体，进行沉积；三、沉积结束后，关闭射频电源和加热电源，停止通入CH4气体，以Ar和H2为保护气体，快速冷却到室温，冷却的速率为10℃/s，在金属基底表面均匀生长出石墨烯，即完成。本发明在极短时间内即可完成石墨烯的生长，实现了石墨烯材料的低温高效制备，方法简单，高效，低成本，便于工业化生产，制备出的石墨烯尺寸大，质量高，表面均一。
-
公开(公告)号：CN103183344B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201310146491.6
申请日：2013-04-24
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/04
Abstract: 一种低温高效制备大尺寸石墨烯的方法，它涉及制备石墨烯的方法。它为了解决传统CVD方法制备石墨烯中存在的制备温度高，制备时间长，且成本较高的问题。方法：一、将金属基底放入等离子体增强化学气相沉积设备，抽真空通H2，升温后保温退火处理；二、继续通入Ar和CH4气体，进行沉积；三、沉积结束后，关闭射频电源和加热电源，停止通入CH4气体，以Ar和H2为保护气体，快速冷却到室温，冷却的速率为10℃/s，在金属基底表面均匀生长出石墨烯，即完成。本发明在极短时间内即可完成石墨烯的生长，实现了石墨烯材料的低温高效制备，方法简单，高效，低成本，便于工业化生产，制备出的石墨烯尺寸大，质量高，表面均一。
-
公开(公告)号：CN103194795A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310147768.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种低成本制备大尺寸单晶石墨烯的方法，涉及单晶石墨烯的制备方法。本发明是要解决CVD方法制备大尺寸单晶石墨烯材料中常用单晶基底表面处理工序复杂，难以重复利用以及价格昂贵的技术问题。本发明的方法为：一、在单晶云母基底上蒸镀单晶金属薄膜；二、将步骤一获得的单晶金属薄膜放入化学气相沉积设备中，抽真空通入H2、Ar，升温进行热处理；三、继续通入CH4气体，进行沉积；四、关闭加热电源，停止通入CH4气体，以Ar和H2为保护气体，快速冷却到室温，在单晶金属基底表面均匀生长出高质量单晶石墨烯，即完成。本发明制备的单晶石墨烯尺寸大，质量高，缺陷少。本发明应用于单晶石墨烯材料制造领域。
-
公开(公告)号：CN103194795B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310147768.7
申请日：2013-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种低成本制备大尺寸单晶石墨烯的方法，涉及单晶石墨烯的制备方法。本发明是要解决CVD方法制备大尺寸单晶石墨烯材料中常用单晶基底表面处理工序复杂，难以重复利用以及价格昂贵的技术问题。本发明的方法为：一、在单晶云母基底上蒸镀单晶金属薄膜；二、将步骤一获得的单晶金属薄膜放入化学气相沉积设备中，抽真空通入H2、Ar，升温进行热处理；三、继续通入CH4气体，进行沉积；四、关闭加热电源，停止通入CH4气体，以Ar和H2为保护气体，快速冷却到室温，在单晶金属基底表面均匀生长出高质量单晶石墨烯，即完成。本发明制备的单晶石墨烯尺寸大，质量高，缺陷少。本发明应用于单晶石墨烯材料制造领域。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.027 seconds)
