公开(公告)号：CN116265625A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211455347.6

申请日：2022-11-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平安 ,  张欣 ,  苏震 ,  田雨晴 ,  杨红影 ,  杜星颖 ,  刘俊磊

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 一种高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜及其可控制备方法和应用。本发明属于二维薄膜材料领域。本发明的目的是为了解决现有方法获得的氮化硼薄膜尺寸仅能达到微米级以及生长取向不一致的技术问题。本发明采用CVD工艺，将液态生长衬底置于生长区，将固态源置于源区，在还原气氛下进行薄膜的生长，通过控制生长时间调控单晶氮化硼薄膜的层数，得到高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜。本发明的制备方法通过简单改变工艺参数即可实现氮化硼薄膜层数控制，且生长的晶圆级薄膜层数均一，不同区域内的层数保持一致，粗糙度低，可控性较好，通过对生长时间的精确控制实现了单晶氮化硼薄膜的层数可控制备。