一种低热导率半赫斯勒合金热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112018228A

    公开(公告)日:2020-12-01

    申请号:CN202010883436.5

    申请日:2020-08-26

    Abstract: 本发明属于材料制备技术领域,涉及一种低热导率双half-Heusler合金热电材料及其制备方法,具体涉及一种低热导率的Sc0.5-xMxNb0.5-yNyNiSn(0≤x≤0.2,0≤y<0.5)基双half-Heusler热电材料及其制备方法,材料设计理念是由假想的17电子ScNiSn及19电子NbNiSn基half-Heusler化合物复合而成,其中,M为掺杂元素Nb、Ti、Zr、Hf其中的一种或几种,N为合金化元素V、Ta中的一种或两种。本发明通过悬浮熔炼法制备出Sc0.5-xMxNb0.5-yNyNiSn基双half-Heusler热电材料。这是一种具有本征低晶格热导率的新型half-Heusler热电材料,丰富了中高温区热电材料体系;同时,该材料可以通过在Sc和Nb位分别掺杂Zr,实现同一基底材料的n型和p型两种半导体态,对于热电器件应用具有重要意义。

    一种低热导率半赫斯勒合金热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN112018228B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202010883436.5

    申请日:2020-08-26

    Abstract: 本发明属于材料制备技术领域,涉及一种低热导率双half‑Heusler合金热电材料及其制备方法,具体涉及一种低热导率的Sc0.5‑xMxNb0.5‑yNyNiSn(0≤x≤0.2,0≤y<0.5)基双half‑Heusler热电材料及其制备方法,材料设计理念是由假想的17电子ScNiSn及19电子NbNiSn基half‑Heusler化合物复合而成,其中,M为掺杂元素Nb、Ti、Zr、Hf其中的一种或几种,N为合金化元素V、Ta中的一种或两种。本发明通过悬浮熔炼法制备出Sc0.5‑xMxNb0.5‑yNyNiSn基双half‑Heusler热电材料。这是一种具有本征低晶格热导率的新型half‑Heusler热电材料,丰富了中高温区热电材料体系;同时,该材料可以通过在Sc和Nb位分别掺杂Zr,实现同一基底材料的n型和p型两种半导体态,对于热电器件应用具有重要意义。

    一种拼装式板系嵌套拉胀胞元及超结构

    公开(公告)号:CN117748150A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311838202.9

    申请日:2023-12-28

    Abstract: 一种拼装式板系嵌套拉胀胞元及超结构,它具体涉及超材料/结构技术领域。本发明为了解决现有拉胀结构难以实现大规模大尺寸制备的问题。本发明胞元包括三组拼装组件,三组拼装组件分别沿X轴、Y轴和Z轴方向依次嵌套插装连接。超结构包括多个所述拼装胞元,多个拼装胞元呈矩阵状设置,相邻两个拼装胞元之间固接。本发明提供了一种无胶拼装式的拉胀结构。

    六方ZrBeSi结构的Zintl相热电材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN111081857A

    公开(公告)日:2020-04-28

    申请号:CN201911354868.0

    申请日:2019-12-25

    Abstract: 本发明提供了一种六方ZrBeSi结构的Zintl相热电材料及其制备方法,所述Zintl相热电材料具有六方ZrBeSi结构,其化学式为A2BC2,其中,A为元素Eu、Sr中的一种或两种的组合,B为元素Zn或Zn与第一掺杂元素的组合,C为元素Sb、Bi中的一种或两种的组合;或其化学式为DEF,其中D为元素Eu、Sr、Ba、Ca中的一种或两种以上的组合,B为元素Cu、Ag或Au中的一种或两种以上的组合,C为元素Sb、Bi中的一种或两种的组合。本发明公开了一类新的热电材料,其热电优值与目前主流热电材料的基体性能接近,另外通过掺杂调控后,该类化合物可以实现更高的热电优值,具有一定的潜在应用价值。

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