一种基于大面积氧化铋或硫化铋纳米管阵列结构的光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114509163B

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202210011149.4

    申请日:2022-01-06

    Abstract: 一种基于大面积氧化铋或硫化铋纳米管阵列结构的光电探测器及其制备方法,属于光电探测器件及其制备领域。本发明所述的Bi2O3、Bi2S3是一种大面积生长在导电衬底表面的纳米管阵列,所述光电探测器是以所生长的大面积Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列分别作为探测材料所制备。首先,利用水热法合成ZnO纳米棒;然后,通过磁控溅射结合溶液法制备了具有核壳结构的ZnO纳米棒/Bi2O3薄膜和ZnO纳米棒/Bi2S3薄膜;接下来去除ZnO纳米棒后获得大面积Bi2O3或Bi2S3纳米管阵列;最后将Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列分别作为工作电极制备了光电探测器。本发明主要利用简便、易操作的室温溶液法结合磁控溅射的方式合成了大面积Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列结构,进而构造了光电探测器。

    一种大面积铋氧硒薄膜的制备方法及其在超稳定、宽光谱成像探测器中的应用

    公开(公告)号:CN116555901A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202310510507.0

    申请日:2023-05-08

    Abstract: 一种大面积铋氧硒薄膜的制备方法及其在超稳定、宽光谱成像探测器中的应用,所述大面积铋氧硒薄膜的尺寸至少能够达到2×2cm,是由大量的平均尺寸为1‑2μm的二维单晶纳米片组成。所述大面积铋氧硒薄膜具有较好的均匀性,厚度约为100μm。基于所制备的大面积铋氧硒薄膜设计了宽光谱光电探测器,其能够实现从紫外、可见到红外波段的多波段探测,并且具有高的响应度以及快的响应速度。该器件在无任何封装的情况下在空气中储存一年后仍具有出色的循环稳定性和空气稳定性。本发明由大量二维单晶纳米片组成的大面积铋氧硒薄膜,并基于其构建了超稳定、高性能的宽光谱成像探测器,该器件可以在复杂系统中长时间稳定运行。

    一种基于硒化铜纳米管或硒化铜/硫化铋纳米管复合材料的宽光谱探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113758562A

    公开(公告)日:2021-12-07

    申请号:CN202111051892.4

    申请日:2021-09-08

    Abstract: 一种基于硒化铜纳米管或硒化铜/硫化铋纳米管复合材料的宽光谱探测器及其制备方法,属于光电探测器件及其制备领域。本发明所述的硒化铜/硫化铋纳米管复合材料是由Cu3Se2纳米管和Bi2S3纳米片构成,所述方法为:利用室温溶液法合成Se纳米线;将所制备的Se纳米线作为模板和反应Se源,获得Se@Cu2Se纳米结构;通过退火处理得到Cu3Se2纳米管;室温下,通过溶液合成法在Cu3Se2纳米管表面生长Bi2S3纳米片,制备出同轴核壳结构Cu3Se2/Bi2S3纳米管复合材料;制作器件。本发明主要利用简单、易实现的室温溶液法合成了Cu3Se2纳米管和同轴核壳结构Cu3Se2/Bi2S3纳米管复合材料,并进一步制备了具有自供能特性的光电探测器件,成本低、易操作、无污染,适用于大规模生产,具有很高的应用价值和前景。

    一种大面积的类蜂窝状硫化铋柔性薄膜的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN119551717A

    公开(公告)日:2025-03-04

    申请号:CN202411748119.7

    申请日:2024-12-02

    Abstract: 一种大面积的类蜂窝状硫化铋柔性薄膜的制备方法及其应用,属于半导体探测材料及其制备技术领域。本发明通过低压化学气相沉积法制备了大面积的类蜂窝状Bi2S3柔性薄膜,该柔性薄膜由稳定的三角形单元结构排列组成,使其呈相互连接的网络结构。其中,三角形单元结构由规则排列的一维纳米带相互交织而成。基于大面积的类蜂窝状Bi2S3柔性薄膜设计了工艺简单的柔性宽光谱光电探测器。所制备的探测器均能实现对紫外、可见和红外光的探测,并且在弯曲条件下具有高的响应度、快速的响应特性以及优异的稳定性。更重要的是,该器件不经过任何封装并在空气中连续弯曲一周后仍展现出了优异的循环稳定性和空气稳定性。

    一种基于大面积氧化铋或硫化铋纳米管阵列结构的光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN114509163A

    公开(公告)日:2022-05-17

    申请号:CN202210011149.4

    申请日:2022-01-06

    Abstract: 一种基于大面积氧化铋或硫化铋纳米管阵列结构的光电探测器及其制备方法,属于光电探测器件及其制备领域。本发明所述的Bi2O3、Bi2S3是一种大面积生长在导电衬底表面的纳米管阵列,所述光电探测器是以所生长的大面积Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列分别作为探测材料所制备。首先,利用水热法合成ZnO纳米棒;然后,通过磁控溅射结合溶液法制备了具有核壳结构的ZnO纳米棒/Bi2O3薄膜和ZnO纳米棒/Bi2S3薄膜;接下来去除ZnO纳米棒后获得大面积Bi2O3或Bi2S3纳米管阵列;最后将Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列分别作为工作电极制备了光电探测器。本发明主要利用简便、易操作的室温溶液法结合磁控溅射的方式合成了大面积Bi2O3、Bi2S3纳米管阵列结构,进而构造了光电探测器。

    一种基于钙铟硫八面体纳米块或钙铟硫/ZnO异质结复合材料的光电探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN113921286A

    公开(公告)日:2022-01-11

    申请号:CN202111152229.3

    申请日:2021-09-29

    Abstract: 一种基于钙铟硫八面体纳米块或钙铟硫/ZnO异质结复合材料的光电探测器及其制备方法,所述钙铟硫为三维八面体纳米块结构,在钙铟硫/ZnO异质结复合材料中,ZnO为二维纳米片结构,均匀紧密地分布在CaIn2S4八面体纳米块表面。以制备的CaIn2S4八面体纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结复合材料为工作电极,通过热封膜将其与对电极连接,并在中间注入聚硫电解质或去离子水,分别组装为CaIn2S4纳米块和CaIn2S4/ZnO异质结光电探测器。所制备探测器可在室温下实现紫外到可见光的宽光谱探测,且能够在无外加偏压下工作。本发明合成了三维CaIn2S4八面体纳米块和具有独特结构的CaIn2S4/ZnO异质结复合材料,并基于其分别制备了高性能的光电探测器,拓展了CaIn2S4纳米材料在光电探测领域的应用。

    一种大面积的类蜂窝状硫化铋柔性薄膜的制备方法及其应用

    公开(公告)号:CN119121179A

    公开(公告)日:2024-12-13

    申请号:CN202411257589.3

    申请日:2024-09-09

    Abstract: 一种大面积的类蜂窝状硫化铋柔性薄膜的制备方法及其应用,属于半导体探测材料及其制备技术领域。本发明通过低压化学气相沉积法制备了大面积的类蜂窝状Bi2S3柔性薄膜,该柔性薄膜由稳定的三角形单元结构排列组成,使其呈相互连接的网络结构。其中,三角形单元结构由规则排列的一维纳米带相互交织而成。基于大面积的类蜂窝状Bi2S3柔性薄膜设计了工艺简单的柔性宽光谱光电探测器。所制备的探测器均能实现对紫外、可见和红外光的探测,并且在弯曲条件下具有高的响应度、快速的响应特性以及优异的稳定性。更重要的是,该器件不经过任何封装并在空气中连续弯曲一周后仍展现出了优异的循环稳定性和空气稳定性。

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