公开(公告)号：CN111129140B

公开(公告)日：2021-01-29

申请号：CN201911418784.9

申请日：2019-12-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 王琮 ,  周忠良

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 基于多层氮化硅钝化且包含氧化铝栅极电介质的高电子迁移率晶体管及其制备方法，本发明涉及一种高电子迁移率晶体管，它为了解决现有GaN高电子迁移率晶体管由于陷阱效应导致的电流崩塌对器件影响，工作寿命较低的问题。本发明高电子迁移率晶体管由下至上依次为基底，过渡层，缓冲层，半导体i‑GaN层，半导体i‑Al0.25Ga0.75N层，i‑GaN帽层，双SiNx层，Al2O3栅极介电层以及顶层厚Si3N4层。本发明在AlGaN/GaN上产生了高鲁棒性及高稳定性的界面，且AlGaN表面得到有效的保护，该AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管减少了泄漏电流，提高击穿电压，且具有极高的工作寿命。

公开(公告)号：CN111129140A

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201911418784.9

申请日：2019-12-31

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 周忠良 ,  王琮

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 基于多层氮化硅钝化且包含氧化铝栅极电介质的高电子迁移率晶体管及其制备方法，本发明涉及一种高电子迁移率晶体管，它为了解决现有GaN高电子迁移率晶体管由于陷阱效应导致的电流崩塌对器件影响，工作寿命较低的问题。本发明高电子迁移率晶体管由下至上依次为基底，过渡层，缓冲层，半导体i-GaN层，半导体i-Al0.25Ga0.75N层，i-GaN帽层，双SiNx层，Al2O3栅极介电层以及顶层厚Si3N4层。本发明在AlGaN/GaN上产生了高鲁棒性及高稳定性的界面，且AlGaN表面得到有效的保护，该AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管减少了泄漏电流，提高击穿电压，且具有极高的工作寿命。