公开(公告)号：CN118996597A

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202411110600.3

申请日：2024-08-13

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平安 ,  苏震 ,  冯玉明 ,  刘俊磊 ,  田雨晴 ,  张欣

IPC: C30B1/02 ,  C30B28/02 ,  C30B29/02

Abstract: 本发明属于金属箔单晶化技术领域，具体涉及一种应变协同制备大尺寸单晶金属箔的方法。本发明将原始金属箔进行第一次退火处理，得到再结晶的多晶金属箔，将所述多晶金属箔进行辊压处理，所述多晶金属箔在厚度方向上发生压缩应变，得到应变金属箔；将所述应变金属箔进行第二次退火处理，得到具有低指数晶面的大尺寸单晶金属箔。本发明提供的方法能够适应于纯度较低(99％以上均可)的金属箔，得到具有低指数晶面的单晶金属箔，方法普适性强、简单高效、重复性高、成本低，可广泛用于制备大尺寸高质量的低指数晶面的单晶金属箔衬底，在新型二维光电材料外延制备领域有着巨大的应用潜力。

公开(公告)号：CN116265625A

公开(公告)日：2023-06-20

申请号：CN202211455347.6

申请日：2022-11-21

Applicant: 哈尔滨工业大学

Inventor： 胡平安 ,  张欣 ,  苏震 ,  田雨晴 ,  杨红影 ,  杜星颖 ,  刘俊磊

IPC: C30B25/16 ,  C30B25/18 ,  C30B29/40

Abstract: 一种高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜及其可控制备方法和应用。本发明属于二维薄膜材料领域。本发明的目的是为了解决现有方法获得的氮化硼薄膜尺寸仅能达到微米级以及生长取向不一致的技术问题。本发明采用CVD工艺，将液态生长衬底置于生长区，将固态源置于源区，在还原气氛下进行薄膜的生长，通过控制生长时间调控单晶氮化硼薄膜的层数，得到高质量、晶圆级单晶多层氮化硼薄膜。本发明的制备方法通过简单改变工艺参数即可实现氮化硼薄膜层数控制，且生长的晶圆级薄膜层数均一，不同区域内的层数保持一致，粗糙度低，可控性较好，通过对生长时间的精确控制实现了单晶氮化硼薄膜的层数可控制备。