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公开(公告)号：CN110510604B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN201910857578.1
申请日：2019-09-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B32/194 , C01B21/064 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于无机纳米材料领域，具体涉及一种石墨烯/氮化硼层状异质结构及其制备方法。该方案提出的复合异质结构，石墨烯表面被氮化硼覆盖，横向长度为30～80μm。所述方法包括：在去离子水中依次加入分散剂和石墨烯经处理形成稳定分散液，再加入氧化硼在一定温度下恒温搅拌至浓稠泥浆状，涂覆于刚玉舟表面，真空干燥后得到前驱体；将其置于真空管式炉中，在氩气气氛中持续加热至一定温度后再通入氨气进行反应得到初步产物，经处理后可得到所述层状异质结构材料。本发明工艺简单，不需任何金属催化剂，材料纯度高、结晶性好，集合了石墨烯与氮化硼二者的优异性能，为二维材料工业化生产提供了技术方案。
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公开(公告)号：CN110451498B
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN201910861267.2
申请日：2019-09-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B32/194 , C01B21/064 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于无机纳米材料领域，具体涉及一种石墨烯‑氮化硼纳米片复合结构及其制备方法。该结构中氮化硼纳米片直径为20～150nm，厚度为10～60nm，石墨烯直径为4～25μm，氮化硼纳米片均匀分布在大面积石墨烯薄层基底上，形成石墨烯‑氮化硼的复合结构。所述方法包括：将石墨烯薄层与氧化硼粉末充分混合研磨、分散、真空干燥后得到前驱体；将其置于管式炉，在氩气气氛加热至指定温度通入氨气进行反应得到初步产物，经处理后可得到石墨烯‑氮化硼纳米片复合结构。本发明中分散剂的加入使得氧化硼均匀分布在石墨烯表面，有效的提高了氮化硼在石墨烯基底上成核点；采用氨气作为反应气体进行高温反应，不需要任何金属催化剂，制备的产物更加纯净。
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公开(公告)号：CN110451498A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910861267.2
申请日：2019-09-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B32/194 , C01B21/064 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于无机纳米材料领域，具体涉及一种石墨烯-氮化硼纳米片复合结构及其制备方法。该结构中氮化硼纳米片直径为20～150nm，厚度为10～60nm，石墨烯直径为4～25μm，氮化硼纳米片均匀分布在大面积石墨烯薄层基底上，形成石墨烯-氮化硼的复合结构。所述方法包括：将石墨烯薄层与氧化硼粉末充分混合研磨、分散、真空干燥后得到前驱体；将其置于管式炉，在氩气气氛加热至指定温度通入氨气进行反应得到初步产物，经处理后可得到石墨烯-氮化硼纳米片复合结构。本发明中分散剂的加入使得氧化硼均匀分布在石墨烯表面，有效的提高了氮化硼在石墨烯基底上成核点；采用氨气作为反应气体进行高温反应，不需要任何金属催化剂，制备的产物更加纯净。
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公开(公告)号：CN109280332A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810875533.2
申请日：2018-08-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种氮化硼/环氧树脂导热绝缘复合材料的制备方法，属于导热绝缘复合材料的制备领域。首先对氮化硼粉末进行退火预处理，后用硅烷偶联剂进行表面修饰改性，再将改性后的六方氮化硼微粉及改性后的立方氮化硼微粉按照一定比例对环氧树脂基体进行填充。本发明工艺简单，通过采用不同形貌和尺寸、不同相结构的氮化硼进行添加，构筑有效的导热通路，最终改善环氧树脂的导热性能。改性后六方氮化硼与树脂间界面结合紧密，片状六方氮化硼与块状立方氮化硼在环氧树脂内相互搭接，形成良好的导热网络，有效地降低了界面热阻，利于热量的快速传递，提高了环氧树脂的导热性能，并且制备的复合材料具有良好的绝缘性，提升了复合材料的力学性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109161844B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810875535.1
申请日：2018-08-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种包络高取向氮化硼纳米晶的硼碳氮薄膜及其制备方法，属于薄膜材料及其制备的技术领域。硼碳氮薄膜为在硅基底上生长的包含氮化硼纳米晶的不定形结构。制备方法是以含碳氮化硼靶材，在射频磁控溅射装置的沉积室内制备；其中基底温度为室温～600℃，工作气体为氩气和氮气，流量分别为50sccm和0～50sccm，工作气压为1～3Pa。调节工艺参数可使薄膜中的氮化硼纳米晶的取向实现有序可控生长，制得的硼碳氮薄膜膜光学带隙约在2.7～4.5eV之间，具有良好可调的光学特性。本发明具有工艺简单安全、技术成熟、溅射速率快、沉积薄膜均匀、尺寸可控等优点，适宜工业大批量生产推广。
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公开(公告)号：CN110451465A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910857581.3
申请日：2019-09-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明涉及一种海胆状氮化硼纳米球-纳米管分级结构及其制备方法。该分级结构包括氮化硼纳米球及由球状中心发射出来的氮化硼纳米管。所述方法包括：在去离子水中依次加入分散剂和石墨烯，经超声、磁力搅拌处理后形成稳定分散液，再加入氧化硼，在指定温度下恒温搅拌至泥浆状，真空干燥后得到前驱体；将所得前驱体置于真空管式炉中，在氩气气氛中持续加热至一定温度后再通入氨气进行反应，随后自然冷却至室温得到初步产物，经处理后可得到海胆状氮化硼纳米球-纳米管分级结构。本发明方法制备工艺简单，不需要任何金属催化剂，制备的氮化硼纳米分级结构纯度高、结晶性好、形貌均一、结构稳定、比表面积大，在功能材料领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN109161844A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810875535.1
申请日：2018-08-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种包络高取向氮化硼纳米晶的硼碳氮薄膜及其制备方法，属于薄膜材料及其制备的技术领域。硼碳氮薄膜为在硅基底上生长的包含氮化硼纳米晶的不定形结构。制备方法是以含碳氮化硼靶材，在射频磁控溅射装置的沉积室内制备；其中基底温度为室温～600℃，工作气体为氩气和氮气，流量分别为50sccm和0～50sccm，工作气压为1～3Pa。调节工艺参数可使薄膜中的氮化硼纳米晶的取向实现有序可控生长，制得的硼碳氮薄膜膜光学带隙约在2.7～4.5eV之间，具有良好可调的光学特性。本发明具有工艺简单安全、技术成熟、溅射速率快、沉积薄膜均匀、尺寸可控等优点，适宜工业大批量生产推广。
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公开(公告)号：CN110510604A
公开(公告)日：2019-11-29
申请号：CN201910857578.1
申请日：2019-09-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B32/194 , C01B21/064 , B82Y40/00 , B82Y30/00
Abstract: 本发明属于无机纳米材料领域，具体涉及一种石墨烯/氮化硼层状异质结构及其制备方法。该方案提出的复合异质结构，石墨烯表面被氮化硼覆盖，横向长度为30～80μm。所述方法包括：在去离子水中依次加入分散剂和石墨烯经处理形成稳定分散液，再加入氧化硼在一定温度下恒温搅拌至浓稠泥浆状，涂覆于刚玉舟表面，真空干燥后得到前驱体；将其置于真空管式炉中，在氩气气氛中持续加热至一定温度后再通入氨气进行反应得到初步产物，经处理后可得到所述层状异质结构材料。本发明工艺简单，不需任何金属催化剂，材料纯度高、结晶性好，集合了石墨烯与氮化硼二者的优异性能，为二维材料工业化生产提供了技术方案。
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公开(公告)号：CN110451465B
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN201910857581.3
申请日：2019-09-09
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/064
Abstract: 本发明涉及一种海胆状氮化硼纳米球‑纳米管分级结构及其制备方法。该分级结构包括氮化硼纳米球及由球状中心发射出来的氮化硼纳米管。所述方法包括：在去离子水中依次加入分散剂和石墨烯，经超声、磁力搅拌处理后形成稳定分散液，再加入氧化硼，在指定温度下恒温搅拌至泥浆状，真空干燥后得到前驱体；将所得前驱体置于真空管式炉中，在氩气气氛中持续加热至一定温度后再通入氨气进行反应，随后自然冷却至室温得到初步产物，经处理后可得到海胆状氮化硼纳米球‑纳米管分级结构。本发明方法制备工艺简单，不需要任何金属催化剂，制备的氮化硼纳米分级结构纯度高、结晶性好、形貌均一、结构稳定、比表面积大，在功能材料领域具有广阔的应用前景。
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