-
公开(公告)号：CN110255515B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201910593661.2
申请日：2019-07-03
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/064 , G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本发明提供了一种基于六方氮化硼纳米片的二氧化氮检测用气敏元件及其制备方法和应用，属于半导体材料技术领域。本发明以六方氮化硼纳米片作为气敏材料，利用六方氮化硼纳米片高导热率、低热膨胀系数、低介电常数、高化学稳定性、强高温抗氧化性和高比表面积的性质，以其制备的二氧化氮检测用气敏元件，除具有灵敏度高、选择性好、重复性佳的优点，还适合在高温条件下工作。实施例结果表明，本发明提供的气敏元件用于二氧化氮检测时，其响应时间为18s，恢复时间为13.5s，最佳工作温度为425℃。同时，本发明提供的制备方法操作简单，成本低廉，易于实现工业化生产。
-
公开(公告)号：CN110255515A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910593661.2
申请日：2019-07-03
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/064 , G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本发明提供了一种基于六方氮化硼纳米片的二氧化氮检测用气敏元件及其制备方法和应用，属于半导体材料技术领域。本发明以六方氮化硼纳米片作为气敏材料，利用六方氮化硼纳米片高导热率、低热膨胀系数、低介电常数、高化学稳定性、强高温抗氧化性和高比表面积的性质，以其制备的二氧化氮检测用气敏元件，除具有灵敏度高、选择性好、重复性佳的优点，还适合在高温条件下工作。实施例结果表明，本发明提供的气敏元件用于二氧化氮检测时，其响应时间为18s，恢复时间为13.5s，最佳工作温度为425℃。同时，本发明提供的制备方法操作简单，成本低廉，易于实现工业化生产。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110255514A
公开(公告)日：2019-09-20
申请号：CN201910593656.1
申请日：2019-07-03
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/064 , C01G49/06 , G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本发明提供了一种基于六方氮化硼纳米片/氧化铁纳米颗粒复合材料的气敏元件及其制备方法和应用，属于半导体材料技术领域。本发明以六方氮化硼纳米片/氧化铁纳米颗粒复合材料作为气敏材料，利用六方氮化硼纳米片高导热率、低热膨胀系数、低介电常数、高化学稳定性和高比表面积的性质，结合氧化铁纳米颗粒对正丁醇气体的高灵敏度，可以提高气敏元件的气敏性能。实施例结果表明，本发明提供的基于六方氮化硼纳米片/氧化铁纳米颗粒复合材料的气敏元件用于正丁醇气体检测时，响应时间为12.6s，恢复时间为27s，最佳工作温度为375℃。
-
公开(公告)号：CN109280332A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201810875533.2
申请日：2018-08-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种氮化硼/环氧树脂导热绝缘复合材料的制备方法，属于导热绝缘复合材料的制备领域。首先对氮化硼粉末进行退火预处理，后用硅烷偶联剂进行表面修饰改性，再将改性后的六方氮化硼微粉及改性后的立方氮化硼微粉按照一定比例对环氧树脂基体进行填充。本发明工艺简单，通过采用不同形貌和尺寸、不同相结构的氮化硼进行添加，构筑有效的导热通路，最终改善环氧树脂的导热性能。改性后六方氮化硼与树脂间界面结合紧密，片状六方氮化硼与块状立方氮化硼在环氧树脂内相互搭接，形成良好的导热网络，有效地降低了界面热阻，利于热量的快速传递，提高了环氧树脂的导热性能，并且制备的复合材料具有良好的绝缘性，提升了复合材料的力学性质。
-
公开(公告)号：CN109161844B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201810875535.1
申请日：2018-08-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种包络高取向氮化硼纳米晶的硼碳氮薄膜及其制备方法，属于薄膜材料及其制备的技术领域。硼碳氮薄膜为在硅基底上生长的包含氮化硼纳米晶的不定形结构。制备方法是以含碳氮化硼靶材，在射频磁控溅射装置的沉积室内制备；其中基底温度为室温～600℃，工作气体为氩气和氮气，流量分别为50sccm和0～50sccm，工作气压为1～3Pa。调节工艺参数可使薄膜中的氮化硼纳米晶的取向实现有序可控生长，制得的硼碳氮薄膜膜光学带隙约在2.7～4.5eV之间，具有良好可调的光学特性。本发明具有工艺简单安全、技术成熟、溅射速率快、沉积薄膜均匀、尺寸可控等优点，适宜工业大批量生产推广。
-
公开(公告)号：CN109161844A
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201810875535.1
申请日：2018-08-03
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明的一种包络高取向氮化硼纳米晶的硼碳氮薄膜及其制备方法，属于薄膜材料及其制备的技术领域。硼碳氮薄膜为在硅基底上生长的包含氮化硼纳米晶的不定形结构。制备方法是以含碳氮化硼靶材，在射频磁控溅射装置的沉积室内制备；其中基底温度为室温～600℃，工作气体为氩气和氮气，流量分别为50sccm和0～50sccm，工作气压为1～3Pa。调节工艺参数可使薄膜中的氮化硼纳米晶的取向实现有序可控生长，制得的硼碳氮薄膜膜光学带隙约在2.7～4.5eV之间，具有良好可调的光学特性。本发明具有工艺简单安全、技术成熟、溅射速率快、沉积薄膜均匀、尺寸可控等优点，适宜工业大批量生产推广。
-
公开(公告)号：CN110255514B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201910593656.1
申请日：2019-07-03
Applicant: 吉林大学
IPC: C01B21/064 , C01G49/06 , G01N27/12 , G01N27/414
Abstract: 本发明提供了一种基于六方氮化硼纳米片/氧化铁纳米颗粒复合材料的气敏元件及其制备方法和应用，属于半导体材料技术领域。本发明以六方氮化硼纳米片/氧化铁纳米颗粒复合材料作为气敏材料，利用六方氮化硼纳米片高导热率、低热膨胀系数、低介电常数、高化学稳定性和高比表面积的性质，结合氧化铁纳米颗粒对正丁醇气体的高灵敏度，可以提高气敏元件的气敏性能。实施例结果表明，本发明提供的基于六方氮化硼纳米片/氧化铁纳米颗粒复合材料的气敏元件用于正丁醇气体检测时，响应时间为12.6s，恢复时间为27s，最佳工作温度为375℃。
-
-
-
-
-
-
Search Results
7
records
(took 0.017 seconds)
