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发明公开
半导体装置的形成方法审中-实审

公开(公告)号：CN113113350A

公开(公告)日：2021-07-13

申请号：CN202011457562.0

申请日：2020-12-11

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 沈香谷 , 黄健铭 , 陈翰仪 , 吕忠侑 , 蔡翔宇 , 吕志弘 , 陈文栋

IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528

摘要： 提供半导体装置与其形成方法。一实施例的方法包括接收基板，其含有下侧接点结构；沉积第一介电层于基板上；形成金属‑绝缘层‑金属结构于第一介电层上；沉积第二介电层于金属‑绝缘层‑金属结构上；进行第一蚀刻工艺，形成开口延伸穿过第二介电层以露出金属‑绝缘层‑金属结构；进行第二蚀刻工艺，延伸开口穿过金属‑绝缘层‑金属结构，以露出第一介电层；以及进行第三蚀刻工艺，进一步延伸开口穿过第一介电层，以露出下侧接点结构。第一蚀刻工艺与第三蚀刻工艺的蚀刻剂包括氟，而第二蚀刻工艺的蚀刻剂不含氟。