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公开(公告)号：CN112893789A
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN202110053782.5
申请日：2021-01-15
Applicant: 台州学院
IPC: B22D11/06
Abstract: 本发明涉及半导体材料铂生产相关技术领域，具体是一种用于生产半导体材料箔的装置及方法，所述用于生产半导体材料箔的装置包括底座及安装在所述底座上的加工台，所述底座上通过安装架固定在所述底座上的热熔罐，所述热熔罐与安装在其侧端的输送腔连通，所述输送腔上安装有出口朝向所述加工台的出料管，且所述出料管上设置有倾斜部，所述输送腔的内侧设置有输送组件；所述加工台上放置有基板带，所述基板带朝向所述加工台的一侧粘附有柔性磁铁，所述加工台的一端安装有驱动辊，所述驱动辊上安装有可与所述柔性磁铁吸引的环形金属；所述加工台上与所述出料管出口相对的位置处设置有冷却流道，所述冷却流道与安装在底座侧端的循环组件连通。
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公开(公告)号：CN113559841A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110928028.1
申请日：2021-08-12
Applicant: 台州学院
IPC: B01J21/18 , B01J23/22 , B01J23/72 , B01J23/847 , B01J35/00 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种纳米CuO/GO/BiVO4多相异质结光催化剂、其制备方法及应用。本发明的制备方法包括：将CuO和氧化石墨烯(GO)负载到BiVO4表面，即制备了所述光催化剂，该光催化剂是一种环保光催化材料。本发明的多相异质结光催化剂具有优良的光催化活性，对紫外光和可见光等均能较好的吸收，且制备工艺简单，具有较好的工业应用前景，例如应用于以罗丹明B为主要污染物的废水处理中效果较好。
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公开(公告)号：CN112768388B
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202110053784.4
申请日：2021-01-15
Applicant: 台州学院
IPC: H01L21/673
Abstract: 本发明涉及一种翻转结构及半导体封装板加工装置，所述翻转结构包括固定在所述底座上的两个支撑架，两个所述支撑架之间通过连接轴转动安装有螺纹转动件，所述螺纹转动件的一端通过滑动组件转动安装有驱动套筒，所述驱动套筒的另一端通过另一滑动组件转动安装有连接套筒，所述连接套筒上固定有夹持机构；所述螺纹转动件的内侧螺纹连接有螺纹杆，所述螺纹杆通过滑动限位组件与固定在所述连接套筒内的限位套筒滑动连接，且所述螺纹转动件还与所述驱动套筒滑动配合，所述驱动套筒的外侧通过棘轮机构连接有第一齿轮，所述第一齿轮与固定在其中一个所述支撑架上的弧形齿板适配；连接所述螺纹转动件及支撑架的连接轴与安装在所述底座上的驱动机构连接。
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公开(公告)号：CN113559841B
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202110928028.1
申请日：2021-08-12
Applicant: 台州学院
IPC: B01J21/18 , B01J23/22 , B01J23/72 , B01J23/847 , B01J35/00 , C02F1/30 , C02F101/30
Abstract: 本发明公开了一种纳米CuO/GO/BiVO4多相异质结光催化剂、其制备方法及应用。本发明的制备方法包括：将CuO和氧化石墨烯(GO)负载到BiVO4表面，即制备了所述光催化剂，该光催化剂是一种环保光催化材料。本发明的多相异质结光催化剂具有优良的光催化活性，对紫外光和可见光等均能较好的吸收，且制备工艺简单，具有较好的工业应用前景，例如应用于以罗丹明B为主要污染物的废水处理中效果较好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109628786B
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201910072268.9
申请日：2019-01-25
Applicant: 台州学院
Abstract: 本发明公开了一种耐高温强韧化Ti（C,N）基金属陶瓷产品的成型制备方法，包括以下步骤：S1、称取工艺配比份数的Ti（C,N）、TiB2晶须、第二类碳化物和高熵合金，混合造粒；S2、将造粒产物放置于模具内，并进行真空封装，进行冷等静压成型获得产品生胚；S3、将产品生胚放置于气氛热压烧结炉中煅烧；S4、保温结束后冷却至常温，获得成品。本发明优选采用TiB2晶须为硬质相，高熵合金为粘结相，制备的产品具有Ti(C,N)“芯‑环”结构，致密且结构分布均匀，具有工艺流程简单、制作成本低、产品性能好的特点，适用于工业生产。
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公开(公告)号：CN112893789B
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202110053782.5
申请日：2021-01-15
Applicant: 台州学院
IPC: B22D11/06
Abstract: 本发明涉及半导体材料箔生产相关技术领域，具体是一种用于生产半导体材料箔的装置及方法，所述用于生产半导体材料箔的装置包括底座及安装在所述底座上的加工台，所述底座上通过安装架固定有热熔罐，所述热熔罐与安装在其侧端的输送腔连通，所述输送腔上安装有出口朝向所述加工台的出料管，且所述出料管上设置有倾斜部，所述输送腔的内侧设置有输送组件；所述加工台上放置有基板带，所述基板带朝向所述加工台的一侧粘附有柔性磁铁，所述加工台的一端安装有驱动辊，所述驱动辊上安装有与所述柔性磁铁吸引的环形金属；所述加工台上与所述出料管出口相对的位置处设置有冷却流道，所述冷却流道与安装在底座侧端的循环组件连通。
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公开(公告)号：CN111359611A
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN202010308253.0
申请日：2020-04-18
Applicant: 台州学院
IPC: B01J23/745 , B01J21/18 , B01J23/755 , C25B11/06
Abstract: 本发明公开一种FeCu/C电催化剂的制备方法，包括以下步骤：采用泡沫镍作为基底，将硝酸铁九水合物，硝酸铜三水合物，尿素和氟化氨在泡沫镍表面反应生成前驱体；将前驱体置于聚吡咯溶液中浸泡，在惰性气氛下高温烧结。
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公开(公告)号：CN109628786A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201910072268.9
申请日：2019-01-25
Applicant: 台州学院
Abstract: 本发明公开了一种耐高温强韧化Ti（C,N）基金属陶瓷产品的成型制备方法，包括以下步骤：S1、称取工艺配比份数的Ti（C,N）、TiB2晶须、第二类碳化物和高熵合金，混合造粒；S2、将造粒产物放置于模具内，并进行真空封装，进行冷等静压成型获得产品生胚；S3、将产品生胚放置于气氛热压烧结炉中煅烧；S4、保温结束后冷却至常温，获得成品。本发明优选采用TiB2晶须为硬质相，高熵合金为粘结相，制备的产品具有Ti(C,N)“芯‑环”结构，致密且结构分布均匀，具有工艺流程简单、制作成本低、产品性能好的特点，适用于工业生产。
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