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公开(公告)号:CN101836518A
公开(公告)日:2010-09-15
申请号:CN200880109134.X
申请日:2008-07-31
CPC classification number: H05K1/162 , B32B18/00 , C04B35/46 , C04B35/462 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B2235/3215 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/96 , C04B2237/341 , C04B2237/346 , H01B3/12 , H01L23/49822 , H01L2224/16 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H05K1/165 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K3/4688 , H05K2201/0187 , H05K2201/10674 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供一种陶瓷多层基板,其通过将由低介电常数的绝缘体组成的低介电常数层和由高介电常数的电介质组成的高介电常数层进行共烧结而得到。低介电常数层包括具有xBaO-yTiO2-zZnO(x,y,z分别表示摩尔比,x+y+z=1,0.09≤x≤0.20,0.49≤y≤0.61,0.19≤z≤0.42)组成的低介电常数陶瓷成分,和相对于100重量份的该低介电常数陶瓷成分添加量为1.0重量份以上、5.0重量份以下的含氧化硼的玻璃成分。高介电常数层是由添加有CuO和Bi2O3的钛酸钡系电介质组成。
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公开(公告)号:CN101836518B
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN200880109134.X
申请日:2008-07-31
CPC classification number: H05K1/162 , B32B18/00 , C04B35/46 , C04B35/462 , C04B35/468 , C04B35/4682 , C04B35/62675 , C04B2235/3215 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/365 , C04B2235/6025 , C04B2235/656 , C04B2235/96 , C04B2237/341 , C04B2237/346 , H01B3/12 , H01L23/49822 , H01L2224/16 , H01L2924/01012 , H01L2924/0102 , H01L2924/01046 , H01L2924/01078 , H01L2924/09701 , H05K1/0306 , H05K1/165 , H05K3/4611 , H05K3/4629 , H05K3/4688 , H05K2201/0187 , H05K2201/10674 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明提供一种陶瓷多层基板,其通过将由低介电常数的绝缘体组成的低介电常数层和由高介电常数的电介质组成的高介电常数层进行共烧结而得到。低介电常数层包括具有xBaO-yTiO2-zZnO(x,y,z分别表示摩尔比,x+y+z=1,0.09≤x≤0.20,0.49≤y≤0.61,0.19≤z≤0.42)组成的低介电常数陶瓷成分,和相对于100重量份的该低介电常数陶瓷成分添加量为1.0重量份以上、5.0重量份以下的含氧化硼的玻璃成分。高介电常数层是由添加有CuO和Bi2O3的钛酸钡系电介质组成。
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