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公开(公告)号:CN113418979A
公开(公告)日:2021-09-21
申请号:CN202110685315.4
申请日:2021-06-21
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 一种痕量孔雀石绿的检测方法,涉及材料化学和食品安全检测领域。取1μL待检水样直接点在基质辅助激光解析质谱仪的靶板上,待完全干燥后,上机测试;放入离子源室内,抽真空,设置电压,激光照射,采集谱图。具有检测速度快,检测结果直观,不需要复杂的解图经验的优点;可以高通量,方便流通环节的监管。该筛查技术主要用于检测水族箱、池塘等水体中是否含有孔雀石绿成分。不需要使用基质,检测所得的谱图中无基质带来的干扰杂质峰。采用直接进样测试,节约检测时间和成本,也降低技术员的操作难度。操作简便、通用性强、高通量、灵敏度极高。
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公开(公告)号:CN1676676A
公开(公告)日:2005-10-05
申请号:CN200510007195.3
申请日:2005-01-28
Applicant: 厦门大学
IPC: C25D11/04
Abstract: 多孔氧化铝模板制备方法及其装置,涉及一种硬模板,提供一种前期处理过程简化,实验过程操作简单,设备和溶剂简单易得,制备时间短,药品使用少的多孔氧化铝模板制备方法及其装置。设有电解槽、槽盖、阳极与引出线、阴极与引出线和磁力搅拌器,槽壁为中空双层结构,槽壁上设入、出水口,入、出水口与槽壁的中空内腔相通;槽盖设于电解槽上;阳、阴极置于电解液中,阳极为铝片电极,阴极为铂片电极。其步骤为将铝箔抛光,抛光容器在水浴加热;抛光后放入电解槽,电解槽处于低于室温的温度;将氧化后的铝箔浸泡于饱和氯化汞溶液中,再将脱离铝基的氧化铝薄膜洗净,在H3PO4中浸泡至形成通孔。
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公开(公告)号:CN113176329B
公开(公告)日:2024-07-05
申请号:CN202110443196.1
申请日:2021-04-23
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 四氧化三钴作为基质在MALDI‑TOF MS检测小分子中的应用,涉及纳米材料合成及质谱检测领域。所述纳米四氧化三钴颗粒制备方法简单可控,形貌规整、尺寸均匀、成本低廉、水溶性好,作为MALDI‑TOFMS基质可避免使用传统有机基质检测小分子化合物的基质干扰问题,也使得碳基材料作为激光解吸离子化辅助基质时质谱检测的可操作性强、重复性好,实现MALDI‑TOFMS对小分子化合物的高通量、高灵敏分析。所述四氧化三钴作为基质在MALDI‑TOF MS检测小分子中的应用。可快速、高效地实现氨基酸、脂类化合物、多肽、寡糖、糖类、核苷、激素、药物等各种分子量小于1000Dalton化合物的高灵敏高通量分析。
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公开(公告)号:CN113176329A
公开(公告)日:2021-07-27
申请号:CN202110443196.1
申请日:2021-04-23
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 四氧化三钴作为基质在MALDI‑TOF MS检测小分子中的应用,涉及纳米材料合成及质谱检测领域。所述纳米四氧化三钴颗粒制备方法简单可控,形貌规整、尺寸均匀、成本低廉、水溶性好,作为MALDI‑TOFMS基质可避免使用传统有机基质检测小分子化合物的基质干扰问题,也使得碳基材料作为激光解吸离子化辅助基质时质谱检测的可操作性强、重复性好,实现MALDI‑TOFMS对小分子化合物的高通量、高灵敏分析。所述四氧化三钴作为基质在MALDI‑TOF MS检测小分子中的应用。可快速、高效地实现氨基酸、脂类化合物、多肽、寡糖、糖类、核苷、激素、药物等各种分子量小于1000Dalton化合物的高灵敏高通量分析。
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公开(公告)号:CN119332269A
公开(公告)日:2025-01-21
申请号:CN202411384493.3
申请日:2024-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: C25B11/031 , C25B9/23 , C25B9/70 , C25B11/052 , C25B11/091 , C25B1/04
Abstract: 本申请涉及电解水制氢装置技术领域,尤其是一种阴离子交换膜电解水制氢用的膜电极及其制备方法。该膜电极包括具有两个侧面的阴离子交换膜,阴离子交换膜的第一侧面设有阴极催化层;和/或,阴离子交换膜的第二侧面设有阳极催化层;阴极催化层、阳极催化层分别为阴极催化剂浆料和阳极催化剂浆料涂覆于阴离子交换膜的两个侧面并固化而形成的固态催化层;阴极催化剂浆料和阳极催化剂浆料采用特定配方设计。该膜电极具有阻抗低、催化活性高、溶胀率低或无、催化层与阴离子交换膜牢固结合、制备工艺流程简单等优点,其应用于AEM电解槽中,在装配电解槽堆的过程中不会造成电解槽堆体积膨胀、密封性差、催化层脱落等缺陷,能够明显提高电解水制氢的效率。
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公开(公告)号:CN100436654C
公开(公告)日:2008-11-26
申请号:CN200510007195.3
申请日:2005-01-28
Applicant: 厦门大学
IPC: C25D11/04
Abstract: 多孔氧化铝模板制备方法及其装置,涉及一种硬模板,提供一种前期处理过程简化,实验过程操作简单,设备和溶剂简单易得,制备时间短,药品使用少的多孔氧化铝模板制备方法及其装置。设有电解槽、槽盖、阳极与引出线、阴极与引出线和磁力搅拌器,槽壁为中空双层结构,槽壁上设入、出水口,入、出水口与槽壁的中空内腔相通;槽盖设于电解槽上;阳、阴极置于电解液中,阳极为铝片电极,阴极为铂片电极。其步骤为将铝箔抛光,抛光容器在水浴加热;抛光后放入电解槽,电解槽处于低于室温的温度;将氧化后的铝箔浸泡于饱和氯化汞溶液中,再将脱离铝基的氧化铝薄膜洗净,在H3PO4中浸泡至形成通孔。
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公开(公告)号:CN1752178A
公开(公告)日:2006-03-29
申请号:CN200510113111.4
申请日:2005-10-14
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/78
Abstract: 一种掺杂氧化铕的无机发光材料的制备方法,涉及一种稀土发光材料的制备方法,尤其是在二氧化钍中掺杂氧化铕的发光材料的制备方法。提供一种操作过程简单,制备条件温和的稀土掺杂制备发光材料的方法,其步骤为将四水硝酸钍与氧化铕粉末混匀,按质量比计算,四水硝酸钍∶氧化铕粉末=1∶0.01~0.20;将混匀后的四水硝酸钍与氧化铕粉末在容器中煅烧1~12h,温度为400~1000℃,冷却后即得到目标产物。装置简单,即普通的管式炉和相应的容器,可操作性强,反应过程操作方便,条件容易控制,原料易得,成本低,反应效率高,便于工业化生产。在制备过程中,不必培养单晶。
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公开(公告)号:CN102253109A
公开(公告)日:2011-11-23
申请号:CN201110097735.7
申请日:2011-04-18
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/64
Abstract: 固体样品在基质辅助激光解析质谱仪中的检测方法,涉及一种固体样品检测方法。提供一种操作简便,通用性强,可弥补难溶样品和复杂样品难以检测分子质量的不足,同时是在基质辅助激光解析质谱仪中测定配位化合物的固体样品在基质辅助激光解析质谱仪中的检测方法。将固体样品粉末填满设在微测板样品靶上的圆孔内,使固体样品粉末表面与靶面平齐,除去圆孔周边的散状颗粒,将微测板样品靶放入离子源室内,抽真空至(1~5)×10-6mbar,设置电压Ion Source1为17~21kV,Ion Source2为15~19kV,lens 9~10kV,调节激光大小,采集图谱,完成固体样品在基质辅助激光解析质谱仪中的检测。
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公开(公告)号:CN100500949C
公开(公告)日:2009-06-17
申请号:CN200510096980.0
申请日:2005-08-30
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: C30B7/00
Abstract: 一种纳米氧化锌晶面可控生长的方法,涉及一种通过离子液体实现纳米氧化锌晶面可控生长的方法。提供一种在离子液体中分解锌的含氧酸盐的方法,用于实现氧化锌纳米晶体的晶面可控性生长。其步骤为将乙二胺或三辛胺或30%甲胺水溶液和油酸混合,加入锌的含氧酸盐,在270~400℃下恒温20~240min后冷却,取下层淡黄色沉淀用正己烷和乙醇清洗即得。将离子液体引入到分解锌的含氧酸盐的反应中,利用离子液体中的正负离子与氧化锌的极性面之间的静电作用来改变极性面的表面能,从而控制氧化锌纳米晶体的晶面生长。具有产物表面结构可控,产物形态新颖;装置简单,可操作性强,制备过程条件温和,反应过程清洁无污染;反应效率高等优点。
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公开(公告)号:CN100348691C
公开(公告)日:2007-11-14
申请号:CN200510113111.4
申请日:2005-10-14
Applicant: 厦门大学
IPC: C09K11/78
Abstract: 一种掺杂氧化铕的无机发光材料的制备方法,涉及一种稀土发光材料的制备方法,尤其是在二氧化钍中掺杂氧化铕的发光材料的制备方法。提供一种操作过程简单,制备条件温和的稀土掺杂制备发光材料的方法,其步骤为将四水硝酸钍与氧化铕粉末混匀,按质量比计算,四水硝酸钍∶氧化铕粉末=1∶0.01~0.20;将混匀后的四水硝酸钍与氧化铕粉末在容器中煅烧1~12h,温度为400~1000℃,冷却后即得到目标产物。装置简单,即普通的管式炉和相应的容器,可操作性强,反应过程操作方便,条件容易控制,原料易得,成本低,反应效率高,便于工业化生产。在制备过程中,不必培养单晶。
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