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公开(公告)号:CN117913078A
公开(公告)日:2024-04-19
申请号:CN202410086587.6
申请日:2024-01-22
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L25/075 , H01L33/58 , H01L33/42 , H01L33/00 , H01L25/00
Abstract: 本发明公开了一种垂直堆叠式Micro‑LED全彩显示器件及其制备方法,包括由下至上堆叠的第一发光单元芯片、第二发光单元芯片和第三发光单元芯片,顶面为出光面,第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元上下对应设置,第二发光单元芯片和第三发光单元芯片的基板底面分别设有与发光单元一一对应的凹形微透镜结构。第一发光单元、第二发光单元和第三发光单元的p电极通过垂直互联结构连接并共同引出。本发明提高了全彩化器件的出光率和光利用效率,提升了亮度,并且简化了结构。
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公开(公告)号:CN117253945A
公开(公告)日:2023-12-19
申请号:CN202311270490.2
申请日:2023-09-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L33/00 , B23K26/38 , B23K26/70 , B23K26/402 , H01L21/78
Abstract: 本发明公开了一种基于激光划片的MicroLED芯片阵列分离工艺,MicroLED芯片阵列设于衬底上并通过切割道间隔,芯片阵列背离衬底的一面与驱动基板键合,采用两步骤对切割道区域进行激光切割,一次激光切割于衬底形成两个切割槽并将两切割槽之间的衬底去除,另一次激光切割对驱动基板实现了切断,从而可以使衬底和驱动基板具有不一致的切割边缘,一方面不损伤驱动基板位于芯片之外的连接电极,另一方面留出了位置便于后续通过连接电极进行探针电测扎针或金属连线。
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