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公开(公告)号：CN101569010A
公开(公告)日：2009-10-28
申请号：CN200880000824.1
申请日：2008-05-30
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/485 , H01L23/525
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L23/525 , H01L24/11 , H01L24/94 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05569 , H01L2224/1147 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/274 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体器件，包括其上除了其外围部分之外设置有结构部分(3)的半导体衬底(1)，还具有包括低介电性膜(4)和布线线路(5)的层叠结构，所述低介电性膜的相对介电常数为3.0或更低，其玻璃化温度为400℃或更高。在所述结构部分(3)上形成绝缘膜(9)。连接焊盘部分设置于所述绝缘膜(9)上并连接至所述层叠结构部分(3)的最上层布线线路(5)。凸块电极(13)设置于所述连接焊盘部分。由有机树脂制成的密封膜(14)设置于包围所述凸块电极(13)的绝缘膜(9)的一部分上。所述层叠结构部分(3)的侧表面被所述绝缘膜(9)和/或所述密封膜(14)覆盖。
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公开(公告)号：CN102176433A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110083231.X
申请日：2006-12-11
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L23/31 , H01L23/525 , H01L21/56
CPC classification number: H01L23/525 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/5329 , H01L24/02 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/94 , H01L2224/0231 , H01L2224/0233 , H01L2224/02331 , H01L2224/0401 , H01L2224/12105 , H01L2224/13099 , H01L2224/16 , H01L2224/274 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/18301 , H01L2924/30105
Abstract: 一种半导体器件，包括半导体衬底和设置于半导体衬底上除其外围部分之外的区域中的低介电性膜布线线路层压结构部分。每个层压结构部分具有低介电性膜和多个布线线路的层压结构。在层压结构部分的上侧上设置绝缘膜。在绝缘膜上设置用于电极的连接焊盘部分，其待电连接到层压结构部分的最上层布线线路的连接焊盘部分。在用于电极的连接焊盘部分上设置用于外部连接的凸块电极。在绝缘膜上以及半导体衬底的外围部分上设置密封膜。层压结构部分的侧表面被绝缘膜或密封膜覆盖。
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公开(公告)号：CN101569010B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200880000824.1
申请日：2008-05-30
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/485 , H01L23/525
CPC classification number: H01L24/12 , H01L23/3114 , H01L23/525 , H01L24/11 , H01L24/94 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05569 , H01L2224/1147 , H01L2224/13022 , H01L2224/131 , H01L2224/274 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/014 , H01L2924/12044 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2224/13099 , H01L2924/00014
Abstract: 一种半导体器件，包括其上除了其外围部分之外设置有结构部分(3)的半导体衬底(1)，还具有包括低介电性膜(4)和布线线路(5)的层叠结构，所述低介电性膜的相对介电常数为3.0或更低，其玻璃化温度为400℃或更高。在所述结构部分(3)上形成绝缘膜(9)。连接焊盘部分设置于所述绝缘膜(9)上并连接至所述层叠结构部分(3)的最上层布线线路(5)。凸块电极(13)设置于所述连接焊盘部分。由有机树脂制成的密封膜(14)设置于包围所述凸块电极(13)的绝缘膜(9)的一部分上。所述层叠结构部分(3)的侧表面被所述绝缘膜(9)和/或所述密封膜(14)覆盖。
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