-
公开(公告)号：CN101326644B
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN200780000580.2
申请日：2007-02-02
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78618
Abstract: 一种薄膜晶体管包括基片(1，11)和一对形成于基片上且在其间限定出间隙的源/漏电极(2，14)(即源电极和漏电极)。一对低电阻导电薄膜(10，20)设置为使得每个低电阻导电薄膜覆盖源/漏电极之一的至少一部分。低电阻导电薄膜在其间限定出间隙。氧化物半导体薄膜层(3，15)连续地形成于该对低电阻导电薄膜的上表面上并且沿着限定于低电阻导电薄膜之间的间隙延伸以用作沟道。氧化物半导体薄膜层的侧面和低电阻导电薄膜的相应侧面在沟道的沟道宽度方向上彼此相一致。
-
公开(公告)号：CN101326644A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200780000580.2
申请日：2007-02-02
Applicant: 日本财团法人高知县产业振兴中心 , 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/417
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L29/41733 , H01L29/42384 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78618
Abstract: 一种薄膜晶体管包括基片(1，11)和一对形成于基片上且在其间限定出间隙的源/漏电极(2，14)(即源电极和漏电极)。一对低电阻导电薄膜(10，20)设置为使得每个低电阻导电薄膜覆盖源/漏电极之一的至少一部分。低电阻导电薄膜在其间限定出间隙。氧化物半导体薄膜层(3，15)连续地形成于该对低电阻导电薄膜的上表面上并且沿着限定于低电阻导电薄膜之间的间隙延伸以用作沟道。氧化物半导体薄膜层的侧面和低电阻导电薄膜的相应侧面在沟道的沟道宽度方向上彼此相一致。
-
公开(公告)号：CN1943039B
公开(公告)日：2012-11-21
申请号：CN200680000175.6
申请日：2006-02-17
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 一种薄膜晶体管面板，包括：透明基板(1)；由光阻导电材料制成且形成在所述透明基板(1)上的扫描线(2)；垂直于所述扫描线(2)形成在所述透明基板(1)上且由光阻导电材料制成的数据线(3)；薄膜晶体管(5)，每个都具有连接于所述扫描线(2)之一的透明栅极(11)、连接于所述数据线(3)之一的透明漏极(16)、透明源极(15)以及透明半导体薄膜(13)；以及连接于所述薄膜晶体管(5)的透明像素电极(4)，其中，每个像素电极(4)被形成为覆盖每个所述薄膜晶体管(5)的所述栅极(11)的至少一部分。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1943039A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200680000175.6
申请日：2006-02-17
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/7869 , H01L27/1225 , H01L27/124
Abstract: 一种薄膜晶体管面板，包括：透明基板(1)；由光阻导电材料制成且形成在所述透明基板(1)上的扫描线(2)；垂直于所述扫描线(2)形成在所述透明基板(1)上且由光阻导电材料制成的数据线(3)；薄膜晶体管(5)，每个都具有连接于所述扫描线(2)之一的透明栅极(11)、连接于所述数据线(3)之一的透明漏极(16)、透明源极(15)以及透明半导体薄膜(13)；以及连接于所述薄膜晶体管(5)的透明像素电极(4)，其中，每个像素电极(4)被形成为覆盖每个所述薄膜晶体管(5)的所述栅极(11)的至少一部分。
-
公开(公告)号：CN101551541B
公开(公告)日：2011-04-27
申请号：CN200910132922.7
申请日：2009-03-31
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , 公立大学法人高知工科大学
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , C23C14/35 , C23C14/38 , C23C14/40 , C23C14/44
CPC classification number: G02F1/13439 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3485 , H01L51/5215
Abstract: 本发明提供一种由ZnO膜形成透明电极、且可降低相对于热处理的特性变化的显示用基板及其制造方法以及显示装置。显示用基板(1)具备支持基板(2)、形成于支持基板(2)上的有机树脂层(3)、和形成于有机树脂层(3)上的透明电极(4)。透明电极(4)包含第1层(5)和第2层(6)，该第1层(5)密合地形成于有机树脂层(3)上，且含有氧化锌，该第2层(6)形成于第1层(5)上，具有比第1层(5)厚的层厚，且含有氧化锌。第1层(5)通过直流溅射或直流磁控溅射而形成，第2层(6)通过高频溅射、高频磁控溅射、高频叠加直流溅射、高频叠加直流磁控溅射中的任何一种而形成。能够将显示用基板(1)用作例如液晶显示装置的对置电极用的带有透明电极的基板。
-
公开(公告)号：CN101032027B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200580029649.5
申请日：2005-09-02
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L29/45 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明的薄膜晶体管包括半导体薄膜(8)；形成在半导体薄膜(8)的一个表面上的栅极绝缘膜(7)；形成为通过栅极绝缘膜(7)与半导体薄膜(8)相对的栅电极(6)；电连接到半导体薄膜(8)的源电极(15)和漏电极(16)；源极区；漏极区；以及沟道区。该薄膜晶体管还包括绝缘膜(9)，其形成在至少对应于半导体薄膜(8)的源极区和漏极区的外围部分上，并且具有通过其使源极区和漏极区中的每一个的至少一部分暴露的接触孔(10、11)，其中源电极(15)和漏电极(16)通过接触孔(10、11)连接到半导体薄膜(8)。
-
公开(公告)号：CN101551541A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910132922.7
申请日：2009-03-31
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , 学校法人高知工科大学
IPC: G02F1/1333 , G02F1/1343 , G02F1/1368 , C23C14/35 , C23C14/38 , C23C14/40 , C23C14/44
CPC classification number: G02F1/13439 , C23C14/086 , C23C14/34 , C23C14/3485 , H01L51/5215
Abstract: 本发明提供一种由ZnO膜形成透明电极、且可降低相对于热处理的特性变化的显示用基板及其制造方法以及显示装置。显示用基板(1)具备支持基板(2)、形成于支持基板(2)上的有机树脂层(3)、和形成于有机树脂层(3)上的透明电极(4)。透明电极(4)包含第1层(5)和第2层(6)，该第1层(5)密合地形成于有机树脂层(3)上，且含有氧化锌，该第2层(6)形成于第1层(5)上，具有比第1层(5)厚的层厚，且含有氧化锌。第1层(5)通过直流溅射或直流磁控溅射而形成，第2层(6)通过高频溅射、高频磁控溅射、高频叠加直流溅射、高频叠加直流磁控溅射中的任何一种而形成。能够将显示用基板(1)用作例如液晶显示装置的对置电极用的带有透明电极的基板。
-
公开(公告)号：CN101032027A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200580029649.5
申请日：2005-09-02
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
IPC: H01L29/45 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明的薄膜晶体管包括半导体薄膜(8)；形成在半导体薄膜(8)的一个表面上的栅极绝缘膜(7)；形成为通过栅极绝缘膜(7)与半导体薄膜(8)相对的栅电极(6)；电连接到半导体薄膜(8)的源电极(15)和漏电极(16)；源极区；漏极区；以及沟道区。该薄膜晶体管还包括绝缘膜(9)，其形成在至少对应于半导体薄膜(8)的源极区和漏极区的外围部分上，并且具有通过其使源极区和漏极区中的每一个的至少一部分暴露的接触孔(10、11)，其中源电极(15)和漏电极(16)通过接触孔(10、11)连接到半导体薄膜(8)。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.027 seconds)
