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公开(公告)号:CN116110973A
公开(公告)日:2023-05-12
申请号:CN202310257918.3
申请日:2023-03-17
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L29/78 , H01L29/24 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/40
Abstract: 本发明涉及一种二维范德华异质结场效应晶体管及其制备方法,属于晶体管技术领域。所述晶体管包括:SiO2/Si衬底;设置在衬底上的第一个二维材料层为半导体层;分别设置在所述第一个二维材料层两端的源电极和漏电极,在所述源电极和漏电极之间为沟道区;设置在第一个二维材料层上的第二个二维材料层为绝缘介质层;设置在第二个二维材料层上的栅电极。本发明提供的二维范德华异质结场效应晶体管在源极电压+0.1V情况下开关比高达106;接近理论极限的亚阈值摆幅;并且顶栅调制的传输曲线表现出很小的迟滞。
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公开(公告)号:CN116544302A
公开(公告)日:2023-08-04
申请号:CN202310351436.4
申请日:2023-04-04
Applicant: 南昌大学
IPC: H01L31/18 , H01L31/0312 , H01L31/101
Abstract: 本发明属于纳米功能材料领域,具体涉及一种基于准一维范德华材料ZrS3纳米带的可调偏振光电探测器的制备方法。本方法采用机械剥离法将ZrS3晶体剥离成纳米带并转移到SiO2/Si衬底上,再经过电子束曝光和真空蒸镀制备ZrS3光电探测器,通过改变光源波长和调节栅极电压实现可调偏振光电探测器。基于该方法制备的ZrS3光电探测器具有偏振可调,灵敏度高,响应快,性能稳定等特点。该方法操作简单,耗时短,可重复性高,利于高性能可调偏振光电探测器的生产和应用。
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