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公开(公告)号：CN115000301A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202210392987.0
申请日：2022-04-15
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开一种双介电层场效应晶体管及其制备方法，器件包括玻璃衬底、源漏电极、半导体层、介电层和栅极，介电层包括下方与半导体层接触的低k介电层和位于其上的高k介电层；低k介电层是将低k介电层溶液涂覆在半导体层上形成的；低k介电层溶液是将聚苯乙烯溶于有机溶剂中配置而成，聚苯乙烯的浓度为5‑20mg/mL。本发明利用双介电层结构来改善器件性能，使用低k聚合物抑制高k介电层中极化子引起的能量无序，提高界面中的电荷输运的同时，借助氧化物Al2O3作为高k介电层可有效降低器件工作电压；当低k聚合物的浓度在10‑20mg/mL范围内时，器件的阈值电压、迁移率存在最优匹配。
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公开(公告)号：CN116113291A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310275738.8
申请日：2023-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明涉及微电子材料与器件技术领域，涉及一种基于铋接触电极的N型聚合物场效应晶体管的制备方法；N型聚合物场效应晶体管为顶栅底接触结构；首先在衬底上通过掩膜版使用真空蒸镀的方式制备铋金属膜作为源、漏电极，随后在其表面旋涂有机半导体作为有源层，待其退火结束后在其表面旋涂绝缘体作为介电层，最后通过掩模膜版在介电层上方蒸镀铝金属膜作为栅电极；该方法制备的接触电极相较于传统的金接触电极，其N型电接触性能获得了明显改善，器件性能明显提升，同时制备成本得到显著下降。
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公开(公告)号：CN114665020A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210299035.4
申请日：2022-03-25
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种高性能底栅底接触聚合物场效应晶体管的制备方法，所述的晶体管器件包括：衬底、绝缘层、半导体层和源漏电极，所述的制备方法首先以蒸镀的方式在绝缘层上方蒸镀形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层；当选用IDT‑BT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为20‑30nm，当选用DPPT‑TT作为有源半导体层时，源漏电极的厚度为40‑50nm。本发明的发明人经过大量实验，发现通过固定半导体层的厚度，并调整源漏电极的厚度，会影响底栅底接触聚合物场效应晶体管的性能，发明人通过使用蒸镀仪蒸镀了不同厚度的源漏电极，在将不同电极厚度下器件的性能参数对比之后，发现了源漏电极的最佳厚度，此时能获得电学性能最优的有机薄膜晶体管器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114665019B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202210292904.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁控溅射的聚合物场效应晶体管的制备方法以及基于该制备方法的P型聚合物晶体管，所述P型聚合物场效应晶体管具有底栅顶接触结构。首先在硅晶圆表面氧化生长一层二氧化硅作为绝缘层，再在二氧化硅表面旋涂有机半导体有源层，接着在有源层的上方通过掩模版使用磁控溅射的方法制备一层银作为源极和漏极，最后对硅片上的每一个晶体管进行隔离并且使用铜箔和导电银胶进行栅极处理。该方法制备的接触电极相较于传统使用热蒸镀来制备电极的方法，其载流子迁移率和输出电流都有所提升，器件的阈值电压明显降低。本发明提升了这种底栅顶接触聚合物场效应晶体管的电学性能，具有工艺简单，操作便捷的特点。
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公开(公告)号：CN114665019A
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202210292904.0
申请日：2022-03-24
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于磁控溅射的聚合物场效应晶体管的制备方法以及基于该制备方法的P型聚合物晶体管，所述P型聚合物场效应晶体管具有底栅顶接触结构。首先在硅晶圆表面氧化生长一层二氧化硅作为绝缘层，再在二氧化硅表面旋涂有机半导体有源层，接着在有源层的上方通过掩模版使用磁控溅射的方法制备一层银作为源极和漏极，最后对硅片上的每一个晶体管进行隔离并且使用铜箔和导电银胶进行栅极处理。该方法制备的接触电极相较于传统使用热蒸镀来制备电极的方法，其载流子迁移率和输出电流都有所提升，器件的阈值电压明显降低。本发明提升了这种底栅顶接触聚合物场效应晶体管的电学性能，具有工艺简单，操作便捷的特点。
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公开(公告)号：CN116390500A
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN202310275429.0
申请日：2023-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于镍电极的高稳定性聚合物场效应晶体管及其制备方法，属于微电子材料及器件技术领域，所述方法包括：首先在衬底上方蒸镀一层镍形成源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方依次形成有机半导体有源层和栅介质层，然后通过蒸镀的方式在栅介质层上方形成栅电极，本发明使用镍作为源漏电极，相较于传统使用金作为源漏电极的器件，其载流子迁移率有所提升，器件的阈值电压明显降低，尤其是在空气暴露的条件下，依然能够保持稳定的电学特性，主要电学参数衰减相对采用常规金电极的器件大幅降低。本申请所提供的制备方法提升了顶栅底接触聚合物场效应晶体管的电学性能及稳定性，具有工艺简单，操作便捷，成本低，稳定性高的特点。
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公开(公告)号：CN116234328A
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202310275427.1
申请日：2023-03-21
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于稀土金属电极的N型有机场效应晶体管及其制备方法，属于微电子材料及器件技术领域，所述方法包括：首先在衬底上方通过磁控溅射方式形成稀土金属钪源漏电极，继而通过旋涂的方式在其上方形成半导体层和介电层，然后通过热蒸镀在介电层上方形成栅电极，本发明使用稀土金属钪制备N型有机器件，相较于目前广泛使用的金接触电极，其N型场效应晶体管的开关特性等性能大幅改善，载流子迁移率明显提升，能缓解电荷注入瓶颈，提高器件的性能，且本发明能降低器件制备的成本，具有工艺简单，操作便捷的特点，对推动有机晶体管面向CMOS电路应用具有重要意义。
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公开(公告)号：CN114899314A
公开(公告)日：2022-08-12
申请号：CN202210098922.5
申请日：2022-01-27
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出一种高性能底栅交错聚合物场效应晶体管的制备方法，制备方法包括以下具体步骤：步骤1：溶液的制备，包括半导体溶液的配置和溶液的溶解步骤；步骤2：器件的制备，包括衬底的清洗、半导体薄膜和源漏电极的制备以及栅极的制备步骤，源漏电极的制备采用常规的真空热蒸发法利用不锈钢掩膜版在衬底上蒸镀50nm的金作为源漏电极，本发明与现有制备工艺相比，可以在保证器件工作状态最佳的情况下，确认可以使用的最薄半导体层厚度，大大减小了半导体材料的使用浪费，优化了有机薄膜晶体管的亚阈值摆幅、阈值电压以及接触电阻。
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