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公开(公告)号：CN118098334A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410505070.6
申请日：2024-04-25
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明属于集成电路领域，公开了一种RRAM的故障测试方法，对所有常规存储器的故障模型以及RRAM特有故障模型的故障原语进行分析，得到能够检测故障模型的测试序列；使用得到的测试序列在March‑C‑，March C*‑1T1R等算法基础上推导出能覆盖大部分常规存储器故障以及RRAM特有故障的March‑RAWR算法；以March‑RAWR算法为核心，构建一个适用于RRAM存储器的内建自测试MBIST电路；对RRAM存储器注入故障，并运行MBIST电路进行故障测试，记录故障单元地址。该方法提出的March RAWR算法故障覆盖率高达89.92%。该方法搭建的内建自测试电路结构简单，额外占用面积小。
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公开(公告)号：CN117495705A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311511986.4
申请日：2023-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的图像降噪方法，具体为：步骤1：基于忆阻器设计降噪支路；步骤2：如果图像为一维图像，则基于降噪支路构建一维图像的降噪电路，若图像为二维图像，则基于降噪支路搭建二维图像的降噪电路；步骤3：将图像的灰度值映射为输入电流，并导入相应的降噪电路中；步骤4：将降噪电路输出的电流映射还原为图像灰度值；步骤5：将步骤4中的灰度值做二值化后还原为图像，从而得到去噪后的图像。本发明所采用的降噪方法为忆阻器实现图像降噪方面的应用提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN117495705B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202311511986.4
申请日：2023-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的图像降噪方法，具体为：步骤1：基于忆阻器设计降噪支路；步骤2：如果图像为一维图像，则基于降噪支路构建一维图像的降噪电路，若图像为二维图像，则基于降噪支路搭建二维图像的降噪电路；步骤3：将图像的灰度值映射为输入电流，并导入相应的降噪电路中；步骤4：将降噪电路输出的电流映射还原为图像灰度值；步骤5：将步骤4中的灰度值做二值化后还原为图像，从而得到去噪后的图像。本发明所采用的降噪方法为忆阻器实现图像降噪方面的应用提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN118098334B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202410505070.6
申请日：2024-04-25
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G11C29/56
Abstract: 本发明属于集成电路领域，公开了一种RRAM的故障测试方法，对所有常规存储器的故障模型以及RRAM特有故障模型的故障原语进行分析，得到能够检测故障模型的测试序列；使用得到的测试序列在March‑C‑，March C*‑1T1R等算法基础上推导出能覆盖大部分常规存储器故障以及RRAM特有故障的March‑RAWR算法；以March‑RAWR算法为核心，构建一个适用于RRAM存储器的内建自测试MBIST电路；对RRAM存储器注入故障，并运行MBIST电路进行故障测试，记录故障单元地址。该方法提出的March RAWR算法故障覆盖率高达89.92%。该方法搭建的内建自测试电路结构简单，额外占用面积小。
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公开(公告)号：CN117825936B
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410239774.3
申请日：2024-03-04
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01R31/3185
Abstract: 本发明属于集成电路硬件安全技术领域，公开了基于改进的线性反馈移位寄存器的安全测试电路，通过控制模块控制改进的线性反馈移位寄存器的状态，利用种子信号产生模块提供改进的线性反馈移位寄存器所需要的种子信号，改进的线性反馈移位寄存器模块输出难以预测的序列作为内部测试密钥提供给安全扫描链；安全扫描链的结构是动态的，输出经过混淆的数据，攻击者难以得到真正的扫描数据；通过明文限制模块对扫描链输出进行限制，进一步增强加密电路的安全性，防止差分密码攻击。本发明所述电路可以保护加密芯片免受基于扫描链的攻击，并且面积开销相对较小，且不会增加测试时间，在不影响芯片正常功能的同时又能够实现芯片安全测试的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118761337A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202411253438.0
申请日：2024-09-09
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G06F30/27 , G06F30/23 , G06N3/045 , G06N3/08 , G06F119/02 , G06F119/14 , G06F119/08 , G06F111/10
Abstract: 本发明公开了一种温度循环荷载下基于机器学习模型的封装焊点可靠性预测方法，包括如下步骤：S1. 建立封装结构模型；S2. 利用有限元分析软件对模型进行温度循环仿真；S3. 提出影响焊点应力值的特征量，并确定特征量的范围；S4. 将特征量和输出结果组成数据集，并对数据集进行预处理；S5. 利用神经网络模型训练，并预测出不同温度循环条件和不同焊点特征下的最大应力位置以及最大应力值。本发明通过有限元分析描述焊点力学响应，利用机器学习模型提出了一种更加高效、灵活且准确率高的焊点可靠性预测方法。
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公开(公告)号：CN117825936A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410239774.3
申请日：2024-03-04
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
IPC: G01R31/3185
Abstract: 本发明属于集成电路硬件安全技术领域，公开了基于改进的线性反馈移位寄存器的安全测试电路，通过控制模块控制改进的线性反馈移位寄存器的状态，利用种子信号产生模块提供改进的线性反馈移位寄存器所需要的种子信号，改进的线性反馈移位寄存器模块输出难以预测的序列作为内部测试密钥提供给安全扫描链；安全扫描链的结构是动态的，输出经过混淆的数据，攻击者难以得到真正的扫描数据；通过明文限制模块对扫描链输出进行限制，进一步增强加密电路的安全性，防止差分密码攻击。本发明所述电路可以保护加密芯片免受基于扫描链的攻击，并且面积开销相对较小，且不会增加测试时间，在不影响芯片正常功能的同时又能够实现芯片安全测试的目的。
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公开(公告)号：CN117495684A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311511983.0
申请日：2023-11-14
Applicant: 南京邮电大学 , 南京邮电大学南通研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器电路侧向抑制特性的图像边缘增强方法，具体为：步骤1：设计抑制电路：若原始图像为一维图像采用忆阻器设计一维方向侧抑制电路；若原始图像为二维图像，则基于一维方向侧抑制电路设计二维方向侧抑制电路；抑制电路的输出端口和输入端口的个数等于原始图像的大小；步骤2：对原始图像的全局灰度值进行归一化，得到每个像素点归一化后的灰度值；步骤3：将图像上每个像素点归一化后的灰度值作为输入电压，输入至相应的抑制电路；步骤4：将抑制电路输出的电流转化为0~255的灰度值，从而恢复图像。
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公开(公告)号：CN117278020A
公开(公告)日：2023-12-22
申请号：CN202311259662.6
申请日：2023-09-27
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03K19/17704 , H03K19/094 , H03K19/20 , G06F30/394
Abstract: 本发明公开了一种基于阻变元件的可编程阻态电路，包括阻变元件、第一N型MOS管、第二N型MOS管、第三N型MOS管、第四N型MOS管以及异或XOR逻辑门，异或XOR逻辑门的两个输入端分别连接编程信号Cro1与Cro2，通过对编程信号Cro1、Cro2分别施加特定时间的电压，实现对阻变元件阻态的编程操作；利用忆阻器的阻变特性与非易失性，通过对编程信号Cro1、Cro2的输入控制，分别实现阻态的上升、下降和维持。本发明对忆阻器阻态的编程的操作，可应用于多种忆阻器模拟电路中调节电路参数，并且结构简单、操作方便、响应速度快，为可编程模拟电路方面提供了新思路。
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公开(公告)号：CN116994634B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311246741.3
申请日：2023-09-26
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提出一种忆阻器阵列故障测试电路，属于忆阻器测试技术领域。该测试电路包括写电路，读电路，1T1R存储单元，传输电路，四个完全相同的DFT电路；并且，写电路和读电路分别与1T1R存储单元连接，1T1R存储单元与传输电路连接，传输电路以同样的方式与四个相同的DFT电路连接。本发明提出的忆阻器阵列故障测试电路，根据不同的忆阻器模型设定参考电流来检测故障，所提出的忆阻器阵列故障测试电路是基于数模混合环境实现的，其优势在于能检测出忆阻器阵列特有的故障，并且所需的测试序列更加简单；本发明提出的忆阻器阵列故障测试电路能同时和四种参考电流对比，检测时间更短，效率更
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