公开(公告)号：CN118098334A

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202410505070.6

申请日：2024-04-25

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 蔡志匡 ,  华辰飞 ,  连晓娟 ,  王磊 ,  肖建 ,  徐彬彬 ,  王子轩 ,  郭宇锋

IPC: G11C29/56

Abstract: 本发明属于集成电路领域，公开了一种RRAM的故障测试方法，对所有常规存储器的故障模型以及RRAM特有故障模型的故障原语进行分析，得到能够检测故障模型的测试序列；使用得到的测试序列在March‑C‑，March C*‑1T1R等算法基础上推导出能覆盖大部分常规存储器故障以及RRAM特有故障的March‑RAWR算法；以March‑RAWR算法为核心，构建一个适用于RRAM存储器的内建自测试MBIST电路；对RRAM存储器注入故障，并运行MBIST电路进行故障测试，记录故障单元地址。该方法提出的March RAWR算法故障覆盖率高达89.92%。该方法搭建的内建自测试电路结构简单，额外占用面积小。

公开(公告)号：CN118098334B

公开(公告)日：2024-06-21

申请号：CN202410505070.6

申请日：2024-04-25

Applicant: 南京邮电大学 ,  南京邮电大学南通研究院有限公司

Inventor： 蔡志匡 ,  华辰飞 ,  连晓娟 ,  王磊 ,  肖建 ,  徐彬彬 ,  王子轩 ,  郭宇锋

IPC: G11C29/56

Abstract: 本发明属于集成电路领域，公开了一种RRAM的故障测试方法，对所有常规存储器的故障模型以及RRAM特有故障模型的故障原语进行分析，得到能够检测故障模型的测试序列；使用得到的测试序列在March‑C‑，March C*‑1T1R等算法基础上推导出能覆盖大部分常规存储器故障以及RRAM特有故障的March‑RAWR算法；以March‑RAWR算法为核心，构建一个适用于RRAM存储器的内建自测试MBIST电路；对RRAM存储器注入故障，并运行MBIST电路进行故障测试，记录故障单元地址。该方法提出的March RAWR算法故障覆盖率高达89.92%。该方法搭建的内建自测试电路结构简单，额外占用面积小。

公开(公告)号：CN119559990A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411607055.9

申请日：2024-11-12

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 连晓娟 ,  张云博 ,  华辰飞 ,  王磊 ,  蔡志匡 ,  王子轩 ,  郭宇锋

IPC: G11C29/10 ,  G11C29/50

Abstract: 本发明公开了一种相变存储器阵列的故障测试方法及系统，涉及集成电路技术领域，包括对相变存储器阵列中多种故障模式进行分析，提取出每种故障模式的充要条件，所述充要条件为阵列中某一单元或多个单元的失效特征；根据所述充要条件推导出适用于相变存储器阵列故障测试的测试序列；构建基于所述测试序列的故障检测电路，并将其嵌入到相变存储器阵列中；使用所述故障检测电路对相变存储器阵列进行故障测试，判断阵列中各存储单元的健康状态，完成故障测试。本发明算法能够检测出传统检测电路无法识别的PCRAM特有故障，从而大幅提升了故障覆盖率。

公开(公告)号：CN116994634B

公开(公告)日：2023-12-12

申请号：CN202311246741.3

申请日：2023-09-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 蔡志匡 ,  华辰飞 ,  连晓娟 ,  王磊 ,  肖建 ,  王子轩 ,  郭宇锋

IPC: G11C29/44 ,  G01R31/00 ,  G11C29/50

Abstract: 本发明提出一种忆阻器阵列故障测试电路，属于忆阻器测试技术领域。该测试电路包括写电路，读电路，1T1R存储单元，传输电路，四个完全相同的DFT电路；并且，写电路和读电路分别与1T1R存储单元连接，1T1R存储单元与传输电路连接，传输电路以同样的方式与四个相同的DFT电路连接。本发明提出的忆阻器阵列故障测试电路，根据不同的忆阻器模型设定参考电流来检测故障，所提出的忆阻器阵列故障测试电路是基于数模混合环境实现的，其优势在于能检测出忆阻器阵列特有的故障，并且所需的测试序列更加简单；本发明提出的忆阻器阵列故障测试电路能同时和四种参考电流对比，检测时间更短，效率更

公开(公告)号：CN116994634A

公开(公告)日：2023-11-03

申请号：CN202311246741.3

申请日：2023-09-26

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 蔡志匡 ,  华辰飞 ,  连晓娟 ,  王磊 ,  肖建 ,  王子轩 ,  郭宇锋

IPC: G11C29/44 ,  G01R31/00 ,  G11C29/50

Abstract: 本发明提出一种忆阻器阵列故障测试电路，属于忆阻器测试技术领域。该测试电路包括写电路，读电路，1T1R存储单元，传输电路，四个完全相同的DFT电路；并且，写电路和读电路分别与1T1R存储单元连接，1T1R存储单元与传输电路连接，传输电路以同样的方式与四个相同的DFT电路连接。本发明提出的忆阻器阵列故障测试电路，根据不同的忆阻器模型设定参考电流来检测故障，所提出的忆阻器阵列故障测试电路是基于数模混合环境实现的，其优势在于能检测出忆阻器阵列特有的故障，并且所需的测试序列更加简单；本发明提出的忆阻器阵列故障测试电路能同时和四种参考电流对比，检测时间更短，效率更高。