公开(公告)号：CN116406168A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202310406711.8

申请日：2023-04-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 沈筠皓 ,  仪明东 ,  张韬 ,  王宇 ,  赵瑞彤 ,  李雯

IPC: H10K10/26 ,  H10K10/50 ,  H10K71/12 ,  H10K85/10 ,  H10K85/60

Abstract: 本发明公开了一种分子介导与调控离子迁移的忆阻器及制备方法与应用，忆阻器为垂直三明治结构，自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极；其中，有机功能层包括由聚(9‑乙烯基咔唑)与7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷构成的不同分子域分布的有机体异质结功能层。本发明所制得的忆阻器具有低操作电压和功率，稳定的读写循环与稳定的维持能力等优良忆阻性能。本发明的忆阻器的制备方法通过改变掺杂溶剂极性来调节7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷的分子域分布，从而控制形成的导电丝尺寸来调节存储行为，实现多阶存储与阈值切换行为，并实现人工突触与神经元动态电位发放功能模拟。