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公开(公告)号：CN116471850A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310357670.8
申请日：2023-04-06
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于体异质结的光突触器件及其制备方法与应用，属于信息技术与人工智能技术领域，包括由下至上依次连接的基底、底电极、功能层和顶电极，所述功能层为体异质结，所述体异质结包括聚[2‑甲氧基‑5‑(2‑乙基己氧基)‑1,4‑苯乙炔]和[6,6]‑苯基C61丁酸甲酯，所述体异质结采用混合溶液旋涂法制备而成，所述体异质结的厚度为70‑90nm；本发明能够实现光突触器件利用光信号进行光学习记忆行为模拟，这将进一步拓展在光作用下的神经形态网络、生物仿真和人工智能领域的应用。
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公开(公告)号：CN111276612A
公开(公告)日：2020-06-12
申请号：CN202010084379.4
申请日：2020-02-10
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种晶体管存储器及其制备方法，所述的晶体管存储器中的有机有源层包括自下而上设置的第一聚合物绝缘层、三碘合铅酸铯膜和第二聚合物绝缘层，其中所述的三碘合铅酸铯膜的厚度为15-20nm。制备过程如下(1)配置溶液：包括配置制备第一聚合物绝缘层的聚合物溶液A、第二聚合物绝缘层的聚合物溶液B和三碘合铅酸铯溶液；(2)制备晶体管：在完成栅电极和栅绝缘层制作的衬底上采用所配置的相对应的溶液依次制作第一聚合物绝缘层、三碘合铅酸铯膜和第二聚合物绝缘层的膜层，之后完成有机半导体层和源漏电极的制作。本发明将三碘合铅酸铯引入到有机场效应晶体管存储器中，丰富了有机存储技术的材料选择。
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公开(公告)号：CN114512608B
公开(公告)日：2024-10-29
申请号：CN202210037712.5
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制氧气逸出的基于氧空位导电丝的阻变存储器及其制备方法，该存储器的结构由下至上依次包括基底、底电极、功能层和顶电极；其中，所述功能层由壳聚糖层和氧化铝层组成，所述壳聚糖层是将壳聚糖溶液旋涂在底电极上制备形成的薄膜，所述壳聚糖溶液为脱乙酰度≥95％的壳聚糖溶于2％的乙酸形成；所述氧化铝层是由三甲基铝和水反应生成氢氧化铝随后分解形成。本发明通过ALD法在壳聚糖层上沉积氧化铝层，抑制了壳聚糖层中在形成氧空位导电丝后，从顶电极逸出的氧气，实现了存储器件的低操作电压、高开关比，提升了稳定性，获得了可多次读写擦循环的阻变存储器器件。
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公开(公告)号：CN114512608A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210037712.5
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种抑制氧气逸出的基于氧空位导电丝的阻变存储器及其制备方法，该存储器的结构由下至上依次包括基底、底电极、功能层和顶电极；其中，所述功能层由壳聚糖层和氧化铝层组成，所述壳聚糖层是将壳聚糖溶液旋涂在底电极上制备形成的薄膜，所述壳聚糖溶液为脱乙酰度≥95％的壳聚糖溶于2％的乙酸形成；所述氧化铝层是由三甲基铝和水反应生成氢氧化铝随后分解形成。本发明通过ALD法在壳聚糖层上沉积氧化铝层，抑制了壳聚糖层中在形成氧空位导电丝后，从顶电极逸出的氧气，实现了存储器件的低操作电压、高开关比，提升了稳定性，获得了可多次读写擦循环的阻变存储器器件。
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