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公开(公告)号：CN114512609A
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN202210037716.3
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法，该忆阻器为垂直三明治结构，自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极；其中，所述有机功能层是将有机功能层溶液旋涂于底部电极上制备形成的纳米薄膜，所述有机功能层溶液为叶绿素铜钠溶于超纯水形成，所述叶绿素铜钠的结构式如式(Ⅰ)所示。本发明使用中小型分子‑叶绿素铜钠(有机盐)，通过控制旋涂工艺参数，解决基于叶绿素铜钠旋涂过程易析晶问题，成功在水溶剂下旋涂制备出与蒸镀方式相媲美的均一光滑薄膜，并制备了基于ITO/叶绿素铜钠/Ag的垂直三明治结构器件，最终实现超低操作电压，高开关比，高的保持特性，读写擦循环＞6000次。
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公开(公告)号：CN116406168A
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202310406711.8
申请日：2023-04-17
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种分子介导与调控离子迁移的忆阻器及制备方法与应用，忆阻器为垂直三明治结构，自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极；其中，有机功能层包括由聚(9‑乙烯基咔唑)与7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷构成的不同分子域分布的有机体异质结功能层。本发明所制得的忆阻器具有低操作电压和功率，稳定的读写循环与稳定的维持能力等优良忆阻性能。本发明的忆阻器的制备方法通过改变掺杂溶剂极性来调节7,7,8,8‑四氰基对苯二醌二甲烷的分子域分布，从而控制形成的导电丝尺寸来调节存储行为，实现多阶存储与阈值切换行为，并实现人工突触与神经元动态电位发放功能模拟。
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公开(公告)号：CN114512609B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202210037716.3
申请日：2022-01-13
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法，该忆阻器为垂直三明治结构，自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极；其中，所述有机功能层是将有机功能层溶液旋涂于底部电极上制备形成的纳米薄膜，所述有机功能层溶液为叶绿素铜钠溶于超纯水形成，所述叶绿素铜钠的结构式如式(Ⅰ)所示。本发明使用中小型分子‑叶绿素铜钠(有机盐)，通过控制旋涂工艺参数，解决基于叶绿素铜钠旋涂过程易析晶问题，成功在水溶剂下旋涂制备出与蒸镀方式相媲美的均一光滑薄膜，并制备了基于ITO/叶绿素铜钠/Ag的垂直三明治结构器件，最终实现超低操作电压，高开关比，高的保持特性，读写擦循环＞6000次。
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