-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112019196B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202010758781.6
申请日：2020-07-31
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于HBT工艺的宽带混沌电路，包括晶体管、选频网络、偏置模块和输出模块，晶体管包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3，第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3的集电极与偏置模块串联，输出模块的输出节点位于第三晶体管Q3的集电极，选频网络连接第一晶体管Q1的基极和发射极，第一晶体管Q1和第二晶体管Q2的发射极与第三晶体管Q3的集电极相连，晶体管为基于HBT工艺的异质结双极晶体管。该电路混沌状态稳定，受寄生参数影响较小，电路在1000Ω的负载下仍能够产生稳定连续的混沌信号，混沌信号平坦，基频3.79GHz，频谱覆盖3‑12GHz，适用于宽带射频无线通讯；适合在小型化、集成化、低功耗场景下应用。
-
公开(公告)号：CN112019196A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010758781.6
申请日：2020-07-31
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种基于HBT工艺的宽带混沌电路，包括晶体管、选频网络、偏置模块和输出模块，晶体管包括第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3，第一晶体管Q1、第二晶体管Q2和第三晶体管Q3的集电极与偏置模块串联，输出模块的输出节点位于第三晶体管Q3的集电极，选频网络连接第一晶体管Q1的基极和发射极，第一晶体管Q1和第二晶体管Q2的发射极与第三晶体管Q3的集电极相连，晶体管为基于HBT工艺的异质结双极晶体管。该电路混沌状态稳定，受寄生参数影响较小，电路在1000Ω的负载下仍能够产生稳定连续的混沌信号，混沌信号平坦，基频3.79GHz，频谱覆盖3-12GHz，适用于宽带射频无线通讯；适合在小型化、集成化、低功耗场景下应用。
-
-
公开(公告)号：CN112087202A
公开(公告)日：2020-12-15
申请号：CN202010743039.8
申请日：2020-07-29
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03B5/12
Abstract: 本发明公开了一种两级超宽带Colpitts混沌振荡器，包括选频网络单元、一级偏置单元、级间耦合单元、二级偏置单元、射频三极管和输出单元，射频三极管包括第一射频三极管Q1和第二射频三极管Q2。本发明基于传统Colpitts混沌振荡器，其中选频网络单元采用共集电极代替共基极，一级偏置单元输出信号采用集电极输出，提高混沌信号的振荡幅度；提高混沌电路的带负载能力，使混沌信号输出频谱更平坦，更加适用于超宽带通信领域；通过储能来改善高频信号频谱的幅度，实现超宽带混沌信号的输出。
-
公开(公告)号：CN112073019A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010758782.0
申请日：2020-07-31
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H03H7/01
Abstract: 本发明公开了一种微型高抑制射频片上带通滤波器，包括谐振单元、输入端口P1和输出端口P2，输入端口P1接受射频信号经过谐振单元后由输出端口P2输出，谐振单元包括第一谐振单元、第二谐振单元、第三谐振单元、第四谐振单元，第一谐振单元一端接地，另一端连接第二谐振单元，第三谐振单元一端连接第二谐振单元，另一端连接第四谐振单元，第四谐振单元一端接地。该带通滤波器带外抑制高，具有良好的选择性，插入损耗少，尺寸微型化，能够满足通信设备的小型化要求。
-
-
-
-
Search Results
5
records
(took 0.019 seconds)
