公开(公告)号：CN118019441A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311541113.8

申请日：2023-11-17

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 安欣悦 ,  张瑛 ,  童祎 ,  王宇 ,  王沿霁 ,  张彦忠

IPC: H10N70/20 ,  H10N70/00

Abstract: 本发明提供了一种基于MXene/NbOX材料的忆阻器件及其制备方法。该忆阻器件的结构为铂电极/MXene/NbOX/钨电极，由顶电极、阻变层和底电极依次排列而成。其中阻变层包括介质层和覆盖在其上方的MXene材料膜。本发明引入二维材料作为NbOX阻变层的组成部分，赋予器件出色的阈值切换特性和稳定性，这对于模拟神经网络中的突触和神经元可塑性具有重要意义。此外，所提供的忆阻器件制备方法简便高效，成本低，适用于工业规模生产。

公开(公告)号：CN116070683A

公开(公告)日：2023-05-05

申请号：CN202211722776.5

申请日：2022-12-30

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 刘毅 ,  王宇 ,  闫宇 ,  王沿霁 ,  张彦忠 ,  安欣悦 ,  童袆

IPC: G06N3/063 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器运算的数字型神经形态电路，包括，移位模块，所述移位模块包括四个D触发器组成的4bit移位寄存器；与门模块，所述与门模块包括四个忆阻器逻辑与门；或门模块，所述或门模块包括四个忆阻器逻辑或门；所述移位模块的输出和铃声信号连接所述与门模块的输入；所述与门模块的输出和食物信号连接所述或门模块的输入；基于忆阻器设计的数字型神经形态电路可以很好的将忆阻器与MOS管体系的芯片NPU集成起来，并且因忆阻器极低的电压和功耗，在进行多次学习过程中，并不会产生什么热量。

公开(公告)号：CN116887666A

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN202310785834.7

申请日：2023-06-29

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张彦忠 ,  王宇 ,  王沿霁 ,  安欣悦 ,  童袆

IPC: H10N79/00 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  G06N3/065

Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铌的莫特忆阻器阵列及其制备方法、莫特忆阻器和应用，所述莫特忆阻器由下至上分为底电极层、阻变层和顶电极层，所述阻变层为氧化铌，所述莫特忆阻器的顶电极层的电极和底电极的电极由多个相互平行且设有间隙的电极组成，所述顶电极层与底电极层呈交叉状布设，以提高莫特忆阻器的集成度。本发明通过将氧化铌作为阻变层材料，使莫特忆阻器阵列、莫特忆阻器表现出良好的阈值切换特性以及良好的器件稳定性和循环稳定性，能够更好地应用于神经元电路的搭建，且制备莫特忆阻器阵列的方法较为简单、高效，适合在产业上推广使用。