公开(公告)号：CN116519175B

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202310798318.8

申请日：2023-07-03

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张伟华 ,  薛俊俊 ,  佟佳明 ,  汪旭 ,  陶新雅 ,  智婷 ,  汪金

IPC: G01L1/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00 ,  A61B5/0205 ,  A61B5/00 ,  G01L9/08

Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种基于Si衬底生长GaN基纳米线的柔性器件及制备方法，包括顶部连接电极和底部连接电极，所述顶部连接电极和底部连接电极之间连接有GaN纳米线，所述顶部连接电极为ITO薄膜，所述底部连接电极为环氧树脂银。本发明在2.0 kPa常压下最大输出电压为12 V，现有技术中的基于柔性氮化镓薄膜压电压力传感器及基于ZnO NWs生长在阳极氧化铝上的超皮肤压力传感器的最大电压仅为毫伏级别。较大的内置输出电压，会使得外电路电流增加，意味着会产生较大的电荷量，我们可以将通过压力产生的电荷存储起来，从而实现自供电。不依赖外部电源的供电方式，更符合可穿戴生物传感器的发展趋势。

公开(公告)号：CN116519175A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310798318.8

申请日：2023-07-03

Applicant: 南京邮电大学

Inventor： 张伟华 ,  薛俊俊 ,  佟佳明 ,  汪旭 ,  陶新雅 ,  智婷 ,  汪金

IPC: G01L1/16 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y15/00 ,  A61B5/0205 ,  A61B5/00 ,  G01L9/08

Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种基于Si衬底生长GaN基纳米线的柔性器件及制备方法，包括顶部连接电极和底部连接电极，所述顶部连接电极和底部连接电极之间连接有GaN纳米线，所述顶部连接电极为ITO薄膜，所述底部连接电极为环氧树脂银。本发明在2.0 kPa常压下最大输出电压为12 V，现有技术中的基于柔性氮化镓薄膜压电压力传感器及基于ZnO NWs生长在阳极氧化铝上的超皮肤压力传感器的最大电压仅为毫伏级别。较大的内置输出电压，会使得外电路电流增加，意味着会产生较大的电荷量，我们可以将通过压力产生的电荷存储起来，从而实现自供电。不依赖外部电源的供电方式，更符合可穿戴生物传感器的发展趋势。