公开(公告)号：CN108677157B

公开(公告)日：2020-09-08

申请号：CN201810552149.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 谈淑咏 ,  方峰 ,  刘晓东 ,  霍文燚 ,  王章忠

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种具有高硬高电阻率特性的高熵合金薄膜制备方法，它是通过磁控溅射技术实现的。首先利用拼靶方式确定合金靶材的配比，靶材经预溅射后，在不同氮流量比条件下，采用直流磁控溅射方法沉积(CoCrFeNi)Nx高熵合金薄膜。本发明通过直流磁控溅射工艺成功制备了(CoCrFeNi)Nx高熵合金薄膜，在所述工艺条件下，薄膜与基底结合良好，薄膜表面光滑、致密，最高硬度和电阻率分别高达14.0 GPa和138μΩ•cm。本发明为高熵合金薄膜在微纳电子器件方面的应用奠定基础。

公开(公告)号：CN108677157A

公开(公告)日：2018-10-19

申请号：CN201810552149.9

申请日：2018-05-31

Applicant: 南京工程学院

Inventor： 谈淑咏 ,  方峰 ,  刘晓东 ,  霍文燚 ,  王章忠

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/06

Abstract: 本发明公开了一种具有高硬高电阻率特性的高熵合金薄膜制备方法，它是通过磁控溅射技术实现的。首先利用拼靶方式确定合金靶材的配比，靶材经预溅射后，在不同氮流量比条件下，采用直流磁控溅射方法沉积(CoCrFeNi)Nx高熵合金薄膜。本发明通过直流磁控溅射工艺成功制备了(CoCrFeNi)Nx高熵合金薄膜，在所述工艺条件下，薄膜与基底结合良好，薄膜表面光滑、致密，最高硬度和电阻率分别高达14.0GPa和138μΩ•cm。本发明为高熵合金薄膜在微纳电子器件方面的应用奠定基础。