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公开(公告)号：CN114497426A
公开(公告)日：2022-05-13
申请号：CN202011172056.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种提高钙钛矿发光二极管亮度的方法及钙钛矿发光二极管，以季膦盐为钙钛矿前驱体溶液中的一种组分，在退火过程中，季膦盐分子的亲水基团(P+)与钙钛矿晶粒表面的BX3‑负离子产生静电吸附作用，改变了钙钛矿晶粒生长择优取向，同时外侧的芳香环或脂肪链基团具有大的空间位阻，抑制了晶粒间的团聚，形成低缺陷的纳米晶。提升了薄膜电荷输运能力，实现钙钛矿器件高亮度发光。
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公开(公告)号：CN119061459A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310633507.X
申请日：2023-05-30
Applicant: 南京工业大学
IPC: C30B7/00 , C30B29/54 , C30B33/02 , C23C14/24 , C23C14/18 , C23C14/54 , C23C14/06 , H10K71/12 , H10K50/11 , H10K85/50 , B82Y30/00
Abstract: 本发明公开了一种准二维钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法及钙钛矿发光二极管。通过在钙钛矿前驱体组分加入有机胺盐与两性离子内盐，一步旋涂制备薄膜。其中，在退火过程中，有机胺盐参与钙钛矿结晶，形成多量子阱结构的层状钙钛矿，两性离子内盐中的阴离子与前驱体组分中A位阳离子和有机胺盐存在静电相互作用，抑制层状钙钛矿晶粒的生长，同时抑制晶粒团聚；最终形成低缺陷、表面光滑的准二维钙钛矿纳米晶薄膜，实现器件高效发光。
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公开(公告)号：CN119072141A
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202310624801.4
申请日：2023-05-30
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种长寿命钙钛矿发光二极管及其制备方法。所述的长寿命发光二极管的结构由下至上依次包括透明导电衬底、电子传输层、钙钛矿颗粒层、空穴传输层和电极层；其中，钙钛矿颗粒层与空穴传输层之间的界面形貌为悬浮式桥洞状结构。本发明通过调控钙钛矿与空穴传输层之间的界面形貌，阻止卤素离子向电极层迁移，得到的器件界面结构减少了空穴传输层与钙钛矿颗粒间隙中残留原料的接触，抑制了卤素离子从钙钛矿层向空穴传输层的迁移，从而提升发光二极管的稳定性，实现长寿命钙钛矿发光二极管。
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公开(公告)号：CN114497426B
公开(公告)日：2024-07-23
申请号：CN202011172056.7
申请日：2020-10-28
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种提高钙钛矿发光二极管亮度的方法及钙钛矿发光二极管，以季膦盐为钙钛矿前驱体溶液中的一种组分，在退火过程中，季膦盐分子的亲水基团(P+)与钙钛矿晶粒表面的BX3‑负离子产生静电吸附作用，改变了钙钛矿晶粒生长择优取向，同时外侧的芳香环或脂肪链基团具有大的空间位阻，抑制了晶粒间的团聚，形成低缺陷的纳米晶。提升了薄膜电荷输运能力，实现钙钛矿器件高亮度发光。
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公开(公告)号：CN117677254A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202210993167.7
申请日：2022-08-18
Applicant: 南京工业大学
Abstract: 本发明公开了一种提高钙钛矿发光二极管稳定性的方法及钙钛矿发光二极管，该方法通过以含氟化合物作为改性剂对钙钛矿颗粒和/或钙钛矿薄膜表面进行改性。本发明通过使用含氟化合物改性钙钛矿，含氟化合物分子吸附在钙钛矿表界面，并降低其浸润性，导致上层空穴传输材料平整的铺展在底部的钙钛矿上，免于渗透到钙钛矿间隙中，传输层与颗粒间隙形成“空洞”状界面结构。这种界面结构减少了电荷传输层与钙钛矿以及其间隙中残留材料的接触面积，缩减了离子从钙钛矿层向空穴传输层迁移的通道，从而提升发光二极管的稳定性，实现高稳定钙钛矿发光二极管。
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