公开(公告)号：CN119061459A

公开(公告)日：2024-12-03

申请号：CN202310633507.X

申请日：2023-05-30

Applicant: 南京工业大学

Inventor： 王建浦 ,  伊昌 ,  张国林

IPC: C30B7/00 ,  C30B29/54 ,  C30B33/02 ,  C23C14/24 ,  C23C14/18 ,  C23C14/54 ,  C23C14/06 ,  H10K71/12 ,  H10K50/11 ,  H10K85/50 ,  B82Y30/00

Abstract: 本发明公开了一种准二维钙钛矿纳米晶薄膜的制备方法及钙钛矿发光二极管。通过在钙钛矿前驱体组分加入有机胺盐与两性离子内盐，一步旋涂制备薄膜。其中，在退火过程中，有机胺盐参与钙钛矿结晶，形成多量子阱结构的层状钙钛矿，两性离子内盐中的阴离子与前驱体组分中A位阳离子和有机胺盐存在静电相互作用，抑制层状钙钛矿晶粒的生长，同时抑制晶粒团聚；最终形成低缺陷、表面光滑的准二维钙钛矿纳米晶薄膜，实现器件高效发光。