公开(公告)号：CN102828250A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210317228.4

申请日：2012-08-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  华雪梅 ,  张士英 ,  林增钦 ,  谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  陆海 ,  顾书林 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: C30B29/38 ,  C30B29/62 ,  C30B25/00

CPC classification number: C30B25/005 ,  C30B29/406 ,  C30B29/60

Abstract: 一种制备GaN纳米线的方法，蓝宝石衬底的清洗后，先蒸镀金属Ni薄膜；Ni薄膜厚度5-50nm；将覆有镍薄膜的蓝宝石衬底放入HVPE生长系统中，开始低温生长GaN纳米线；生长温度：500–850℃；高纯N2作为载气，总N2载气流量1-5slm；Ga源采用常规的高纯金属镓和高纯HCl反应生成GaCl，HCl流量：1-20sccm，HCl载气流量10-200sccm；以高纯氨气作为氮源，NH3流量：50–500sccm；生长时间1-10分钟。生长出GaN纳米线。

公开(公告)号：CN102856172A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210320301.3

申请日：2012-08-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  华雪梅 ,  张士英 ,  林增钦 ,  谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  陆海 ,  顾书林 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: H01L21/20

CPC classification number: H01L21/30617

Abstract: 一种制备低应力GaN薄膜的方法，通过光助法腐蚀溶剂腐蚀GaN/蓝宝石复合衬底，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底；光助法腐蚀采用紫外光辅助腐蚀，腐蚀溶剂采用强碱和氧化剂混合溶液，即NaOH或KOH摩尔浓度范围为0.5-1.5M与K2S2O8的混和物摩尔浓度范围为0.05-0.15M，在室温或50℃以下的温度，反应时间为0.5-10小时；得到纳米结构GaN/蓝宝石复合衬底。本发明用于降低氢化物气相外延（HVPE）生长半导体材料GaN薄膜材料中应力。

公开(公告)号：CN102828240A

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201210316953.X

申请日：2012-08-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  华雪梅 ,  林增钦 ,  张士英 ,  谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  陆海 ,  顾书林 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: C30B25/20 ,  C30B25/16

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3081

Abstract: 制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延（HVPE）生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。

公开(公告)号：CN102828240B

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201210316953.X

申请日：2012-08-31

Applicant: 南京大学

Inventor： 修向前 ,  华雪梅 ,  林增钦 ,  张士英 ,  谢自力 ,  张荣 ,  韩平 ,  陆海 ,  顾书林 ,  施毅 ,  郑有炓

IPC: C30B25/20 ,  C30B25/16

CPC classification number: C30B25/186 ,  C30B29/406 ,  H01L21/30621 ,  H01L21/3081

Abstract: 制备GaN薄膜材料的方法，在GaN/蓝宝石复合衬底上蒸镀金属镍（Ni）薄膜，退火得到纳米Ni颗粒，然后采用电感耦合等离子体刻蚀（ICP）方式蚀刻未被Ni覆盖的GaN/蓝宝石复合衬底上的GaN，形成纳米结构的GaN/蓝宝石复合衬底。在此纳米结构复合衬底上进行GaN的氢化物气相外延（HVPE）生长得到低应力高质量的GaN薄膜或者自支撑GaN衬底材料。本发明获得低应力高质量GaN薄膜材料。