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公开(公告)号：CN119789486A
公开(公告)日：2025-04-08
申请号：CN202510281431.8
申请日：2025-03-11
Applicant: 南京信息工程大学
Abstract: 本发明公开了一种N型横向器件及制备方法，该器件在传统横向双扩散金属氧化物半导体基础上，增设另一组栅极与电流通路，通过下多晶硅栅与上多晶硅栅协同控制，形成两条并联的源漏电流通路；同时在N—硅层內嵌入一个浮置P型硅层，在相同击穿电压下，可以提高N—硅层的掺杂浓度，从而进一步降低器件的导通电阻。制备方法中利用Si‑SiO₂键合、离子注入、等离子刻蚀、原子层淀积及热氧化层生长等工艺方法制备器件，其制备工艺兼容标准CMOS工艺。在相同芯片面积下，本发明器件的电流密度提升至传统LDMOS的两倍以上；同时下层二氧化硅的设计，易于实现器件之间的完全隔离，提高器件的高温稳定性与抗辐照能力。
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