公开(公告)号：CN118175864A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410287309.7

申请日：2024-03-13

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 潘江涌 ,  霍修伟 ,  陆佳 ,  秦毓婕 ,  刘海涛 ,  高正浩 ,  魏宇炀 ,  韩杰炜 ,  汪丽茜

IPC: H10K50/115 ,  H10K85/50 ,  H10K71/00

Abstract: 本发明公开一种基于主客体结构的钙钛矿基Micro‑LED及其制备方法，属于半导体技术领域；一种基于主客体结构的钙钛矿基Micro‑LED由上至下依次包括：分布式布拉格反射器、量子点色转换单元、GaN蓝光LED、CMOS集成电路基板；GaN蓝光发光单元包括多个蓝光LED像素点，并集成于CMOS集成电路基板上；量子点色转换单元由下至上依次包括：玻璃基底、金属电极、电极修饰层、电子传输层、钙钛矿量子点层、空穴传输层、空穴注入层、透明电极和封装膜；钙钛矿量子点层的发光材料为ABBr3‑Ni(AcO)2；其中，A为机官能团MA+、Cs+、Na+或Rb+，B为Pb2+、Ge2+、Sn2+或Cu2+；从而实现更为简单的制备工艺和更加稳定的器件性能。

公开(公告)号：CN118800855A

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202410872779.X

申请日：2024-06-28

Applicant: 南京信息工程大学 ,  新型显示与视觉感知石城实验室

Inventor： 潘江涌 ,  霍修伟 ,  高峰 ,  马建 ,  刘海涛 ,  汪丽茜 ,  刘子扬 ,  魏宇炀 ,  张宇宁 ,  沈忠文 ,  苏中方 ,  周玮琦 ,  梅泽 ,  何乃龙

IPC: H01L33/50 ,  C09K11/06 ,  C09K11/66 ,  H01L25/16

Abstract: 本发明公开一种利用卤键诱导的钙钛矿基Micro‑LED色转换层及其制备方法，色转换层的发光材料为ABX3和C6H2BrF4N/C6H2IF4N。A为有机官能团MA+、FA+或无机Cs+，B为Pb2+、Ge2+、Sn2+或Cu2+；X为卤素离子Br‑、Cl‑或I‑。色转换层的制备方法包括：分别称取制备红光钙钛矿色转换单元、蓝光钙钛矿色转换单元、绿光钙钛矿色转换单元所需的发光材料加入到二甲基亚砜溶液中，得到三种溶液；对三种溶液分别进行加热搅拌4～12小时，温度20℃～100℃，得到三种前驱体溶液；将三种前驱体溶液分别旋涂在清洗后的玻璃衬底之上；对玻璃衬底进行退火操作，退火时间为10～30min，退火温度为60℃～140℃。本发明利用卤键构建的钙钛矿结构相比于传统钙钛矿材料，可以抑制离子在钙钛矿卤素空位的迁移，提高器件运行的稳定性。

公开(公告)号：CN118555852A

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN202410305712.8

申请日：2024-03-18

Applicant: 南京信息工程大学

Inventor： 汪丽茜 ,  刘海涛 ,  魏宇炀 ,  高正浩 ,  霍修伟 ,  秦毓婕 ,  陆佳 ,  潘江涌 ,  顾辉

IPC: H10K50/16 ,  H10K50/11 ,  H10K71/12 ,  H10K71/15 ,  H10K71/40

Abstract: 本发明公开了一种用于QLED的自组装单层膜及其制备方法及蓝光QLED，所述自组装单层膜由吸电子基取代的苯硼酸附着至ITO阳极玻璃表面形成，所述吸电子基为‑CN、‑COOMe、‑NO2、‑C3‑nFn,1≤n≤3中的一种或几种组合，所述吸电子基数量为1～3个。使用这些苯硼酸对QLED的ITO阳极玻璃表面进行处理，在ITO和空穴注入层之间构建新型SAM层，有助于提高ITO表面功函数，平衡发光器件的缺陷和功函数，提高发光器件的亮度和外量子效率。