公开(公告)号：CN117532492A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202311542005.2

申请日：2023-11-17

Applicant: 华侨大学

Inventor： 柯聪明 ,  庞义澳 ,  刘首麟 ,  李志强 ,  陆静

IPC: B24B37/04 ,  B24B37/24 ,  B24B49/00 ,  B24B49/10

Abstract: 本发明属于半导体抛光技术领域，具体涉及一种用于二维材料高取向生长的蓝宝石衬底的加工方法，其包括：将C向[0001]单晶蓝宝石衬底安装于倾角加工设备，加工出具有C轴偏A轴方向或C轴偏M轴方向的单晶蓝宝石衬底；将单晶蓝宝石衬底和柔性抛光垫分别安装在抛光设备上，并加入多羟基官能团化合物和去离子水作为抛光液；柔性抛光垫表面设置有带电磨粒；设置抛光设备的载荷及转速，使单晶蓝宝石衬底与柔性抛光垫发生相对摩擦，单晶蓝宝石衬底与抛光液中的多羟基官能团化合物在带电磨粒摩擦诱导下生成硬度较低的摩擦反应层；通过带有回弹效果的带电磨粒的机械作用将反应层均匀去除。本发明能极大提高单晶蓝宝石衬底原子台阶加工效率。